Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (16)

БД "Статьи" (250)

Труды АМГУ (29)

Выпускные квалификационные работы (8)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=Si<.>)

Общее количество найденных документов : 178
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Якимов, А. И.
Дырочные состояния в искусственных молекулах, образованных вертикально сопряженными квантовыми точками Ge/Si [Текст] / А. И. Якимов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, N 9. - С. . 527-532

УДК

^a53

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки Ge/Si -- дырочные состояния -- искусственные молекулы -- упругие деформации -- межатомный потенциал Киттинга -- Киттинга межатомный потенциал
Аннотация: В приближении сильной связи исследованы пространственная конфигурация основного состояния и энергия связи дырки в "двухатомной'' искусственной молекуле, образованной вертикально сопряженными квантовыми точками Ge/Si (001). Учтено неоднородное пространственное распределение упругих деформаций в среде, возникающих из-за различия параметров решетки Ge и Si. Расчет деформаций выполнен в рамках модели поля валентных сил с использованием межатомного потенциала Китинга.

Доп.точки доступа:
Михалев, Г. Ю.; Ненашев, А. В.; Двуреченский, А. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Леушин, А. М.
Кристаллическое поле тетрагональных центров иона Yb{3+} в интерметаллиде YbRh[2]Si[2] [Текст] / А. М. Леушин, В. А. Иваньшин, И. Н. Куркин // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1352-1355. - Библиогр.: с. 1355 (24 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
интерметаллидные соединения -- интерметаллиды -- кристаллическое электрическое поле -- неупругое нейтронное рассеяние -- ННР -- спектры ЭПР -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР
Аннотация: Приведена интерпретация спектров электронного парамагнитного резонанса и неупругого нейтронного рассеяния в кристаллах тяжелофермионного интерметаллического соединения YbRh[2]Si[2]. Из экспериментальных схем уровней энергии определены феноменологические потенциалы кристаллического электрического поля тетрагональных центров иона Yb{3+}, а также параметр гамильтониана спин-орбитального взаимодействия электронов. Сопоставление результатов, полученных из данных измерений этими методами, а также с помощью мессбауэровской спектроскопии, показывает, что наиболее вероятным основным состоянием этого иона в YbRh[2]Si[2] является состояние Г{-}[t6].

Доп.точки доступа:
Иваньшин, В. А.; Куркин, И. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Сошников, И. П.
Особенности картин электронной дифракции нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных на подложках Si (100) и (111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / И. П. Сошников [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1373-1377. - Библиогр.: с. 1377 (23 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
двойникование кристаллов -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- нитевидные нанокристаллы -- фазовые переходы -- фазовые переходы вюрцит/сфалерит -- электронная дифракция
Аннотация: Методом дифракции быстрых электронов на отражение проведено исследование кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (111) и Si (100). Установлено, что дифракционные картины в обоих случаях содержат суперпозицию систем рефлексов, характерных для гексагональной (вюрцит и/или 4H) и кубической (сфалерит) фаз GaAs. Показано, что при росте на Si (111) формируются нитевидные нанокристаллы с гексагональной (вюрцит и/или 4H) и кубической (сфалерит) фазами с одной и двумя ориентациями соответственно. В случае роста на подложках Si (100) обнаружена система нитевидных нанокристаллов GaAs с кубической фазой и пятью различными ориентациями, а также гексагональной фазы с восемью ориентациями в плоскостях подложки типа (110). Проявление двойственной кристаллической структуры в нитевидных нанокристаллах объясняется фазовыми переходами вюрцит-сфалерит и/или двойникованием кристаллов.

Доп.точки доступа:
Цырлин, Г. Э.; Тонких, А. А.; Неведомский, В. Н.; Самсоненко, Ю. Б.; Устинов, В. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Варнаков, С. Н.
Размерные эффекты и намагниченность многослойных пленочных наноструктур (Fe/Si) [n] [Текст] / С. Н. Варнаков [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1401-1405. - Библиогр.: с. 1405 (26 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
метод термического испарения -- многослойные пленочные наноструктуры -- монокристаллический кремний -- намагниченность -- наноструктуры -- подложки монокристаллического кремния -- слоистые наноструктуры
Аннотация: Приводятся результаты исследований температурной зависимости намагниченности многослойных пленок (Fe/Si) [n] со слоями нанометровых толщин. Пленки получены методом термического испарения в сверхвысоком вакууме на подложках монокристаллического кремния Si (100) и Si (111). Обнаружена зависимость величины намагниченности и ее температурного хода в пленках (Fe/Si) [n] от толщины индивидуального слоя Fe. Показано, что эта зависимость является следствием образования химического интерфейса на границах раздела Fe-Si. Оценены характеристики интерфейса в пленках (Fe/Si) [n].

