Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (4)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Кукушкин, В. А.$<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Кукушкин, В. А.
Перестраиваемый безинверсный лазер дальнего инфракрасного и терагерцового диапазона на квантовых точках [Текст] / В. А. Кукушкин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 9. - С. 524-527

УДК

^a621.371.8

ББК 32.86-5
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовые приборы
Кл.слова (ненормированные):
лазеры -- квантовые точки -- частота излучения лазера -- интенсивность оптической накачки -- безинверсный механизм усиления -- модифицированная трехуровневая лестничная схема -- дипольно запрещенный переход
Аннотация: Предложен лазер на квантовых точках, частота генерации которого может плавно перестраиваться в пределах дальнего инфракрасного и терагерцового диапазонов в результате изменения интенсивности оптической накачки. Его работа возможна при комнатной температуре и основана на безинверсном механизме усиления в предложенной модифицированной трехуровневой "лестничной" схеме, где частота накачки равна частоте дипольно запрещенного перехода с основного на второй возбужденный уровень.

Найти похожие

Кукушкин, В. А.
Генерация терагерцевого излучения в высококачественных алмазных образцах [Текст] / В. А. Кукушкин // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 9. - С. 1716-1721. - Библиогр.: с. 1721 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
терагерцевое излучение -- пороги генерации -- лазеры -- THz-излучения -- излучения THz -- излучения СВЧ -- СВЧ излучения
Аннотация: Рассмотрен метод генерации терагерцевого излучения, основанный на создании спектрально ограниченной инверсии населенностей между подзонами легких и тяжелых дырок в валентной зоне полупроводников. Указанная инверсия достигается помещением образца в статическое магнитное поле и накачкой его переменным электрическим полем, резонансным с циклотронной частотой тяжелых дырок. В результате при достаточно малой концентрации дырок, когда обмен энергии между ними менее эффективен, чем обмен с решеткой, происходит существенный нагрев тяжелых дырок при практически неизменной функции распределения легких дырок. Низкая концентрация дырок, однако, приводит к достаточно малому коэффициенту усиления терагерцевого поля, который может превысить его потери лишь в высококачественных алмазных образцах, практически прозрачных в терагерцевом диапазоне. Важным преимуществом рассматриваемого метода генерации терагерцевого излучения по сравнению с предложенными ранее является возможность его реализации при комнатной температуре, что значительно повышает его привлекательность для практического применения, особенно в биологии и медицине.

Найти похожие

Кукушкин, В. А.
Безынверсное усиление излучения в полупроводниковых наноструктурах: путь к созданию частотно-перестраиваемого лазера дальнего инфракрасного и терагерцового излучения [Текст] / В. А. Кукушкин // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1483-1488. : ил. - Библиогр.: с. 1488 (26 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые структуры -- инфракрасное излучение -- терагерцовое излучение -- лазеры -- сверхрешетки -- квантовые ямы -- электромагнитное поле -- волноводы -- комнатная температура -- фундаментальные исследования -- безынверсные усилители
Аннотация: Предложена схема усилителя или лазера дальнего инфракрасного и терагерцового диапазона на полупроводниковой наноструктуре - сверхрешетке из двойных квантовых ям определенной архитектуры, помещенной в планарный металлический волновод и накачиваемой излучением CO[2]-лазера. Данная схема основана на безынверсном механизме усиления электромагнитного поля, который позволяет перейти к работе при комнатной температуре (в импульсном режиме) и значительно (более чем в 1. 7 раза) менять частоту выходного излучения с помощью простого варьирования интенсивности накачки. Основанный на такой схеме лазер может стать удобным и легко перестраиваемым источником дальнего инфракрасного и терагерцового излучения как для фундаментальных исследований, так и для различных практических приложений.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Кукушкин, В. А.
Радиационное время жизни экситонов Ванье-Мотта в нанокластерах полупроводников с прямой и непрямой зонными структурами [Текст] / В. А. Кукушкин // Известия вузов. Радиофизика. - 2013. - Т. 56, № 7. - С. 494-504 : 1 рис. - Библиогр.: с. 503-504 (20 назв. ) . - ISSN 0021-3462

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
экситоны Ванье - Мотта -- Ванье - Мотта экситоны -- экситоны Мотта - Ванье -- Мотта - Ванье экситоны -- нанокластеры -- прямая зонная структура -- непрямая зонная структура -- радиационное время жизни -- полупроводники
Аннотация: В работе вычислено радиационное время жизни экситонов Ванье-Мотта в потенциальных ямах, сформированных нанокластерами узкозонных полупроводников в широкозонных материалах.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	52696
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)