Термо- и радиационно стабильные контакты к SiC на основе квазиаморфных пленок ZrB[2] [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 755-758 : ил. - Библиогр.: с. 758 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): контакты -- радиационная стабильность -- термическая стабильность -- вольт-яркостные характеристики -- ВЯХ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- пленки -- магнетронное распыление -- монокристаллы -- термический отжиг -- оже-анализы -- ZrB[2] Аннотация: Методами вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик в сочетании с послойным оже-анализом исследовались радиационная и термическая стабильность структур с барьером Шоттки, изготовленных магнетронным распылением диборида циркония на поверхность (0001) монокристаллов n-6H (15R) SiC, выращенных методом Лели, с концентрацией нескомпенсированых доноров ~10{18}см{-3}. Показано, что использование квазиаморфных пленок ZrB[2] при изготовлении контактов на n-6H (15R) SiC не приводит к изменениям характеристик барьеров Шоттки при быстрых термических отжигах до 800oC в диапазоне доз облучения gamma-квантами {60}Co10{3}-10{7} Гр. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Миленин, В. В. |
Калыгина, В. М. Влияние монооксида углерода на вольт-фарадные характеристики МОП диодов Pd-SiO[2]-Si [Текст] / В. М. Калыгина, В. Ю. Грицык // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 780-784 : ил. - Библиогр.: с. 783-784 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- углерод -- монооксиды углерода -- восстановительные газы -- диоды -- МОП диоды -- диоды МОП -- металл - окисел - полупроводник -- МОП -- Pd-SiO[2]-Si Аннотация: Исследовано влияние монооксида углерода на вольт-фарадные характеристики МОП диодов Pd-SiO[2]-n-Si и временные зависимости изменений емкости при фиксированных смещениях на диоде. В отличие от других восстановительных газов, изменение емкости в газовой смеси CO/воздух имеет немонотонный характер. Во время экспозиции в газовой атмосфере вольт-фарадные характеристики сначала смещаются в область более высоких положительных напряжений, а затем они возвращаются и движутся вдоль оси напряжений в более низкие смещения. Резкий спад емкости в течение первых нескольких секунд газового импульса сменяется более медленным ростом емкости до нового стационарного значения, которое зависит от концентрации монооксида углерода. Результаты объясняются с учетом мостиковой и линейной форм адсорбции CO на поверхности SiO[2]. Доп.точки доступа: Грицык, В. Ю. |
Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл) - (слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe [Текст] / А. П. Бахтинов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 180-193 : ил. - Библиогр.: с. 192 (59 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гибридные структуры -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- ферромагнитный металл-слоистый полупроводник -- ФМ-ПП -- Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- импедансные спектры -- спиновая инжекция -- экстракция -- спиновая диффузия -- релаксация (физика) -- полупроводниковые подложки -- спин-селективные барьеры -- кулоновская блокада -- отрицательные дифференциальные емкости -- наноразмерные включения Аннотация: После выращивания слоев Ni на поверхности (0001) p-GaSe сформированы двухбарьерные структуры Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe с наноразмерными включениями сплавов Ni, которые образовались в результате протекания реакций на границе раздела "металл-слоистый полупроводник". В температурном диапазоне 220-350 K изучены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гибридных структур. Исследована зависимость импедансных спектров от напряжения смещения структур при различных температурах. Частотные зависимости импеданса при высоких частотах (f>10{6} Гц) обсуждаются с точки зрения явлений спиновой инжекции и экстракции в структурах с ультратонким спин-селективным барьером Ni/n-Ga[2]Se[3] и эффектов спиновой диффузии и релаксации в полупроводниковой подложке. При комнатной температуре обнаружены явления кулоновской блокады и отрицательной дифференциальной емкости. Эти явления объясняются на основе анализа транспортных процессов в узкой области вблизи границы раздела "ферромагнитный металл-полупроводник", где расположены наноразмерные включения. Доп.точки доступа: Бахтинов, А. П.; Водопьянов, В. Н.; Ковалюк, З. Д.; Нетяга, В. В.; Литвин, О. С. |
Электрофизические и морфологические свойства пленок CdTe, синтезированных методом молекулярного наслаивания [Текст] / В. А. Майоров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 590-593 : ил. - Библиогр.: с. 592-593 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): теллурид кадмия -- CdTe -- пленки -- молекулярное наслаивание -- метод молекулярного наслаивания -- подложки -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- электрофизические свойства -- морфологические свойства -- синтез Аннотация: Пленки теллурида кадмия синтезированы методом молекулярного наслаивания на подложках из графита, слюды и кремния. Получены однородные фоточувствительные слои площадью 65 см{2}, толщиной от 0. 5 до 5 мкм с концентрацией дырок 6. 3x10{1}6 см{-3} (300 K). Доп.точки доступа: Майоров, В. А.; Афясов, А. М.; Божевольнов, В. Б.; Раданцев, В. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние различных химических обработок поверхности на высоту барьеров Al-p-SiGe, Au-n-SiGe [Текст] / И. Г. Атабаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 631-635 : ил. - Библиогр.: с. 634-635 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- поверхностные состояния -- твердые растворы -- химическая обработка -- травление -- золото -- алюминий -- германий -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- Al-p-SiGe -- Au-n-SiGe Аннотация: Исследовано влияние различной химической обработки на свойства барьеров Шоттки Au-n-SiGe и Al-p-SiGe. Травление в различных режимах использовалось для формирования поверхности с различной плотностью поверхностных состояний (D[ss]). Показано, что высота барьеров исследованных структур коррелирует с плотностью поверхностных состояний D[ss] и содержанием германия в твердом растворе Si[1-x]Ge[x]. Доп.точки доступа: Атабаев, И. Г.; Матчанов, Н. А.; Хажиев, М. У.; Пак, В.; Салиев, Т. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Рудинский, М. Э. Вольт-фарадные характеристики системы электролит-n-InN и электронные состояния на границе раздела [Текст] / М. Э. Рудинский, А. А. Гуткин, П. Н. Брунков // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1053-1058. : ил. - Библиогр.: с. 1057 (8 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- электронные состояния -- границы раздела -- ГР -- электролиты -- n-InN -- металл-диэлектрик-полупроводник -- МДП Аннотация: Измерены зависимости дифференциальной емкости системы вырожденный n-InN-электролит от напряжения смещения при частоте зондирующего напряжения 300 Гц. Количественный анализ этих характеристик проведен на основе одномерной модели структуры металл-диэлектрик-полупроводник в области напряжений смещения вблизи напряжения плоских зон и обеднения. Показано, что на величину емкости в этой области напряжений влияют электронные состояния на границе раздела. Оценены плотность и распределение по энергии этих состояний. Вид зависимости емкости от напряжения в области аккумуляции также свидетельствует о существовании состояний на границе раздела, энергия которых на несколько десятых эВ превышает энергию дна зоны проводимости. Плотность этих состояний растет с увеличением энергии. Доп.точки доступа: Гуткин, А. А.; Брунков, П. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |