Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (23)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=CDS<.>)

Общее количество найденных документов : 35
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-35

Влияние дефектного состояния образцов на спектры люминесценции облученных электронами монокристаллов CdS [Текст] / Г. Е. Давидюк [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 12. - С. 2133-2136. - Библиогр.: с. 2135-2136 (23 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
люминесценция -- монокристаллы сульфида кадмия -- облученные электронами монокристаллы -- облученные электронами монокристаллы -- радиационные дефекты -- спектры люминесценции -- сульфид кадмия -- электромагнитное излучение
Аннотация: Исследовались спектры фотолюминесценции в видимой и инфракрасной областях электромагнитного излучения облученных электронами (E = 1. 2 MeV, Ф = 2*10{17} cm{-2}) монокристаллов CdS. Для увеличения концентрации исходных структурных повреждений часть монокристаллов предварительно облучалась нейтронами (E = 2 MeV, Ф = 2*10{18} cm{-2}). На основании анализа интенсивности максимумов фотолюминесценции облученных монокристаллов с лямда[m] = 0. 72, 1. 03 и 0. 605 мюm делается вывод о наибольшей радиационной стойкости к электронной радиации малодефектных в исходном состоянии образцов CdS. Предполагается, что за наблюдаемую перестройку спектров фотолюминесценции в электронно облученных дефектных монокристаллах CdS могут быть ответственны механизмы подпорогового дефектообразования или перестройка дефектных комплексов в полях упругого и электрического происхождения вблизи крупных структурных повреждений решетки.

Доп.точки доступа:
Давидюк, Г. Е.; Божко, В. В.; Мирончук, Г. Л.; Панкевич, В. З.

Найти похожие

Некоторые особенности прикраевой люминесценции CdS (O) с позиций теории непересекающихся зон [Текст] / Н. К. Морозова [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 1 (75). - С. . 3-11 : рис. . - ISSN 1561-5405

УДК

^a535

^a537.533/.534

ББК 22.34 + 22.338
Рубрики: Физика
Оптика в целом
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
люминесценции -- полосы -- кристаллы -- гетерогенные системы -- матрицы
Аннотация: Выяснена природа полос люминесценции. Показано, что твердые растворы кислорода в реальных кристаллах образуют гетерогенную систему, в которой кислородные скопления присутствуют в матрице кристалла.

Доп.точки доступа:
Морозова, Наталия Константиновна; Данилевич, Надежда Дмитриевна; Семенов, Владимир Михайлович; Галстян, Виктор Гайкович; Олешко, Владимир Иванович; Вильчинская, Светлана Сергеевна; Лисицын, Виктор Михайлович

Найти похожие

Вольт-амперная характеристика p-n-структур на основе непрерывного твердого раствора (Si[2]) [1-x] (CdS) [x] [Текст] / А. С. Саидов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 436-438

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
инжекционное объединение -- эпитексиальные слои -- подложки -- монокристаллический кремний -- зеркальные поверхности
Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики структур p-Si-n- (Si[2]) [1-x] (CdS) [x] (0=? х? ; 0. 01) при различных значениях температуры. Обнаружено, что вольт-амперная характеристика таких структур имеет участок сублинейного роста тока с напряжением V~V[0]exp (JaW). Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения. Показано, что подвижность неосновных носителей - дырок - уменьшается с ростом температуры.

Доп.точки доступа:
Саидов, А. С.; Лейдерман, А. Ю.; Усмонов, Ш. Н.; Холиков, К. Т.

Найти похожие

Исследование вольт-амперных характеристик структуры n-CdS--p-CdTe с протяженным слоем промежуточного твердого раствора [Текст] / Ш. А. Мирсагатов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 10. - С. 1917-1923. - Библиогр.: с. 1923 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперные характеристики -- гетероструктуры -- теория дрейфового механизма -- теория дрейфового механизма -- обмен свободными ностителями -- рекомбинационные комплексы -- полупроводниковые структуры
Аннотация: Приведены результаты исследований гетероструктур n-CdS-p-CdTe c протяженным слоем промежуточного твердого раствора, для которого соблюдается соотношение w/L примерно10 (w --- длина базы, L --- диффузионная длина неосновных носителей). Вольт-амперные характеристики таких структур в значительном диапазоне изменений напряжения хорошо описываются степенными закономерностями типа J~ AValpha, где показатель степени alpha меняется с ростом напряжения. Результаты объясняются в рамках теории дрейфового механизма переноса тока, учитывающей возможность обмена свободными носителями внутри рекомбинационного комплекса.

Доп.точки доступа:
Мирсагатов, Ш. А.; Лейдерман, А. Ю.; Айтбаев, Б. У.; Махмудов, М. А.

