Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:БД "Статьи" (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Барышников, В. И.$<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.


    Барышников, В. И.
    Эффективность генерации и самосложения частот линий лазерного излучения при диодной накачке кристаллов Er: BaY[2]F[8] [Текст] / В. И. Барышников, С. Н. Веснина, А. А. Шестаков // Известия РАН. Серия физическая. - 2017. - Т. 81, № 9. - С. 1238-1242. - Библиогр.: c. 1242 (10 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 22.34
Рубрики: Физика
   Оптика в целом

Кл.слова (ненормированные):
диодная накачка кристаллов -- лазерное излучение -- электронные переходы
Аннотация: Исследованы особенности генерации линий лазерного излучения при диодной накачке кристаллов Er: BaY[2]F[8]. Линии синего, фиолетового и УФ-лазерного излучения наиболее эффективно формируются путем нелинейного самосложения частот линий индуцированного излучения Er3+ на 541 и 553 нм с соответствующими частотами ИК-линии Er{3+} при накачке кристаллов Er: BaY[2]F[8] излучением лазерного диода с длиной волны 972 нм.


Доп.точки доступа:
Веснина, С. Н.; Шестаков, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

2.


    Барышников, В. И.
    Создание Ti:Al[2]O[3]-сред пинчеванными ионными пучками электрон-Ti{n+} [Текст] / В. И. Барышников, В. Л. Паперный, И. В. Шипаев // Известия РАН. Серия физическая. - 2017. - Т. 81, № 9. - С. 1253-1257 : рис. - Библиогр.: c. 1257 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 22.34
Рубрики: Физика
   Оптика в целом

Кл.слова (ненормированные):
имплантация ионов титана -- кристаллы сапфира -- оксидные кристаллы -- пинчеванные электронные пучки
Аннотация: Исследованы процессы коллективного ускорения многозарядных ионов титана на пинчеванных электронных пучках и механизмы имплантации ионов титана в кристаллы сапфира. При облучении кристаллов сапфира сильноточными пикосекундными ионными пучками электрон-Ti{n+} достигнута эффективная имплантация ионов Ti{3+}, которые ударным путем встраиваются на регулярные позиции кристаллической решетки, замещая Al{3+}-ионы.


Доп.точки доступа:
Паперный, В. Л.; Шипаев, И. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

3.


    Горева, О. В.
    Особенности генерации второй гармоники фемтосекундных импульсов в двуосных кристаллах [Текст] / О. В. Горева, В. И. Барышников // Известия РАН. Серия физическая. - 2017. - Т. 81, № 9. - С. 1274-1278. - Библиогр.: c. 1278 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 22.34
Рубрики: Физика
   Оптика в целом

Кл.слова (ненормированные):
генерация второй гармоники -- двуосные кристаллы -- световые импульсы -- фазовый синхронизм -- фемтосекундные импульсы
Аннотация: Исследованы особенности генерации второй гармоники (ГВГ) в двуосных кристаллах при накачке сфокусированным излучением фемтосекундного лазера. При уменьшении длительности фемтосекундных импульсов эффективность ГВГ возрастает за счет увеличения числа реализаций нелинейных взаимодействий световых волн, а разрастание пятна ГВГ объясняется увеличением дисперсии углов фазового синхронизма.


Доп.точки доступа:
Барышников, В. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

4.


    Барышников, В. И.
    Генерация и нелинейное самосложение частот лазерного излучения при высокоэнергетической диодной накачке Er:BaY[2]F[8]-кристаллов [Текст] / В. И. Барышников, О. Л. Никонович, А. А. Шестаков // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 7. - С. 79-82 : рис. - Библиогр.: с. 82 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 22.343 + 32.86
Рубрики: Физика
   Физическая оптика

   Радиоэлектроника

   Квантовая электроника

Кл.слова (ненормированные):
генерация линий лазерного излучения -- генерация частот лазерного излучения -- диодная лазерная накачка -- диодная накачка -- индуцированное излучение -- квантовая электроника -- лазерное излучение -- самосложение частот
Аннотация: Исследованы особенности генерации линий лазерного излучения при высокоэнергетической диодной накачке кристаллов Er: BaY[2]F[8]. Линии УФ и видимого лазерного излучения эффективно формируются путем нелинейного самосложения частот линий индуцированного излучения Er{3+} на 541 и 553 нм с соответствующими частотами ИК-линий Er{3+} при накачке кристаллов Er: BaY[2]F[8] пучком лазерного диода с длиной волны 457 нм.


Доп.точки доступа:
Никонович, О. Л.; Шестаков, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 
Статистика
за 31.07.2024
Число запросов 158891
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)