Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (4)

БД "Статьи" (13)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Лебедев, А. А.$<.>)

Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-16

Ботников, А. А.
Проблема сбора данных в рамках подготовки проекта федерального бюджета на примере Минобрнауки России [Текст] = The Problem of Collecting Data for the Draft of the Federal Budget, Shown on the Example of the Ministry of Education and Science Russia / А. А. Ботников, А. А. Лебедев // Качество. Инновации. Образование. - 2009. - N 1. - С. 50-58 : 6 рис. . - ISSN хххх-хххх

УДК

^a336

^a338(470+571)

ББК 65.26 + 65.9(2Рос)
Рубрики: Экономика
Финансы в целом
Экономика России
Кл.слова (ненормированные):
сбор данных -- проекты -- проект Федерального бюджета -- обработка данных -- автоматизация -- программное обеспечение
Аннотация: Авторы рассматривают некоторые проблемы информационной поддержки бюджетного процесса на примере Минобрнауки, а также о сокращении сроков подготовки проекта Федерального бюджета.

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Минобрнаука

Найти похожие

Переход металл-изолятор в эпитаксиальных пленках n-3C-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 337-341

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
подложки гексагонального карбида кремния -- сублимационная эпитаксия -- гальваномагнитные исследования -- гетероструктуры -- магнетосопротивление -- эпитаксиальные структуры
Аннотация: На подложках гексагонального карбида кремния методом сублимационной эпитаксии выращены пленки n-3C-SiC. Проведено исследование низкотемпературной проводимости и магнетосопротивления полученных пленок в зависимости от уровня легирования и структурного качества. Обнаружено, что при концентрациях нескомпенсированных доноров N[d]-N[a] ? 3 •10\{17\} см\{-3\} в слое n-3C-SiC происходит переход металл-диэлектрик.

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Агринская, Н. В.; Козуб, В. И.; Кузнецов, А. Н.; Лебедев, С. П.; Оганесян, Г. А.; Трегубова, А. С.; Черняев, А. В.; Шамшур, Д. В.; Скворцова, М. О.

Найти похожие

Давыдов, С. Ю.
К построению модели термодеструкции карбида кремния с целью получения графитовых слоев [Текст] / С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, Н. Ю. Смирнова // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 3. - С. 452-454. - Библиогр.: с. 454 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
модель термодеструкции карбида кремния -- термодеструкция карбида кремния -- карбид кремния -- графены -- графитовые слои -- термодеструкция
Аннотация: Обсуждается предложенная ранее (на основании структурных исследований) трехстадийная схема процесса термодиструкции карбида кремния, приводящего к графитизации поверхности. Теоретический анализ, однако, показывает, что этот процесс является двухстадийным: термодесорбция атомов кремния из двух внешних бислоев Si-C с последующей конденсацией атомов углерода на Si-грани (0001) карбида кремния, приводящей к образованию двумерной структуры графита (графена).

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Смирнова, Н. Ю.

Найти похожие

Формирование наноуглеродных пленок на поверхности SiC методом сублимации в вакууме [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 783-786. - Библиогр.: с. 786 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
наноуглеродные пленки -- метод сублимации в вакууме -- сублимационная эпитаксия -- двумерные кристаллы графита -- карбид кремния
Аннотация: Показано возможность формирования наноуглеродных пленок на поверхности SiC с использованием технологии и оборудования для сублимационной эпитаксии карбида кремния. Определен температурный диапазон, в котором формируются наноуглеродные пленки толщиной 4-5 постоянных решетки. Обнаружено наличие в пленках двумерных кристаллов графита.

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Котоусова, И. С.; Лаврентьев, А. А.; Лебедев, С. П.; Макаренко, И. В.; Петров, В. Н.; Титков, А. Н.

Найти похожие

Исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 785-788 : ил. - Библиогр.: с. 787-788 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- кубический карбид кремния -- слои -- эпитаксиальные слои -- кубические эпитаксиальные слои -- сублимационная эпитаксия -- рентгеновская топография -- рамановская спектроскопия -- вольт-фарадные измерения -- спектроскопия -- 3C-SiC -- подложки -- 15R-SiC
Аннотация: Проведено исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме. Методами рентгеновской топографии и рамановской спектроскопии показано достаточно высокое структурное качество полученных эпитаксиальных слоев. По данным рамановской спектроскопии и вольт-фарадным измерениям установлено, что концентрация электронов в слое 3C-SiC составляет (4-6) х10{18} см{-3}.

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Богданова, Е. В.; Зубрилов, А. С.; Лебедев, С. П.; Нельсон, Д. К.; Середова, Н. В.; Смирнов, А. Н.; Трегубова, А. С.

Найти похожие

Сравнительное изучение изменения электрических свойств кремния и карбида кремния при облучении протонами [Текст] / В. В. Емцев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 706-712 : ил. - Библиогр.: с. 711-712 (28 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кремний -- карбид кремния -- облучение протонами -- протонное облучение -- электрические свойства -- энергия -- первичные радиационные дефекты -- ПРД -- пар Френкеля -- Френкеля пар -- ПФ -- кристаллические решетки -- дефекты -- сравнительное изучение
Аннотация: Обсуждаются скорости удаления носителей заряда из зоны проводимости в FZ-Si и 4H-SiC n-типа, подвергнутых облучению протонами с энергией 8 и 15 МэВ при комнатной температуре. Приведены расчетные оценки скоростей образования первичных радиационных дефектов (пар Френкеля) в этих материалах, которые сравниваются с экспериментально определенными величинами. Протоны создают дефекты в каскадах соударений с участием атомов отдачи самой кристаллической решетки. Проведено сопоставление с аналогичными данными, полученными ранее при облучении FZ-Si и 4H-SiC n-типа электронами с энергией 900 кэВ, когда среди первичных радиационных дефектов абсолютно доминируют изолированные так называемые близкие пары Френкеля. Установлено, что модель образования E-центров, которая очень хорошо описывает уменьшение удельной электропроводности n-FZ-Si при электронном облучении, не подходит для интерпретации экспериментальных данных, полученных при протонном облучении. Относительно 4H-SiC ставится вопрос о существенном отжиге "простых " радиационных дефектов типа близких пар Френкеля во время облучения при комнатной температуре.