Найти похожие

Особенности механизма дефектообразования в монокристаллах CdS при облучении большими дозами быстрых реакторных нейтронов [Текст] / Г. Е. Давидюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1441-1446 : ил. - Библиогр.: с. 1445-1446 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- CdS -- нейтроны -- реакторные нейтроны -- дефектообразование -- кластеры дефектов -- КД -- кадмий -- отжиг -- температура -- кулоновское выталкивание -- облучение -- нейтронное облучение -- облучение реакторными нейтронами -- коэффициент поглощения -- КП -- электрические свойства -- оптические свойства
Аннотация: Исследовались электрические и оптические свойства облученных быстрыми реакторными нейтронами дозой >=10{18} см{-2} монокристаллов CdS. Было установлено, что в облученном материале образуются кластеры дефектов, в которых доминирующими являются вакансии кадмия. При распаде кластеров дефектов в процессе радиационно стимулированного отжига или отжига в температурном интервале ~200-400oC решетка кристалла обогащается вакансиями Cd. Предполагается, что в образовании кластеров дефектов существенную роль играют подпороговые эффекты, связанные с преимущественным возбуждением K-оболочек атомов Cd и их кулоновским выталкиванием с ядра кластера.

Доп.точки доступа:
Давидюк, Г. Е.; Кевшин, А. Г.; Божко, В. В.; Галян, В. В.

Найти похожие

Морозова, Н. К.
Особенности спектров самоактивированной люминесценции CdS (O) с позиций теории непересекающихся зон [Текст] / Н. К. Морозова, Н. Д. Данилевич // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 458-462 : ил. - Библиогр.: с. 462 (24 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
люминесценция -- самоактивированная люминесценция -- спектры самоактивированной люминесценции -- непересекающиеся зоны -- теория непересекающихся зон -- SAL люминесценция -- SA люминесценция -- рекомбинация -- ZnS-ZnSe (O) -- спектральная зависимость -- концентрация кислорода -- кристаллы -- CdS (O) -- свечение -- собственные точечные дефекты -- СТД -- катодолюминесценция -- КЛ -- спектры катодолюминесценции -- SA-свечение -- H-компоненты -- L-компоненты -- поглощение кристаллов
Аннотация: На основе теории непересекающихся зон, позволяющей учесть влияние изоэлектронной примеси кислорода на изменение зонной структуры, дана интерпретация природы спектров самоактивированной люминесценции CdS (O). Выявлены полосы самоактивированной SA и SAL люминесценции CdS (O), аналогичные ZnS-ZnSe (O). В присутствии растворенного кислорода OS обнаружено наличие в составе SA-полос дополнительно двух компонент H и L, которые обязаны переходам из E[+]- и E[-]-подзон расщепленной зоны проводимости CdS (O) на уровень рекомбинации E[SA]. Определена их спектральная зависимость от концентрации растворенного кислорода [O[S]]. Показано, что зеленое краевое свечение CdS аналогично SAL, однако в отличие от ZnS-ZnSe (O) не обнаруживает H-компоненту, попадающую в область фундаментального поглощения кристалла. Анализ состава SA- и SAL-центров в кристаллах CdS показал их соответствие ZnS (ZnSe). По экспериментальным данным представлены: положение локализованного уровня кислорода E[0], уменьшение ширины запрещенной зоны E[g] от [O[S]], зонная модель CdS (O). Работа дополняет аналогичные исследования, выполненные ранее для ZnS-ZnSe (O).

Доп.точки доступа:
Данилевич, Н. Д.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Покутний, С. И.
Энергия связи экситона в полупроводниковых квантовых точках [Текст] / С. И. Покутний // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 507-512 : ил. - Библиогр.: с. 511-512 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- адиабатическое приближение -- энергия связи экситона -- метод эффективной массы -- монокристаллы -- селенид кадмия -- CdSe -- сульфид кадмия -- CdS -- экситоны
Аннотация: В адиабатическом приближении, а также в рамках модифицированного метода эффективной массы, в котором приведенная эффективная масса экситона mu=mu (a) является функцией радиуса a полупроводниковой квантовой точки, получено выражение для энергии связи экситона E[ex] (a) в квантовой точке. Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи экситона E[ex] (a) в квантовых точках селенида и сульфида кадмия с радиусами a, сравнимыми с боровскими радиусами экситона a[ex], относительно энергии связи экситона в монокристаллах CdSe и CdS (в 7. 4 и 4. 5 раз соответственно).

