Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>A=Шеховцов, Н. А.$<.>)

Общее количество найденных документов : 1

Шеховцов, Н. А.
Зависимость емкости германиевых p\{+\}-p-переходов от тока в области температур 290-330 K [Текст] / Н. А. Шеховцов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 456-459

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
детекторы СВЧ-излучения -- носители заряда -- микроэлектронные схемы -- полупроводниковые приборы -- никель -- индий
Аннотация: Исследована зависимость дифференциальной емкости от тока германиевых p\{+\}-p-переходов с удельным сопротивлением p-области 45, 30 и 10 Ом х см в области температур 290-350 K. Показано, что характер зависимости емкости p\{+\}-p-перехода от тока изменяется при увеличении температуры перехода. При температуре 290 K емкость с ростом обратного тока уменьшается и изменяет знак с положительного на отрицательный, а с ростом прямого тока увеличивается. При температуре 330 K емкость с ростом обратного тока уменьшается до минимума с положительным значением, а с ростом прямого тока изменяет знак на отрицательный. При температуре 310 K емкость p\{+\}-p-перехода может изменять знак с положительного на отрицательный с ростом прямого и обратного тока. Полагается, что положительная и отрицательная емкость p\{+\}-p-перехода обусловлена изменением заряда в области перехода внешним напряжением.

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 01.07.2024
Число запросов	47342
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)