Доп.точки доступа:
Bartolome, J.; Sese, J.; Овчинников, С. Г.; Комогорцев, С. В.; Паршин, А. С.; Бондаренко, Г. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Кричевцов, Б. Б.
Магнитные и магнитооптические свойства эпитаксиальных пленок кобальта, выращенных на гофрированной поверхности CaF[2]/Si [Текст] / Б. Б. Кричевцов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1410-1420. - Библиогр.: с. 1420 (19 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
анизотропия -- гетероструктуры -- гофрированная поверхность -- магнитооптическая анизотропия -- намагниченность -- оптическая анизотропия -- петли гистерезиса -- пленки -- пленки кобальта -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: Приведены результаты исследования магнитных свойств гетероструктур CaF[2]/Co/CaF[2] (100) /Si (001), полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и имеющих гофрированную поверхность буферного слоя CaF[2]. Оптические и магнитооптические свойства исследованных структур отражают C[2v]-симметрию поверхности гофрированной структуры. Изучение петель гистерезиса с помощью меридионального и экваториального магнитооптических эффектов Керра при наклонном падении, а также магнитооптических явлений в отражении при падении света, близком к нормальному, показало, что присутствие гофрированной структуры поверхности приводит к оптической и магнитооптической анизотропии. Процесс намагничивания таких структур в широком диапазоне магнитных полей происходит путем когерентного вращения намагниченности. Магнитная анизотропия структур описывается при учете гауссовского распределения осей легкого намагничивания в гранулах кобальта вокруг направления, параллельного направлению канавок. Показано, что асимметрия петель гистерезиса поворота плоскости поляризации, наблюдаемая при наклонном и нормальном падении света, связана с проявлением квадратичных по магнитному моменту вкладов и эффективную диэлектрическую проницаемость пленок.

Доп.точки доступа:
Кавеев, А. К.; Баланеев, А.; Соколов, Н. С.; Camarero, J.; Miranda, R.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Кулеев, И. Г.
Анизотропия поглощения поперечного ультразвука в кубических кристаллах Ge, Si и алмаза с различным изотопическим составом [Текст] / И. Г. Кулеев, И. И. Кулеев // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1568-1575. - Библиогр.: с. 1575 (23 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
ангармонический процесс рассеяния -- анизотропия -- изотопический процесс рассеяния -- кубические кристаллы -- Ландау-Румера механизм -- механизм Ландау-Румера -- поглощение поперечного ультразвука -- поперечный ультразвук
Аннотация: Рассмотрено поглощение поперечного ультразвука в кристаллах германия, кремния и алмаза в условиях конкуренции изотопического и ангармонических процессов рассеяния. Проанализированы зависимости коэффициентов поглощения поперечного ультразвука от направления волнового вектора квазипоперечных фононов в модели анизотропного континуума. Для ангармонических процессов рассеяния рассмотрен механизм Ландау-Румера. Из известных значений упругих модулей второго и третьего порядка найдены параметры, определяющие коэффициенты поглощения ультразвука для рассмотренных кристаллов с различной степенью изотопического беспорядка. Показано, что для изотопического и ангармонических процессов рассеяния угловые зависимости коэффициентов поглощения поперечного ультразвука качественно различаются. Поэтому исследование анизотропии коэффициентов поглощения ультразвука в кубических кристаллах позволяет определить доминирующий механизм релаксации ультразвука в изотопически модифицированных кристаллах.