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Особенности подпорогового дефектообразования в монокристаллах CdS и CdS : Cu при рентгеновском облучении [Текст] / Г. Л. Мирончук [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 694-698 : ил. - Библиогр.: с. 697 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
рентгеновское облучение -- монокристаллы -- CdS -- сульфид кадмия -- дефектообразование -- электронная радиация -- рекомбинация -- легирование -- оптическое гашение фотопроводимости -- ОГФ -- кластеры дефектов -- КФ -- медь -- Cu -- подпороговая энергия -- крупные структурные повреждения -- КСП -- экспериментальные исследования -- r-центры -- неравновесные носители заряда
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследования влияния электронной радиации с энергией электронов 230 кэВ, рентгеновских квантов в энергиями 8. 06, 17. 5 кэВ и закалки образцов на образование и перестройку центров медленной рекомбинации неравновесных носителей заряда (так называемых r-центров) в специально не легированных и легированных медью (N[Cu]~10{18} см{-3}) монокристаллах CdS. Показано, что за r-центры ответственны дефекты в кадмиевой подрешетке кристалла, а именно вакансии VCd и близкие к ним по параметрам дефекты Cu[Cd]. При рентгеновском облучении как нелегированных, так и легированных Cu монокристаллов CdS имеет место подпороговое дефектообразование вакансий кадмия и Cu[Cd] в местах искаженных и ослабленных межатомных связей - "слабых местах" возле крупных структурных повреждений решетки технологического или иного происхождения. Начиная с температуры закалки 170{o}C заметное влияние на спектр центров медленной рекомбинации оказывают термообразованные V[Cu] и вторичные дефекты Cu[Cd]. При температурах закалки больших 250{o}C заметный вклад в спектр оптического гашения фотопроводимости вносят термовведенные свободные (вдали от структурных повреждений) r-центры-V[Cd] и Cu[Cd].

Доп.точки доступа:
Мирончук, Г. Л.; Давидюк, Г. Е.; Божко, В. В.; Кажукаускас, В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Архиповская, А. В.
Банковская секьюритизация и мировой финансовый кризис [Текст] : секьюритизация как фактор, повлиявший на развитие финансового кризиса 2007-2008 гг. / Архиповская А. В. // Российское предпринимательство. - 2010. - N 6, вып. 2. - С. 9-14. . - Библиогр.: с. 13-14 (9 назв. )

УДК

^a336.7

ББК 65.262
Рубрики: Экономика
Кредитно-денежная система, 2007-2008 гг.; 21 в. нач.
Кл.слова (ненормированные):
макроэкономика -- экономические рецессии -- мировые кризисы -- финансовые кризисы -- монетарная политика -- финансовый рынок -- либерализация финансового рынка -- банковская система -- банковское кредитование -- кредитные риски -- банковские риски -- банковская секьюритизация -- ценные бумаги -- CDS -- процентные ставки -- структурные инвестиционные инструменты -- финансовые инновации
Аннотация: Раскрыта суть секьюритизации и структурных инвестиционных инструментов в банковской деятельности, показано их влияние на возникновение и развитие мирового финансового кризиса.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Бондарь, Н. В.
Эволюция экситонных состояний в двухфазных системах с квантовыми точками полупроводников II-VI вблизи перколяционного порога [Текст] / Н. В. Бондарь, М. С. Бродин // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 915-922. : ил. - Библиогр.: с. 922 (23 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- КТ -- экситонные состояния -- двухфазные системы -- экситоны -- перколяционные пороги -- перколяционные переходы -- флуктуации -- микроскопические флуктуации -- кластеры квантовых точек -- туннелирование -- диэлектрические ловушки -- фотолюминесценция -- ФЛ -- оптические спектры -- ZnSe -- CdS
Аннотация: В результате проведеннных исследований двухфазных систем (боросиликатные матрицы с квантовыми точками ZnSe или CdS) обнаружена особенность, связанная с образованием в них фазового перколяционного перехода носителей (экситонов). Это проявилось в качественных изменениях оптических спектров обеих систем, а также в флуктуациях интенсивности полос излучения вблизи порога, обусловленных микроскопическими флуктуациями плотности квантовых точек. Вычислено среднее расстояние между квантовыми точками с учетом их конечных размеров и доли объема, который они занимают на перколяционном пороге, и показано, что образование кластеров квантовых точек происходит посредством туннелирования носителей между ними. Предложен механизм образования перколяционного порога носителей, в котором диэлектрическое рассогласование материалов матрицы и квантовых точек играет существенную роль в процессе делокализации носителей (экситонов), приводя к появлению "диэлектрической ловушки" на внешней поверхности раздела и образованию там поверхностных экситонных состояний. Получены критические концентрации квантовых точек, при которых пространственное перекрытие таких состояний приводит к появлению перколяционного перехода в обеих системах.

Доп.точки доступа:
Бродин, М. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-35

Тематический навигатор

Статистика за 18.08.2024
Число запросов	35320
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)