Электрические свойства монокристаллов In[2]Se[3] и фоточувствительность барьеров Шоттки Al/In[2]Se{3] [Текст] / И. В. Бондарь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1179-1182 : ил. - Библиогр.: с. 1182 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- In[2]Se[3] -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- Al/In[2]Se{3] -- фоточувствительность -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- электрические свойства -- кристаллическая структура -- электропроводность -- удельная электропроводность -- постоянная Холла -- Холла постоянная -- выпрямления -- фотовольтаические эффекты -- фотопреобразователи -- широкополосные преобразователи -- оптические излучения Аннотация: Методом Бриджмена выращены монокристаллы In[2]Se[3] диаметром 14 и длиной ~ 40 мм. Определен состав полученных монокристаллов и их кристаллическая структура. На выращенных монокристаллах проведены измерения удельной электропроводности (sigma) и постоянной Холла (R) и созданы первые барьеры Шоттки Al/n-In[2]Se[3]. В новых структурах обнаружены выпрямление и фотовольтаический эффект. На основании исследований спектров фоточувствительности структур Al/n-In[2]Se[3] определены характер межзонных переходов и значения ширины запрещенной зоны кристаллов In[2]Se[3]. Сделан вывод о возможностях применения новых структур при создании широкополосных фотопреобразователей оптических излучений. Доп.точки доступа: Бондарь, И. В.; Ильчук, Г. А.; Петрусь, Р. Ю.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Сергинов, М. |
Бондарь, И. В. Оптические свойства твердых растворов (CuInSe[2]) [1-x] (2MnSe) [x] [Текст] / И. В. Бондарь // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 606-609 : ил. - Библиогр.: с. 609 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- CuInSe[2][1-x]2MnSe[x] -- кристаллы -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- оптические свойства -- спектры пропускания -- пропускание -- температурная зависимость Аннотация: На кристаллах твердых растворов (CuInSe[2]) [1-x] (2MnSe) [x]), выращенных методом Бриджмена, исследованы спектры пропускания в интервале температур 10-300 K. Определена ширина запрещенной зоны указанных материалов и построены ее температурные зависимости. Показано, что ширина запрещенной с ростом температуры уменьшается. Построены концентрационные зависимости ширины запрещенной зоны для твердых растворов (CuInSe[2]) [1-x] (2MnSe) [x]. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Иващишин, Ф. О. Фотопроцессы в полупроводниково-углеродном фотоконденсаторе с двойным электрическим слоем [Текст] / Ф. О. Иващишин, И. И. Григорчак, Б. П. Бахматюк // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 865-870. : ил. - Библиогр.: с. 870 (23 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): двойные электрические слои -- ДЭС -- полупроводниково-углеродные фотоконденсаторы -- фотоконденсаторы -- фотопроцессоры -- фоточувствительные аноды -- моноселенид индия -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- электрохимические исследования -- активированный уголь марки Аусфер -- АУА -- Аусфер Аннотация: Показана возможность создания функционально-гибридной гальвано-фотоконденсаторной активной системы, которая в темноте имела бы возможность использовать не только накопленную при освещении энергию, но при необходимости и собственную химическую энергию. В экспериментах в качестве фоточувствительного анода использовался моноселенид индия n-типа проводимости, выращенный методом Бриджмена. Электрохимические исследования проводились в трехэлектродной ячейке с апротонным раствором электролита, в качестве которого выбирался 0. 4 молярный раствор йодида лития в gamma-бутиролактоне и одномолярный тетрафторборат лития в этом же растворителе. Доп.точки доступа: Григорчак, И. И.; Бахматюк, Б. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Система управления многозонной термической установкой для выращивания кристаллов по методу Бриджмена [Текст] / М. М. Филиппов [и др. ] // Известия Томского политехнического университета. - 2010. - Т. 316, N 5 : Управление, вычислительная техника и информатика. - С. 146-151. : ил. - Библиогр.: с. 150-151 (5 назв. ).
