Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Задорожный, В. Г.$<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.


    Задорожный, В. Г.
    Об аналитичности решения плоской упругопластической задачи [Текст] / В. Г. Задорожный, А. В. Ковалев, А. Н. Спорыхин // Известия РАН. Механика твердого тела. - 2008. - N 1 : Январь-февраль. - С. 138-146. - Библиогр.: с. 146 . - ISSN 1684-2634
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
механика деформируемых тел -- упругопластические задачи -- теория идеальной пластичности -- цилиндрическая труба
Аннотация: В работе в рамках метода возмущений определено напряженное состояние в цилиндрической трубе, подверженной действию внешнего и внутреннего давлений с границами, близкими к круговым. Показаны решения задачи. Дано сравнение полученных результатов с известными.


Доп.точки доступа:
Ковалев, А. В.; Спорыхин, А. Н.

Найти похожие

2.


   
    Статистический метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках [Текст] / Е. А. Татохин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1031-1037. : ил. - Библиогр.: с. 1037 (8 назв. )
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
глубокие уровни -- ГУ -- релаксационная спектроскопия глубоких уровней -- РСГУ -- DLTS -- метод релаксационной спектроскопии -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- запрещенные зоны -- изометрическая релаксация емкости -- ИРЕ -- статистические методы -- статистический анализ
Аннотация: Метод релаксационной спектроскопии является одним из основных методов, широко используемых для определения параметров дефектов, приводящих к возникновению глубоких уровней в запрещенной зоне полупроводникового материала. С целью повышения точности определения концентрации и параметров глубоких уровней, определяющих характер изотермической релаксации емкости, предложен статистический метод обработки результатов измерений изотермической релаксации емкости, основанный на алгоритме статистического поиска решения.


Доп.точки доступа:
Татохин, Е. А.; Каданцев, А. В.; Бормонтов, А. Е.; Задорожный, В. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 
Статистика
за 31.07.2024
Число запросов 18093
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)