Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска
БД "Книги"
БД "Статьи"
Труды АМГУ
Выпускные квалификационные работы
Антитеррор
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=эффекты туннелирования носителей заряда<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


   
    Капельное осаждение тонких наноструктурированных покрытий теллурида свинца [Текст] / С. М. Аракелян [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2017. - Т. 81, № 12. - С. 1604-1608 : рис. - Библиогр.: c. 1608 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
^a538.975
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперные характеристики -- нанокластеры -- теллурид свинца -- туннельный ток -- эффекты туннелирования носителей заряда
Аннотация: Для полученных кластерных структур, состоящих из наночастиц теллурида свинца, измерены вольт-амперные характеристики осажденных структур, показано изменение величины туннельного тока. Выявлены оптимальные условия для возможного проявления квантовой/скачковой проводимости из-за эффектов туннелирования носителей заряда - характерные размеры нанокластеров и расстояний между ними.


Доп.точки доступа:
Аракелян, С. М.; Осипов, А. В.; Скрябин, И. О.; Tran Dinh Phong; Nguyen Tran Thuath
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 28.08.2024
Число запросов 3938
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)