Рубрики: Радиоэлектроника Кибернетика Кл.слова (ненормированные): системы управления -- многозонные термические установки -- выращивание кристаллов -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- температурное поле -- системы автоматического регулирования Аннотация: Представлено описание системы автоматического регулирования многозонной термической установкой для выращивания монокристаллов методом Бриджмена в вертикальном варианте. Показаны результаты внедрения и апробации предлагаемой системы. Доп.точки доступа: Филиппов, М. М.; Бабушкин, Ю. В.; Грибенюков, А. И.; Гинсар, В. Е. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Гальваномагнитные, термоэлектрические свойства и электронное строение монокристаллических BiTeBr и BiTeI [Текст] / В. А. Кульбачинский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1596-1601. : ил. - Библиогр.: с. 1601 (20 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- монокристаллы -- BiTeBr -- BiTel -- гальваномагнитные свойства -- термоэлектрические свойства -- висмут -- теллур -- бром -- коэффициент Зеебека -- Зеебека коэффициент -- запрещенные зоны -- теория функционала плотности -- кристаллы -- функционал плотности -- зонные структуры -- полупроводники -- непрямые зоны Аннотация: Методом Бриджмена синтезированы монокристаллы BiTeI и BiTeBr и исследованы их гальваномагнитные и термоэлектрические свойства. Оба полупроводника обладают n-типом проводимости. Термоэлектрическая эффективность BiTeBr существенно больше, чем термоэлектрическая эффективность BiTeI, что связано главным образом с большим значением коэффициента Зеебека у первого соединения. Для обоих кристаллов на уровне теории функционала плотности рассчитана зонная структура и показано, что оба соединения являются полупроводниками с непрямой запрещенной зоной. Доп.точки доступа: Кульбачинский, В. А.; Кытин, В. Г.; Лаврухина, З. В.; Кузнецов, А. Н.; Шевельков, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Цивинская, Ю. С. Управление процессами массопереноса при получении поликристаллического кремния методом Бриджмена [Текст] / Ю. С. Цивинская, В. Н. Попов // Известия Томского политехнического университета. - 2012. - С. 140-144. : ил. - Библиогр.: с. 144 (11 назв.)
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): численное моделирование -- массопереносные процессы -- тепломассоперенос -- массоперенос -- поликристаллический кремний -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- конвекция -- некогерентные примеси -- расплавы -- кристаллизация -- конвективные течения Аннотация: С использованием численного моделирования исследовано распределение некогерентных примесей в расплаве при получении поликристаллического кремния методом Бриджмена. Анализировалось влияние азимутально-неоднородного нагрева боковой стенки тигля на распределение вытесняемого вещества вблизи фронта кристаллизации. Процессы рассматривались в диапазоне параметров, соответствующих реальным температурам в ростовой печи и расплаве, размерам и форме тигля. Из полученных результатов следует, что неоднородный разогрев расплава изменяет структуру конвективных течений, которые в случаях плоского или выпуклого фронтов кристаллизации способствуют оттеснению растворенной примеси к стенкам тигля. Доп.точки доступа: Попов, В. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование эволюции структурных дефектов в монокристаллах ZnGeP[2], выращенных методом Бриджмена [Текст] / Г. А. Верхозубова [и др.] // Известия Томского политехнического университета. - 2012. - Т. 321, № 2 : Математика и механика : Физика. - С. 121-128 : ил. - Библиогр.: с. 127-128 (22 назв.) . - ISSN 1684-8519
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): структурные дефекты -- монокристаллы -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- результаты исследований -- рентгеновская топография -- эффект Бормана -- Бормана эффект -- продольные срезы -- поперечные срезы -- численные оценки -- кристаллизация -- кристаллы -- выращивание кристаллов -- топографические исследования Аннотация: Представлены результаты исследований структурных дефектов в монокристалле ZnGeP[2], выращенном методом Бриджмена в вертикальном варианте. Методом рентгеновской просвечивающей топографии на основе эффекта Бормана исследованы продольный срез и три поперечных среза монокристалла. Обнаружено различие структур дефектов в начальной, срединной и концевой частях кристалла. Приведены численные оценки поведения фронта кристаллизации в процессе выращивания кристалла. Получено хорошее соответствие численных оценок и результатов топографических исследований. Доп.точки доступа: Верхозубова, Галина Александровна; Филиппов, Максим Михайлович; Грибенюков, Александр Иванович; Трофимов, Андрей Юрьевич; Окунев, Алексей Олегович; Стащенко, Владимир Александрович Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Макромодель тепловых процессов установки для выращивания кристаллов солнечных элементов методом Бриджмена [Текст] / Ю. В. Бабушкин [и др.] // Известия Томского политехнического университета. - 2015. - Т. 326, № 2. - С. 117-126 : ил. - Библиогр.: с. 124 (29 назв.). - полный текст статьи см. на сайте Научной электронной библиотеки http://elibrary.ru . - ISSN 1684-8519