Доп.точки доступа:
Емцев, В. В.; Иванов, А. М.; Козловский, В. В.; Лебедев, А. А.; Оганесян, Г. А.; Строкан, Н. Б.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Исследование пленок мультиграфена, получаемых на поверхности SiC методом сублимации [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - С. 799-805. - Библиогр.: с. 805 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
пленки мультиграфена -- мультиграфен -- графен -- планарные наноуглеродные слои -- подложка карбида кремния -- наноуглеродные пленки -- Оже-спектроскопия -- метод сублимации
Аннотация: Для получения пленок графена использовалась технология сублимационной эпитаксии SiC в вакууме. Пленки исследовались методами Оже-спектроскопии, дифракции быстрых электронов на отражение, атомно-силовой микроскопии и рамановской спектроскопии. Сделан вывод, что структура полученных пленок имеет поликристаллический характер и состоит из отдельных монокристаллов графена с размерами порядка 50 nm.

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Котоусова, И. С.; Лаврентьев, А. В.; Лебедев, А. В.; Дементьев, П. А.; Петров, В. Н.; Смирнов, А. Н.; Титков, А. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние микроволновой обработки на механизмы протекания тока в омических контактах Au-TiB[x]-Al-Ti-n{+}-n-n{+}-GaN-Al[2]O[3] [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 775-781. : ил. - Библиогр.: с. 780-781 (26 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
омические контакты -- температурные зависимости -- быстрая термическая обработка -- БТО -- микроволновая обработка -- комнатная температура -- термообработка -- термическая обработка -- микроволновые излучения -- металлическая проводимость
Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного контактного сопротивления rhoc омических контактов Au-TiB[x]-Al-Ti-n{+}-n-n{+}-GaN-Al[2]O[3] до и после микроволновой обработки и последующего хранения образцов в течение 9 месяцев при комнатной температуре. Температурные зависимости rho[c] исходных образцов измерялись дважды. При первом измерении rho[c] обнаружена типичная для омических контактов температурная зависимость rho[c], при повторном измерении в области температур >270 K обнаружен рост rho[c], обсусловленный металлической проводимостью. После микроволновой обработки металлическая проводимость в омическом контакте не наблюдается, что предположительно связано с локальным разогревом металлических включений Ga при воздействии микроволнового излучения и формированием, вследствие большой химической активности жидкого галлия, его соединений с другими компонентами металлизации. Температурная зависимость rho[c] в этом случае определяется обычными механизмами токопереноса. После 9 месяцев хранения при комнатной температуре температурная зависимость rho[c] описывается туннельным механизмом токопереноса.

Доп.точки доступа:
Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Витусевич, С. А.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Лебедев, А. А.; Миленин, В. В.; Свешников, Ю. Н.; Шеремет, В. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

К вопросу однородности свойств CVD-пленок 4H-SiC [Текст] / А. М. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 1002-1006. : ил. - Библиогр.: с. 1006 (9 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
CVD-пленки -- электрофизические свойства -- радиационные дефекты -- РД -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- первично выбитые атомы -- ПВА -- глубокие центры -- ГЦ -- облучение электронами -- электронное облучение -- протоны -- ядерная спектрометрия -- проводимость -- компенсация проводимости -- 4H-SiC
Аннотация: Для выявления неоднородности электрофизических свойств CVD-пленок 4H-SiC использованы физико-химические реакции, возникающие при введении радиационных дефектов структуры. Первично выбитые из узлов решетки атомы и вакансии активно взаимодействуют с примесями и дефектами исходного материала, формируя конечную систему радиационных центров. Облучение велось электронами с энергией 900 кэВ, протонами с энергией 8 МэВ в области доз, не приводящих к компенсации проводимости (менее 7. 5x10{12} см{-2}), а также дозой 6x10{14} см{-2}, вызывающей глубокую компенсацию. Использование емкостных методов, несмотря на усреднение характеристик по площади, выявило неидентичность характеристик образцов размерами ~3 мм. С применением техники ядерной спектрометрии, позволяющей осуществить микрозондирование образца, обнаружено индивидуальное поведение отдельных участков пленки масштабом до десятков мкм{2}.

Доп.точки доступа:
Иванов, А. М.; Строкан, Н. Б.; Щербов, Н. А.; Лебедев, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Фетисова, Т. А.
Лебедев А. А. Лондон - столица искусства? [Текст] : [реферат] / Т. А. Фетисова // Культурология. - 2010. - N 3. - С. 101-103. . - Реф. ст.: Лебедев А. А. Лондон - столица искусства?

УДК

^a73/76

^a061.4

ББК 85.10 + 79.17
Рубрики: Изобразительное искусство и архитектура
   Изобразительное искусство в целом--Великобритания--Лондон, 21 в. нач.
   Музейное дело. Музееведение
   Выставки. Выставочное дело--Великобритания--Лондон, 21 в. нач.
Кл.слова (ненормированные):
художники -- живописцы -- выставки картин -- музеи -- современное искусство -- рефераты
Аннотация: Автор реферируемой статьи рассматривает Лондон как центр мирового современного изобразительного искусства.

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А. \.\
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-16

Тематический навигатор

Статистика за 19.08.2024
Число запросов	23783
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)