Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (17)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=CdTe<.>)

Общее количество найденных документов : 26
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-26

Кучеренко, И. В.
Спектры ИК-отражения структур с квантовым точками dTe/ZnTe и проявление в них свойств квантовых точек CdTe, а также эффектов взаимной диффузии [Текст] / И. В. Кучеренко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1488-1491. - Библиогр.: с. 1491 (16 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
диффузия -- квантовые точки -- локальные моды -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- спектры решеточного ИК-отражения -- фрейлиховские моды -- щелевые моды
Аннотация: Исследованы спектры ИК-отражения структур из чередующихся слоев квантовых точек CdTe и барьеров ZnTe, выращенных на буферных слоях ZnTe и CdTe/ZnTe на подложке (001) GaAs. Проведен дисперсионный анализ спектров и найдены параметры осцилляторов. Квантовые точки проявляются в спектрах в виде широкой полосы с частотой, близкой к частоте фрелиховской моды. В спектрах обнаружены также свидетельства взаимной диффузии CdTe и ZnTe - полосы, связанные с локальной модой Zn в CdTe и двумя щелевыми модами Cd в ZnTe.

Доп.точки доступа:
Виноградов, В. С.; Карчевски, Г.; Новикова, Н. Н.; Чистелли, Гауди М.; Пиччинини, М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Андронников, Д. А.
Температурное поведение экситонов и трионов в структурах с квантовыми ямами CdTe/CdMgTe [Текст] / Д. А. Андроников [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1492-1496. - Библиогр.: с. 1496 (8 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
Больцмана распределение -- квантовые ямы -- модулированное легирование -- распределение Больцмана -- спектры фотолюминесценции -- трионы -- экситон-трионная система -- экситоны
Аннотация: Изучены температурные изменения спектров фотолюминесценции в магнитном поле трионов и экситонов в квантовых ямах на основе CdTe/CdMgTe с модулированным легированием. Обнаружено, что в магнитном поле температурное перераспределение интенсивности между экситонной и трионной линиями излучения является обратным к ожидаемому в модели простого распределения Больцмана. Путем решения системы кинетических уравнений для экситон-трионной системы построены температурные зависимости интенсивности экситонных и трионных линий излучения. Обнаружено хорошее согласие расчетных зависимостей с экспериментальными.

Доп.точки доступа:
Fehr, M.; Кочерешко, В. П.; Crooker, S. A.; Karczewski, G.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Козырев, С. П.
ИК-спектроскопия решеточных колебаний сверхрешеток ZnTe/CdTe с квантовыми точками на подложке GaAs с буферным слоем ZnTe [Текст] / С. П. Козырев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 342-348

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
спектры решетчатого ИК-отражения -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- квантовые точки -- длинноволновая инфракрасная спектроскопия
Аннотация: Представлены результаты анализа спектров решеточного ИК-отражения от многопериодных сверхрешеток ZnTe/CdTe с квантовыми точками CdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs с буферным слоем ZnTe. Благодаря многопериодности сверхрешеток удалось наблюдать моды CdTe-подобных колебаний в "квантовых точках" - бездислокационных напряженных островках, образующихся в процессе роста при релаксации упругих напряжений между слоями ZnTe и CdTe с сильно различающимися решеточными параметрами. Сдвиги частот мод CdTe- и ZnTe-подобных колебаний относительно значений ненапряженного материала позволили оценить степень наличия упругих напряжений.

Найти похожие

Махний, В. П.
Механизмы прохождения прямого тока в фотодиодах Au-CdTe с модифицированной поверхностью [Текст] / В. П. Махний, Ю. Н. Бойко, Н. В. Скрипник // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 630-631

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперные характеристики -- диоды -- надбарьерное прохождение -- выпрямляющие структуры -- фотоэдс
Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики поверхностно-барьерных диодов на базе подложек n-CdTe, прошедших обработку в водной суспензии солей щелочных металлов. Установлено, что прямой ток определяется рекомбинационными процессами в области пространственного заряда и надбарьерным прохождением носителей.

Доп.точки доступа:
Бойко, Ю. Н.; Скрипник, Н. В.

Найти похожие

Набиев, Г. А.
О механизмах эффекта аномально больших фотонапряжений в пленках CdTe [Текст] / Г. А. Набиев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 926-927 : ил. - Библиогр.: с. 927 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
аномально большие напряжения -- АФН -- эффект аномально больших наряжений -- АНФ-эффект -- пленки CdTe -- пленки теллурида кадмия -- n-p переходы -- p-n-p структуры -- p-n переходы -- теллурид кадмия -- CdTe
Аннотация: Предлагается метод определения вкладов асимметрии освещения и различия параметров p-n- и n-p-переходов p-n-p-структуры на эффект аномально больших фотонапряжений в пленках теллурида кадмия.

Найти похожие

Козырев, С. П.
ИК-спектроскопия решеточных колебаний и сравнительный анализ сверхрешеток ZnTe/CdTe с квантовыми точками на подложке GaAs с буферными слоями ZnTe и CdTe [Текст] / С. П. Козырев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 943-946 : табл. - Библиогр.: с. 945 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- КТ -- инфракрасная спектроскопия -- ИК-спектроскопия -- сверхрешетки -- буферные слои -- решеточные колебания -- сверхрешетки
Аннотация: Представлен сравнительный анализ многопериодных сверхрешеток ZnTe/CdTe с квантовыми точками CdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs с буферными слоями ZnTe и CdTe. Сопоставлялись индуцированные упругими напряжениями сдвиги собственных частот мод CdTe- и ZnTe-подобных колебаний материалов, образующих аналогичные сверхрешетки, но выращенные на разных буферных слоях ZnTe и CdTe. Условия формирования квантовых точек в сверхрешетках ZnTe/CdTe на буферных слоях ZnTe и CdTe радикально отличаются.

