Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Милешко, Леонид Петрович$<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Милешко, Леонид Петрович.
Особенности кинетики анодного окисления вращающихся кремниевых пластин в легирующих электролитах [Текст] / Л. П. Милешко // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 6. - С. 70-71. - Библиогр.: с. 71 (5 назв. )

УДК

^a541.1

^a621.317

ББК 24.5 + 31.22
Рубрики: Химия
   Физическая химия. Химическая физика
   Энергетика
   Электрические и магнитные измерения
Кл.слова (ненормированные):
анодирование -- электролитическое анодирование -- оксидные пленки -- контроль -- кинетика -- электролиты
Аннотация: Выявлено, что процесс образования фосфатных и боратных анодных оксидных пленок кремния индифферентен к массопереносу анионов легирующих компонентов в электролитах на основе этиленгликоля.

Найти похожие

Милешко, Леонид Петрович.
Особенности процессов гальваностатического анодирования алюминия, кремния и пленок нитрида кремния [Текст] / Л. П. Милешко // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 5. - С. 88-90. - Библиогр.: с. 89-90 (9 назв. )

УДК

^a541.1

^a621.317

ББК 24.5 + 31.22
Рубрики: Химия
   Физическая химия. Химическая физика
   Энергетика
   Электрические и магнитные измерения
Кл.слова (ненормированные):
оксидные пленки -- активационный контроль -- анодирование -- электролитическое анодирование -- гальваностатическое анодирование
Аннотация: Исследован процесс образования анодных оксидных пленок алюминия, кремния и нитрида кремния.

Найти похожие

Милешко, Леонид Петрович.
Механизмы формирования легированного фосфором или бором анодного SiO{2} на карбиде кремния [Текст] / Л. П. Милешко // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 2. - С. 10-15. - Библиогр.: с. 15 (10 назв. )

УДК

^a541.1

^a621.317

ББК 24.5 + 31.22
Рубрики: Химия
   Физическая химия. Химическая физика
   Энергетика
   Электрические и магнитные измерения
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковая электроника -- полупроводниковые материалы -- термодинамический анализ -- анодные реакции -- ЛАОП -- легированные анодные оксидные пленки -- карбид кремния -- анионы -- анодирование -- легирующие компоненты -- формирование -- механизмы
Аннотация: Подробно рассмотрены гепотетические механизмы взаимодейтсивя анионов с карбидом кремния в процессе его анодирования в электролитах с легирующими компонентами.

Найти похожие

Милешко, Леонид Петрович.
Механизм электрохимического формирования SiO[2] из структур Si[3]N[4]-Si [Текст] / Л. П. Милешко // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 1. - С. 3-10. - Библиогр.: с. 10 (19 назв. )

УДК

^a541.1

^a621.36

ББК 24.5 + 31.292-5
Рубрики: Химия
   Физическая химия. Химическая физика
   Энергетика
   Электрический нагрев
Кл.слова (ненормированные):
легирование -- термодинамические функции -- анодные окисления -- кремниевые приборы
Аннотация: Рассмотрены гипотетические механизмы взаимодействия Si[3]N[4] с анионами в процессе его анодного окисления в электролитах с легирующими компонентами.

Найти похожие

Милешко, Леонид Петрович.
Слоистое строение анодных пленок SiO[2], легированных фосфором или бором [Текст] / Л. П. Милешко // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 1 (75). - С. . 12-15 : рис. . - ISSN 1561-5405

УДК

^a541.6

^a621.315.592

ББК 24.7 + 31.233
Рубрики: Химия
   Химия высокомолекулярных соединений
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
анодные пленки -- оксидные пленки -- легирование -- фосфор -- бор
Аннотация: Установлено, что анодные оксидные пленки кремния, полученные методом реанодирования кремния p- и n-типов в фосфатном, боратном и нитратном электролитах на основе тетрагидрофурфурилового спирта, имеют трех- или четырехслойное строение как до, так и после высокотемпературного отжига. Сделано предположение, что этим объясняется неравномерное распределение фосфора и бора по толщине анодного SiO[2].

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 22.07.2024
Число запросов	1477
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)