Доп.точки доступа:
Кулеев, И. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Саидов, М. С.
Зависимость концентрации дивакансий от содержания германия в сплаве Si[1-x]Ge[x] при облучении быстрыми и медленными нейтронами [Текст] / М. С. Саидов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1582-1584. - Библиогр.: с. 1584 (13 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
германий -- дивакансии -- концентрация дивакансий -- монокристаллы твердых растворов -- облучение -- первичные радиационные дефекты -- радиационное дефектообразование
Аннотация: Представлены результаты исследования зависимости концентрации дивакансий в монокристаллах твердых растворов Si[1-x]Ge[x], введенных облучением медленными и быстрыми нейтронами от содержания германия. Показано, что в указанных составах при облучении быстрыми и медленными нейтронами роль аннигиляции первичных первичных радиационных дефектов на атомах германия снижается.

Доп.точки доступа:
Лутпуллаев, С. Л.; Юсупов, А.; Хироненко, Л. И.; Матчанов, Н. А.; Саидов, Д.; Хажиев, М. У.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Фазовые переходы в пленках a-Si: H на стекле при воздействии мощных фемтосекундных импульсов: проявление нелинейных и нетермических эффектов [Текст] / В. А. Володин [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 2. - С. 128-131

УДК

^a53

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
пленки аморфного кремния на стекле -- кремний -- фазовые переходы -- фемтосекундные импульсы -- лазерные импульсы -- спектроскопия комбинационного рассеяния света -- электронная микроскопия
Аннотация: Кристаллизация пленок аморфного кремния толщиной 90 нм на стекле при воздействии лазерных импульсов (длина волны 800 нм, длительность импульса 120 фс) исследовалась с применением методик спектроскопии комбинационного рассеяния света и электронной микроскопии. Коэффициент поглощения света с длиной волны 800 нм пленкой a-Si: H пробного маломощного излучения мал, но может вырасти вследствие нелинейных эффектов при мощном импульсе. Согласно оценкам, поглощенной в пленке энергии недостаточно для ее нагрева и полного расплава, но достаточно для генерации свободных носителей заряда с концентрацией порядка 10\{22\} см\{-3\}. Электронная и фононная температуры в этом случае сильно различаются, а кремний становится нестабильным.

Доп.точки доступа:
Володин, В. А.; Ефремов, М. Д.; Качурин, Г. А.; Черков, А. Г.; Deutschmann, M.; Baersch, N.

Найти похожие

Шерченков, Алексей Анатольевич.
Распределение зарядовых состояний в щели подвижности a-Si: H [Текст] / А. А. Шерченков, А. Б. Апальков // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 4. - С. 7-14 : граф. - Библиогр.: с. 14 (4 назв. )

УДК

^a621.311

^a621.38

ББК 31.27 + 32.85
Рубрики: Энергетика
   Электрические системы
   Радиоэлектроника
   Электроника
Кл.слова (ненормированные):
аморфные полупроводники -- полупроводники -- фотопроводимость -- зарядовые состояния -- аморфные пленки -- носители -- заряды -- переносы
Аннотация: Представлена методика моделирования фотопроводимости с учетом прыжкового механизма переноса носителей.

Доп.точки доступа:
Апальков, Александр Борисович

Найти похожие

10.

Влияние высокого давления и химического замещения на кристаллическую структуру и магнитное состояние R[\2]Fe[17-x]Si[x]\ (R = Lu, Y; x =0, 1. 7) [Текст] / Д. П. Козленко [и др. ] // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 9. - С. 675-680

УДК

^a53

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
высокое давление -- химическое замещение -- нейтронная дифракция -- интерметаллические соединения -- кристаллическая структура -- магнитное состояние
Аннотация: Методом нейтронной дифракции исследовано влияние высокого давления на кристаллическую структуру интерметаллических соединений R[2]Fe[17-x]Si[x] (R = Lu, Y; x =0, 1. 7). Проведен анализ взаимосвязи между изменениями структурных параметров и магнитных свойств при воздействии высокого давления, а также химического замещения атомов Fe на Si в рамках моделей локализованных моментов и спиновых флуктуаций. Установлено, что экспериментально наблюдаемое увеличение температуры Кюри при химическом замещении, а также ее уменьшение при воздействии высокого давления более адекватно описываются в модели спиновых флуктуаций. Обсуждаются возможные причины подавления коллинеарного ферромагнитного состояния и существования неколлинеарного антиферромагнитного состояния в R[2]Fe[17-x]Si[x] под давлением на основе оценок разницы минимумов полной энергии этих состояний.

Доп.точки доступа:
Козленко, Д. П.; Воронин, В. И.; Глазков, В. П.; Савенко, Б. Н.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	115604
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)