Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (6)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Багаев, В. С.$<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Багаев, В. С.
Рассеяние неравновесных акустических фононов в чистом крупнозернистом ZnSe с микродвойниковой хаотической структурой [Текст] / В. С. Багаев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 7. - С. 1183-1188. - Библиогр.: с. 1188 (10 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
акустические фононы -- неравновесные акустические фононы -- рассеяние акустических фононов -- свободный пробег фононов -- фононы -- фотолюминесценция
Аннотация: Исследовано распространение неравновесных акустических фононов в крупнозернистом ZnSe, полученном химическим синтезом из паровой фазы как при оптической генерации фононов, так и при их генерации металлическим нагревателем. Материал характеризуется микродвойниковой структурой внутри хаотически ориентированных зерен. Исследования фононного транспорта в сочетании с низкотемпературной фотолюминесценцией, оптической и электронной микроскопией, а также рентгеноструктурным анализом позволили установить определяющую роль протяженных дефектов в процессах рассеяния высокочастотных акустических фононов в этом материале.

Доп.точки доступа:
Галкина, Т. И.; Шарков, А. И.; Клоков, А. Ю.; Мартовицкий, В. П.; Кривобок, В. С.; Клевков, Ю. В.; Черноок, С. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Фотолюминесценция кремния после осаждения поликристаллических пленок алмаза [Текст] / Д. Ф. Аминев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1199-1203 : ил. - Библиогр.: с. 1203 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- ФЛ -- низкотемпературная фотолюминесценция -- кремний -- кремниевая подложка -- подложка кремния -- пленки -- поликристаллические пленки -- алмазные пленки -- алмазы -- поликристаллические алмазы -- осаждение пленок алмаза -- микроволновые плазмы -- излучение -- дислокационное излучение -- дислокации -- химико-механическая полировка -- адгезия -- спектры -- спектры фотолюминесценции
Аннотация: Исследована низкотемпературная (5 К) фотолюминесценция в области 0. 8-1. 2 эВ подложек кремния до и после осаждения пленок поликристаллического алмаза. Алмазные пленки осаждались в микроволновой плазме при температуре 750-850°С на чистый (р ~ ЗкОм x см) бездислокационный кремний, подвергнутый механической полировке или более совершенной химико-механической полировке. В спектре фотолюминесценции образцов, в которых кремниевая подложка подвергалась химико-механической полировке, регистрируются линии D[1] и D[2], связанные с дислокационным излучением. Возникновение дислокаций в этих подложках определяется хорошей адгезией алмазной пленки и, как следствие, появлением внутренних напряжений, релаксирующих в виде дислокаций. Полученные спектры практически идентичны спектрам фотолюминесценции, измеренным для кремния (р ~ 100 Ом x см) с плотностью дислокаций ~10{4}см{-2}.

Доп.точки доступа:
Аминев, Д. Ф.; Багаев, В. С.; Галкина, Т. И.; Клоков, А. Ю.; Кривобок, В. С.; Ральченко, В. Г.

Найти похожие

Эффект компенсации в нелегированном поликристаллическом CdTe, синтезированном в неравновесных условиях [Текст] / В. С. Багаев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 8. - С. 1479-1487. . - Библиогр.: с. 1478 (27 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
поликристаллы -- неравновесные условия -- быстрая кристаллизация -- эффект компенсации
Аннотация: В нелегированном поликристаллическом CdTe, полученном в процессах быстрой кристаллизации, обнаружен эффект компенсации, приводящей к возрастанию удельного сопротивления до 10{8} -10{10} Omega·cm при концентрации фоновых примесей ~10{15} cm{-3}. Для отдельных образцов этот эффект сопровождается появлением незатухающей фотопроводимости, исчезающей при температуре ~200 K. Показано, что для всех исследованных поликристаллов реализуется трехуровневый механизм компенсации, в котором основные свойства материала определяют глубокие доноры и/или акцепторы с концентрацией 10{12} cm{-3}.

Доп.точки доступа:
Багаев, В. С.; Клевков, Ю. В.; Колосов, С. А.; Кривобок, В. С.; Шепель, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Многокомпонентная структура электронно-дырочной жидкости в мелких квантовых ямах SiGe/Si [Текст] / С. Н. Николаев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 4. - С. 486-489. - Библиогр.: c. 489 (5 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a538.958

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
двумерный электронный газ -- ИК-спектроскопия -- квантовые ямы -- фотолюминесценция -- электронно-дырочная жидкость
Аннотация: Исследована тонкая структура спектральных линий фотолюминесценции квазидвумерной электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ) в напряженных гетероструктурах, содержащих квантовые ямы SiGe/Si. Показано, что особенности, наблюдаемые в спектрах двухчастичной (ИК-диапазон) и четырехчастичной (видимый диапазон) рекомбинации объясняются наличием и тяжелых, и легких дырок в конденсированной фазе. Сравнение расчетных и экспериментальных спектров фотолюминесценции ЭДЖ позволило определить ее основные параметры (плотность, работа выхода пары частиц) и расщепление легкая - тяжелая дырка в Г-точке для квантовых ям, содержащих 3. 7-5. 1% Ge.

Доп.точки доступа:
Николаев, С. Н.; Багаев, В. С.; Кривобок, В. С.; Давлетов, Э. Т.; Гуляшко, А. С.; Копытов, Г. Ф.; Васильченко, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Экситонная люминесценция бислоев WSe[2] [Текст] / В. С. Багаев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 6. - С. 88-93. - Библиогр.: с. 93 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a537.311.33

^a535.2/.3

ББК 22.379 + 22.343
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
бислои диселенид вольфрама -- диселенид вольфрама -- дихалькогениды переходных металлов -- люминесценция -- многочастичные эффекты -- слоистые полупроводники -- фотолюминесценция бислоев -- экситоны
Аннотация: С помощью top-down-технологии на SiO2/Si-подложках получены пленки WSe[2] толщиной в два монослоя. Толщины и состав пленок подтверждены измерениями спектров комбинационного рассеяния света, фотолюминесценции и интерференционного контраста в трех RGB-каналах. Исследована люминесценция бислоев WSe[2] при уменьшении температуры до 5 К. Показано, что при низких температурах тонкая структура спектра излучения вблизи прямого края собственного поглощения определяется рекомбинацией А-экситонов, находящихся в основном или возбужденном состоянии, а также различными комплексами (трионами и экситонами, связанными на дефектах) с их участием. Спектр излучения вблизи непрямого края фундаментального поглощения описан в рамках представлений о процессах экситонной люминесценции, при которых энергия и импульс экситона передаются фононам, соответствующим V-точке зоны Бриллюэна. Обсуждается возможный вклад электронно-дырочной жидкости в спектр излучения.

Доп.точки доступа:
Багаев, В. С.; Николаев, С. Н.; Кривобок, В. С.; Чернопицский, М. А.; Васильченко, А. А.; Копытов, Г. Ф
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	93834
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)