Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Шапочкин, П. Ю.$<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.


    Шапочкин, П. Ю.
    Антизеркальное отражение ограниченного плоского оптического волновода: модель струны [Текст] / П. Ю. Шапочкин, Ю. В. Капитонов, Г. Г. Козлов // Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 120, № 3. - С. 488-495 : схемы, граф. - Библиогр.: с. 495 (6 назв.) . - ISSN 0030-4034
УДК
ББК 22.343
Рубрики: Физика
   Физическая оптика

Кл.слова (ненормированные):
оптические волноводы -- брэгговские волноводы -- плоские отражатели -- спектральные свойства излучения -- гауссова форма линий -- угловые свойства излучения -- лоренцово угловое распределение -- антизеркальное отражение -- модели струны
Аннотация: Рассмотрен эффект антизеркального отражения от ограниченного плоского оптического волновода, использовавшийся ранее для наблюдения медленного света в брэгговском волноводе. Предложена теория этого эффекта, с помощью которой интерпретируются наблюдаемые в эксперименте спектральные (гауссова форма линии) и угловые (лоренцево угловое распределение) свойства излучения, рассеянного ограниченным волноводом в антизеркальном направлении.


Доп.точки доступа:
Капитонов, Ю. В.; Козлов, Г. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

2.


   
    Рассеяние экситонов в гетероструктурах с квантовыми ямами (In, Ga)As/GaAs [Текст] / А. В. Трифонов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2017. - Т. 81, № 12. - С. 1677-1680. - Библиогр.: c. 1680 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- квантовые ямы -- экситон-экситонное рассеяние -- экситоны
Аннотация: С помощью спектроскопии отражения изучено рассеяние экситонов на фононах, неизлучающих экситонах и свободных носителях в гетероструктуре с широкой квантовой ямой (In, Ga) As/GaAs. Для контролируемого создания экситонов и свободных носителей использована дополнительная монохроматическая подсветка образца излучением перестраиваемого лазера. Константы рассеяния экситонов на акустических и LO-фононах определены по температурным вариациям нерадиационного уширения экситонных резонансов. Спектры возбуждения нерадиационного уширения содержат узкие резонансы, обусловленные экситон-экситонным рассеянием, и плавно меняющийся фоновый сигнал, вызванный рассеянием на свободных носителях.


Доп.точки доступа:
Трифонов, А. В.; Ефимов, Ю. П.; Елисеев, С. А.; Ловцюс, В. А.; Шапочкин, П. Ю.; Игнатьев, И. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 
Статистика
за 31.07.2024
Число запросов 50718
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)