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): возобновляемая энергетика -- мультикремний -- фотоэлектрические преобразователи -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- метод элементарных балансов -- температурное поле -- многозонные термические установки -- тепловые процессы -- солнечные элементы -- солнечные батареи -- математические модели -- макромодели Аннотация: Необходимость повышения эффективности функционирования солнечных батарей обусловлена постоянно повышающимися требованиями к солнечной энергетике. Повысить эффективность работы батарей можно с помощью использования более качественных элементов. Работа посвящена решению проблемы по созданию комплекса математических моделей различного уровня сложности для решения научно-технических задач, направленных на повышение качества кремния, выращиваемого методом Бриджмена. Цель исследования: разработка математической модели, позволяющей в реальном масштабе времени с приемлемой точностью прогнозировать течение процесса выращивания кристалла в варьируемых тепловых условиях. Методы исследования. Разработанная модель реализована на базе метода элементарных балансов для принятой расчетной схемы в пакете Matlab. Модель позволяет проводить оценку температурного поля установки, исследовать взаимное влияние тепловых процессов в системе "ростовой контейнер -термическая установка", имитировать тепловые процессы на всех этапах процесса выращивания кристалла, исследовать различные алгоритмы управления тепловой мощностью нагревателей. Результаты. Получены оценки положения изотерм кристаллизации и скорости роста кристалла в условиях вертикального метода Бриджмена с механическим перемещением ростового контейнера. Показано, что изменение температурного поля в контейнере при его перемещении существенно влияет на положение изотермы кристаллизации. При этом скорость роста может достигать области отрицательных значений, при которых происходит подплавление уже выращенного кристалла. Кроме того, фактическое время выращивания кристалла может заметно отличаться от запланированного. Полученные расчетным путем данные следует учитывать при проектировании новых установок и планировании экспериментальных работ по выращиванию кристаллов.The work is devoted to the solution of the problem of developing the complex of mathematical models to solve scientific-technical tasks in the design multizone thermal installations for crystal growing by Bridgman method. The relevance of the research is related to continuously increased requirements to the quality of the growing crystals, for example, for the development of energy-efficient production, renewable energy on the basis of solar battery, created on the basis of mono- and multi-crystalline silicon, in instrumentation as optical and laser components, integrated circuit substrates, soft and hard radiation detectors, in quantum electronics, nonlinear optics, etc. and consequently with the necessity to improve thermal installations and technological processes. The main aim of the study is to develop the mathematical models that allows in real-time mode with acceptable accuracy forecasting a course of crystal growing in variable thermal conditions. The methods used in the study. The developed model is implemented on base of the method of elementary balances adopted for the calculation scheme in Matlab. The model allows evaluating the installation temperature field, exploring the mutual influence of thermal processes in the system "growth container - thermal installation", simulating thermal processes in the installation at all stages of the crystal growing, as well investigating various algorithms of controlling thermal power of heaters. Доп.точки доступа: Бабушкин, Юрий Владимирович; Филиппов, Максим Михайлович; Суан Хунг Нгуен; Грибенюков, Александр Иванович Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние вакансий серы на термоэлектрические свойства галенита [Текст] / В. А. Голенищев-Кутузов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2019. - Т. 83, № 6. - С. 734-737. - Библиогр.: c. 737 (5 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Распространение звука Кл.слова (ненормированные): Бриджмена метод -- галенит -- Зеебека коэффициент -- кварцевые тигли -- коэффициент Зеебека -- метод Бриджмена -- метод Холла -- Холла метод Аннотация: При температуре Т = 305 К изучены зависимости коэффициента Зеебека (S), удельного сопротивления (p) и теплопроводности (k) кристаллов узкозонного полупроводника PbS[1-y] (0 < или равно y < или равно 10{-3}), выращенных методом Бриджмена в запаянных кварцевых тиглях с коническим дном. Методами Холла и ЭПР обнаружено, что с возрастанием величины параметра нестехиометричности, y исследуемых кристаллических образцов PbS[1-y] происходит увеличение в их объемах числа одиночных вакансий серы и вакансионных кластеров. Анализ зависимостей S (y), p (y) и k (y) привел к выводу о том, что вакансии и вакансионные кластеры образуют в зоне проводимости кристаллов PbS[1-y] резонансные уровни, влияющие на их термоэлектрическую добротность. Доп.точки доступа: Голенищев-Кутузов, В. А.; Голенищев-Кутузов, А. В.; Калимуллин, Р. И.; Семенников, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |