Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (7)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Брудный, В. Н.$<.>)

Общее количество найденных документов : 14
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-14

Брудный, В. Н.
Электрические свойства диарсенида цинка-олова (ZnSnAs[2]), облученного ионами H\{+\} [Текст] / В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 433-435

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
изохронный отжиг -- облученный материал -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- химические примеси -- кристаллические решетки
Аннотация: Представлены результаты исследования электрофизических свойств и изохронного отжига p-ZnSnAs[2], облученного ионами H\{+\} (энергия E=5 МэВ, доза D=2x10\{16\} см\{-2\}). Определены предельные электрофизические характеристики облученного материала.

Доп.точки доступа:
Ведерникова, Т. В.

Найти похожие

Брудный, В. Н.
Электронные свойства и закрепление уровня Ферми в облученных полупроводниках II-IV-V[2] [Текст] / В. Н. Брудный // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1187-1194 : ил. - Библиогр.: с. 1194 (31 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- полупроводники группы II-IV-V[2] -- высокоэнергетические частицы -- электроны -- протоны -- нейтроны -- облучение -- высокоэнергетическое облучение -- тройные полупроводниковые соединения -- электрические свойства -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- экспериментальные данные
Аннотация: Представлены экспериментальные данные по электронным свойствам полупроводников группы II-IV-V[2], облученных высокоэнергетическими частицами - электронами, протонами и нейтронами. Проведена оценка предельных электрических характеристик облученных тройных полупроводников сравнительно с соответствующими данными для их бинарных аналогов III-V. Особое внимание уделено оценке предельного положения уровня Ферми F[lim] в облученных соединениях II-IV-V[2], представлены данные расчетов энергетического положения собственного уровня локальной зарядовой нейтральности.

Найти похожие

Брудный, В. Н.
Зарядовая нейтральность в полупроводниках: дефекты, границы раздела, поверхность [Текст] / В. Н. Брудный // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 7. - С. 27-29 : табл. - Библиогр.: c. 29 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
границы раздела -- дефекты полупроводников -- зарядовая нейтральность -- поверхность полупроводников -- полупроводники -- уровень зарядовой нейтральности -- электронные свойства
Аннотация: Представлены обобщающие данные экспериментальных и теоретических исследований зарядовой нейтральности в полупроводниковых материалах. Показано, что уровень зарядовой нейтральности (charge neutrality level) определяет электронные свойства объема полупроводника, насыщенного собственными дефектами решетки, электронное состояние поверхности полупроводника, а также, в значительной степени, высоту барьера металл/полупроводник и разрывы энергетических зон в полупроводниковых гетеропарах.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Брудный, В. Н.
Влияние жесткой радиации на электронные, оптические и рекомбинационные свойства соединений (Al, Ga, In)-P, (Al, Ga)-As и их твердых растворов [Текст] / В. Н. Брудный // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8. - С. 37-39 : табл. - Библиогр.: c. 39 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
AlAs -- AlP -- GaAs -- GaP -- InP -- лазерные структуры -- радиационная деградация -- радиационные дефекты -- светодиодные гетероструктуры -- светодиодные структуры -- светодиоды -- свойства полупроводников -- уровень зарядовой нейтральности
Аннотация: Представлены данные экспериментальных и теоретических исследований электронных, оптических и рекомбинационных свойств AlP, InP, GaP, AlAs, GaAs и их твердых растворов, подвергнутых воздействию жесткой радиации. Проанализировано влияние жесткой радиации на свойства лазерных и светодиодных структур на основе этих материалов.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Спектры электролюминесценции "красных" светодиодов AlGaInP/GaAs [Текст] / А. А. Мармалюк [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8. - С. 40-43 : рис. - Библиогр.: c. 43 (3 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.32

ББК 31.294
Рубрики: Энергетика
Электрическое освещение. Светотехника
Кл.слова (ненормированные):
алюминий-галлий-индий-фосфор -- квантовая яма -- красная область спектра -- красные светодиоды -- металлорганическая эпитаксия -- светодиодные структуры -- светодиоды AlGaInP -- спектры электролюминесценции "красных" светодиодов
Аннотация: Представлены результаты исследований спектров электролюминесценции «красных» светодиодных структур AlGalnP/GaAs, выращенных с использованием технологии МОСГФЭ. Выявлена высокая однородность состава твердого раствора в квантовых ямах GaInP исследованных структур.

Доп.точки доступа:
Мармалюк, А. А.; Горлачук, П. В.; Рябоштан, Ю. Л.; Брудный, В. Н.; Прудаев, И. А.; Романов, И. С.; Леликов, М. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (Al_xGa_(1-х))_0.5In_0.5P/(Al_0.54Ga_0.46 )_0.5In_0.5P [Текст] / И. А. Прудаев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 7. - С. 48-51 : рис. - Библиогр.: c. 51 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперная характеристика -- гетероструктуры -- диффузионный перенос заряда -- квантовые ямы -- множественные квантовые ямы -- мощность излучения светодиодов -- перенос зарядов -- светодиоды
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований прямых вольт-амперных характеристик светодиодов с активной областью из множественных квантовых ям (Al_xGa_ (1-х) ) _0. 5In_0. 5P/ (Al_0. 54Ga_0. 46 ) _0. 5In_0. 5P. Эксперимент показал, что увеличение числа квантовых ям и уменьшение содержания Al в твердом растворе (Al_xGa_ (1-х) приводят к росту прямого тока при фиксированном напряжении. Согласно проведенному анализу, интерпретация полученного результата возможна при использовании теории диффузионного переноса заряда в двойной гетероструктуре с узкозонным слоем, толщина которого многократно превышает толщину одной квантовой ямы. Предложенный подход учитывает перенос носителей в активной области с множественными квантовыми ямами за счет их туннелирования через барьеры.

Доп.точки доступа:
Прудаев, И. А.; Олейник, В. Л.; Романов, И. С.; Брудный, В. Н.; Рябоштан, Ю. Л.; Горлачук, П. В.; Мармалюк, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al_2O_3 на их оптические характеристики [Текст] / И. С. Романов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 7. - С. 110-113 : рис., табл. - Библиогр.: c. 113 (11 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.382

^a535.2/.3

ББК 32.852 + 22.343
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы
   Физическая оптика
   Физика
Кл.слова (ненормированные):
барьерные слои GaN -- квантовая эффективность -- напряженность электрического поля -- оптические характеристики -- светодиодные гетероструктуры -- фотолюминесценция
Аннотация: Представлены результаты численного и экспериментального исследования напряженности электрического поля, длины волны фотолюминесценции и внутренней квантовой эффективности светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN синего свечения с множественными квантовыми ямами InGaN и с толщиной барьерных слоев GaN 3, 10 и 15 нм. Показано, что уменьшение толщины барьерных слоев GaN приводит к коротковолновому сдвигу длины волны излучения светодиодных структур и росту внутренней квантовой эффективности структуры в области высокой плотности мощности накачки.

Доп.точки доступа:
Романов, И. С.; Прудаев, И. А.; Брудный, В. Н.; Копьев, В. В.; Новиков, В. А.; Мармалюк, А. А.; Курешов, В. А.; Сабитов, Д. Р.; Мазалов, А. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Брудный, В. Н.
Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела [Текст] / В. Н. Брудный // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 11. - С. 121-126 : рис., табл. - Библиогр.: c. 125-126 (51 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.26

^a621.315.55/.58

ББК 22.361 + 31.232
Рубрики: Физика
   Энергетика
   Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики
   Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
барьер-металлы -- зарядовая нейтральность -- нитрид галлия -- полупроводниковые материалы -- энергетические спектры
Аннотация: Анализ экспериментальных данных выявил зависимость высоты барьера металл/n-GaN GaN (0001) от работы выхода металла, как и предсказывает модель, которая учитывает уровень зарядовой нейтральности полупроводника. В случае барьеров металл/p-GaN (Mg) имеет место значительный разброс соответствующих экспериментальных данных и закрепление приповерхностного уровня Ферми вблизи E_v + 2. 5 эВ в большинстве структур, что обусловлено влиянием высокой плотности интерфейсных дефектных состояний, сформированных в процессе легирования GaN примесью Mg.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки [Текст] / И. А. Прудаев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 7. - С. 19-22 : рис., табл. - Библиогр.: c. 22 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.318.1

^a535.37

ББК 31.235 + 22.345
Рубрики: Энергетика
   Магнитные материалы и изделия
   Физика
   Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
внутренний квантовый выход -- квантовые ямы -- короткопериодные сверхрешетки -- нитрид галлия/индия -- светодиодные гетероструктуры -- светодиоды -- светодиоды синего диапазона волн -- фотолюминесценция
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований внутреннего квантового выхода фотолюминесценции светодиодных гетероструктур синего диапазона длин на основе множественных квантовых ям In[y]Ga[1-y]N/GaN с короткопериодными сверхрешетками In[y]Ga[1-y]N/GaN с малым содержанием In при высоких уровнях оптической накачки. Введение сверхрешетки In[y]Ga[1-y]N/GaN со стороны n -области светодиодной гетероструктуры In[x]Ga[1-x]N/GaN позволяет повысить значение ее внутреннего квантового выхода предположительно за счет уменьшения квантового эффекта Штарка и снижения темпа оже-рекомбинации.

Доп.точки доступа:
Прудаев, И. А.; Романов, И. С.; Копьев, В. В.; Брудный, В. Н.; Мармалюк, А. А.; Курешов, В. А.; Сабитов, Д. Р.; Мазалов, А. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Брудный, В. Н.
Bn, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование [Текст] / В. Н. Брудный // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 12. - С. 178-181 : табл. - Библиогр.: c. 181 (30 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
AlN -- Bn -- GaN -- InN -- дефектные полупроводники -- зарядовая нейтральность -- легирование химическими примесями -- металл/III-N -- полупроводниковые соединения -- собственный уровень зарядовой нейтральности -- электронные свойства
Аннотация: Анализ экспериментальных и расчетных данных, выполненный на основе концепции зарядовой нейтральности, позволяет численно оценить электронные свойства сильно дефектных полупроводников, высоту барьера для структур металл/III-N и разрывы зон в гетеропарах на основе нитридных соединений, а также поверхностную работу выхода и пределы уровня легирования данных соединений изоморфными примесями.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-14

Тематический навигатор

Статистика за 02.09.2024
Число запросов	29051
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)