Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

БД "Статьи" (114)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=GaAs<.>)

Общее количество найденных документов : 110
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Смирнов, М. Б.
Численное моделирование температурной зависимости спектров фотолюминесценции квантовых точек InAs/GaAs [Текст] / М. Б. Смирнов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1126-1131. - Библиогр.: с. 1131 (13 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- массивы квантовых точек -- самоорганизованные массивы квантовых точек -- спектры фотолюминесценции -- фотолюминесценция
Аннотация: Разработана математическая модель, описывающая температурную зависимость спектров фотолюминесценции самоупорядоченных массивов квантовых точек и учитывающая электрон-фотонное взаимодействие и различные процессы переноса в системе квантовые точки-смачивающий слой-барьер. Применение модели к анализу экспериментальных спектров квантовых точек InAs, выращенных на вицинальных подложках GaAs, позволило выделить проявления в спектрах фотолюминесценции различных механизмов переноса возбуждения и связать наблюдаемые температурные зависимости спектров с особенностями строения массива квантовых точек.

Доп.точки доступа:
Талалаев, В. Г.; Новиков, Б. В.; Сарангов, С. В.; Цырлин, Г. Э.; Захаров, Н. Д.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

УДК

^a539.2

Сошников, И. П.
Особенности картин электронной дифракции нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных на подложках Si (100) и (111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / И. П. Сошников [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1373-1377. - Библиогр.: с. 1377 (23 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
двойникование кристаллов -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- нитевидные нанокристаллы -- фазовые переходы -- фазовые переходы вюрцит/сфалерит -- электронная дифракция
Аннотация: Методом дифракции быстрых электронов на отражение проведено исследование кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (111) и Si (100). Установлено, что дифракционные картины в обоих случаях содержат суперпозицию систем рефлексов, характерных для гексагональной (вюрцит и/или 4H) и кубической (сфалерит) фаз GaAs. Показано, что при росте на Si (111) формируются нитевидные нанокристаллы с гексагональной (вюрцит и/или 4H) и кубической (сфалерит) фазами с одной и двумя ориентациями соответственно. В случае роста на подложках Si (100) обнаружена система нитевидных нанокристаллов GaAs с кубической фазой и пятью различными ориентациями, а также гексагональной фазы с восемью ориентациями в плоскостях подложки типа (110). Проявление двойственной кристаллической структуры в нитевидных нанокристаллах объясняется фазовыми переходами вюрцит-сфалерит и/или двойникованием кристаллов.

Доп.точки доступа:
Цырлин, Г. Э.; Тонких, А. А.; Неведомский, В. Н.; Самсоненко, Ю. Б.; Устинов, В. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

The effect of the external lateral electric field on the luminescence intensity of InAs/GaAs quantun dots [Text] / E. S. Moshkalenko [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 10. - С. 1900-1903. - Библиогр.: с. 1903 (14 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
external lateral electric field -- luminescence -- quantun dots

Доп.точки доступа:
Moshkalenko, E. S.; Larsson, M.; Karlsson, K. F.; Holtz, P. O.; Monemar, B.; Schoenfeld, W. V.; Petroff, P. M.

Найти похожие

Роль латерального взаимодействия в гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001) -бета (2 х 4) [Текст] / Ю. Г. Галицын [и др. ] // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 7. - С. 553-557

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
гомоэпитаксия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- GaAs -- поверхность (001) -бета (2 х 4) -- латеральное взаимодействие
Аннотация: Гомоэпитаксия GaAs в молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности (001) -бета (2 х 4) рассматривается как двумерный фазовый переход первого рода от решеточного газа адсорбированных ростовых компонентов к двумерной кристаллической фазе. В рамках теории среднего поля фазового перехода определены параметры латерального взаимодействия между заполненными ячейками решеточного газа. Выявлены причины завершения роста полного монослоя (самоупорядочения), прежде чем начнется рост нового монослоя. Осцилляционные эксперименты подтверждают выводы предлагаемой теории фазового перехода в гомоэпитаксии.

Доп.точки доступа:
Галицын, Ю. Г.; Дмитриев, Д. В.; Мансуров, В. Г.; Мощенко, С. П.; Торопов, А. И.