Найти похожие

Влияние примеси хлора на длинноволновый край полосы поглощения монокристаллов CdTe [Текст] / В. Д. Попович [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 759-763 : ил. - Библиогр.: с. 763 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
спектры -- спектры поглощения -- оптические спектры -- хлор -- легирование -- монокристаллы CdTe -- CdTe монокристаллы -- теллурид кадмия -- правило Урбаха -- Урбаха правило
Аннотация: Исследованы оптические спектры поглощения номинально чистых и легированных хлором монокристаллов CdTe, выращенных модифицированным методом физического транспорта через газовую фазу, в области длинноволнового края собственного поглощения при комнатной температуре. Показано, что экспоненциальная зависимость коэффициента поглощения нелегированных и слабо легированных образцов может быть объяснена выполнением правила Урбаха. В сильно легированных кристаллах край поглощения формируется оптическими переходами с участием хвостов плотности состояний, образованных вследствие флуктуации концентрации легирующей примеси. Рассчитаны характерный энергетический размер флуктуаций примесного потенциального рельефа и концентрации заряженных центров для случая сильно легированного материала.

Доп.точки доступа:
Попович, В. Д.; Potera, P.; Вирт, И. С.; Билык, М. Ф.

Найти похожие

Исследование вольт-амперных характеристик структуры n-CdS--p-CdTe с протяженным слоем промежуточного твердого раствора [Текст] / Ш. А. Мирсагатов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 10. - С. 1917-1923. - Библиогр.: с. 1923 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперные характеристики -- гетероструктуры -- теория дрейфового механизма -- теория дрейфового механизма -- обмен свободными ностителями -- рекомбинационные комплексы -- полупроводниковые структуры
Аннотация: Приведены результаты исследований гетероструктур n-CdS-p-CdTe c протяженным слоем промежуточного твердого раствора, для которого соблюдается соотношение w/L примерно10 (w --- длина базы, L --- диффузионная длина неосновных носителей). Вольт-амперные характеристики таких структур в значительном диапазоне изменений напряжения хорошо описываются степенными закономерностями типа J~ AValpha, где показатель степени alpha меняется с ростом напряжения. Результаты объясняются в рамках теории дрейфового механизма переноса тока, учитывающей возможность обмена свободными носителями внутри рекомбинационного комплекса.

Доп.точки доступа:
Мирсагатов, Ш. А.; Лейдерман, А. Ю.; Айтбаев, Б. У.; Махмудов, М. А.

Найти похожие

Влияние толщины слоев CdTe и ZnTe на спектры катодолюминесценции в напряженных сверхрешетках CdTe/ZnTe со слоями квантовых точек [Текст] / И. В. Кучеренко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 11. - С. 2246-2250. - Библиогр.: с. 2250 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
спектральные параметры -- комбинационные рассеяния света -- квантовые точки -- люминесценция -- барьерные слои -- катодолюминесценция -- сверхрешетки
Аннотация: Исследовано влияние толщины барьерных слоев ZnTe на спектры катодолюминесцентных (КЛ) напряженных сверхрешеток CdTe/ZnTe со слоями квантовых точек CdTe, средний латеральный размер которых составляет примерно 3 nm. В образцах с толстыми барьерными слоями (30 nm, 15 nm) спектры КЛ квантовых точек представлены одной полосой с максимумом при E=2. 03 eV. Обнаружено расщепление полосы люминесценции при толщине барьерного слоя ~3 nm. Однако при толщине слоя ZnTe 1. 5 nm спектр излучения также представлен одной полосой. Результаты эксперимента интерпретируются с учетом влияния упругих двухосных деформаций на энергетические состояния легких и тяжелых дырок в слоях CdTe и ZnTe. Обнаружены 2LO-фононные повторения в спектре КЛ гетероструктуры CdTe/ZnTe с квантовыми точками при толщине осажденного слоя CdTe 1. 5 монослоев (ML) и толщине барьерного слоя 100 ML. Эффект объясняется резонансом между двухфононными LO-состояниями и разностью уровней энергии в электронном спектре фрагментов смачивающего слоя.

Доп.точки доступа:
Кучеренко, И. В.; Виноградов, В. С.; Трушин, А. С.; Карчевски, Г.

Найти похожие

10.

Изменение спектра электронных состояний в поликристаллическом p-CdTe в результате отжига в Cd и естественного старения [Текст] / С. А. Колосов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1526-1533 : ил. - Библиогр.: с. 1532 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электронные состояния -- спектры электронных состояний -- p-CdTe -- поликристаллы -- низкотемпературный синтез -- отжиг -- естественное старение (физика) -- электрические свойства -- станционарная фотопроводимость -- кинетика фотопроводимости -- температурная зависимость -- временные зависимости -- дефекты -- затухания фототоков -- фототоки
Аннотация: Исследованы электрические свойства, стационарная фотопроводимость и кинетика фотопроводимости образцов поликристаллического p-CdTe: исходного, полученного методом низкотемпературного синтеза из глубоко очищенных компонентов; отожженного в парах Cd и состаренного при комнатной температуре. Показано, что электрические свойства исходного p-CdTe определяются сложным дефектом с энергией E[v]+0. 16 эВ, который трансформируется в уровень E[v]+0. 25 эВ при отжиге в Cd и старении образцов. Обнаружены также глубокие центры E[v]+0. 6 эВ и E[v]+0. 86 эВ, определяющие процессы затухания фототока.

Доп.точки доступа:
Колосов, С. А.; Клевков, Ю. В.; Клоков, А. Ю.; Кривобок, В. С.; Шарков, А. И.

Найти похожие

1-10 11-20 21-26

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	115808
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)