Найти похожие

Формирование массива кластеров As в GaAs, выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой температуре и дельта-легированном фосфором [Текст] / А. В. Бойцов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 2. - С. 278-280

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
GaAs -- дельта-легирование -- фосфор -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- преципитаты -- массив кластеров
Аннотация: Методами просвечивающей электронной микроскопии проведены исследования дельта-легированных фосфором (1 монослой) пленок GaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией при температуре 200 градусов C (LT-GaAs) и изохронно отожженных при 400, 500 или 600 градусов C. Проведен анализ картины муара на электронно-микроскопических изображениях кластеров, сформированных при отжиге, изучение пространственного распределения кластеров по толщине пленки LT-GaAs. Таким образом, фосфор, будучи введенным в пленку LT-GaAs в виде дельта-слоев, по своему воздействию на пространственное распределение кластеров As подобен изовалентной примеси Al и отличается от таких изовалентных примесей как In и Sb.

Доп.точки доступа:
Бойцов, А. В.; Берт, Н. А.; Чалдышев, В. В.; Преображенский, В. В.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.

Найти похожие

Королев, А. Н.
Особенности кинетики электролитического анодирования наноструктур Ta-GaAs и Nb-GaAs [Текст] / А. Н. Королев, В. Н. Котов, Л. П. Милешко // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 1. - С. 42-44 . - ISSN 0015-3214

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- электролитическое анодирование -- комбинированные оксидные пленки -- полупроводники -- оксидные пленки металлов -- вентильные металлы -- имплантирование -- диэлектрические покрытия -- легированные диэлектрические покрытия -- двухслойные диэлектрические покрытия
Аннотация: Методом анодного окисления пленок Ta и Nb на GaAsp-типа получены комбинированные оксидные пленки металлов и полупроводника.

Доп.точки доступа:
Котов, В. Н.; Милешко, Л. П.

Найти похожие

Алтыбаев, Г. С.
Энергетическое распределение неравновесных электронов и оптических фононов в GaAs при межзонном поглощении мощных коротких импульсов света [Текст] / Г. С. Алтыбаев, С. Е. Кумеков, А. А. Махмудов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 308-310

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электронно-дырочная плазма -- оптические фоны -- межзонное поглощение -- пикосекундные импульсы света
Аннотация: Рассчитаны возмущение фермиевского распределения неравновесных электронов и распределение "горячих" оптических фононов при межзонном поглощении пикосекундных импульсов света в GaAs.

Доп.точки доступа:
Кумеков, С. Е.; Махмудов, А. А.

Найти похожие

Козырев, С. П.
ИК-спектроскопия решеточных колебаний сверхрешеток ZnTe/CdTe с квантовыми точками на подложке GaAs с буферным слоем ZnTe [Текст] / С. П. Козырев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 342-348

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
спектры решетчатого ИК-отражения -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- квантовые точки -- длинноволновая инфракрасная спектроскопия
Аннотация: Представлены результаты анализа спектров решеточного ИК-отражения от многопериодных сверхрешеток ZnTe/CdTe с квантовыми точками CdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs с буферным слоем ZnTe. Благодаря многопериодности сверхрешеток удалось наблюдать моды CdTe-подобных колебаний в "квантовых точках" - бездислокационных напряженных островках, образующихся в процессе роста при релаксации упругих напряжений между слоями ZnTe и CdTe с сильно различающимися решеточными параметрами. Сдвиги частот мод CdTe- и ZnTe-подобных колебаний относительно значений ненапряженного материала позволили оценить степень наличия упругих напряжений.

Найти похожие

10.

Фотопреобразователи на основе арсенидгаллиевых диффузионных p-n-переходов, изготовленных на микрорельефной поверхности GaAs [Текст] / А. А. Акопян [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 385-390

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотопреобразователи -- жидкофазная эпитаксия -- гетеропереходные структуры -- арсенид галлия -- селективная диффузия -- фотопоток
Аннотация: С учетом анализа массопереноса легирующей примеси (Zn) через микрорельефную поверхность GaAs методом диффузии из газовой фазы изготовлены и исследованы p-n-переходы, перспективные для фотопреобразователей. В зависимости от условий диффузии (масса диффузанта, время диффузии) возможно образование как p-n-перехода в микрорельефе, так и плоского p-n-перехода в объеме GaAs с сильно легированным приповерхностным p\{+\}-слоем. Приведены фотоэлектрические характеристики приборных структур с текстурированным p-n-переходом и тонким широкозонным окном из Al[x]Ga[1-x]As, полученным жидкофазной эпитаксией.

Доп.точки доступа:
Акопян, А. А.; Бахронов, Х. Н.; Борковская, О. Ю.; Дмитрук, Н. Л.; Едгорова, Д. М.; Каримов, А. В.; Конакова, Р. В.; Мамонтова, И. Б.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Тематический навигатор

Статистика за 19.07.2024
Число запросов	38316
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)