Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (6)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=эпитаксиальные слои<.>)

Общее количество найденных документов : 15
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-15

Теоретическое и экспериментальное исследование поверхностных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия [Текст] / И. А. Бобровникова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 422-428

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- эпитаксиальные слои -- GaN -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- атомы галлия -- атомы азота -- широкозонные полупроводники
Аннотация: С помощью метода атомно-силовой микроскопии проведены экспериментальные исследования влияния условий роста на структуру поверхности эпитаксиальных слоев GaN, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Получены количественные значения плотности, высоты и ширины центров роста в зависимости от условий эпитаксии, выполнены оценки средней длины диффузионного пробега частиц, лимитирующих скорость роста GaN, рассчитаны энергии активации и коэффициенты поверхностной диффузии для этих частиц. Проведены расчеты равновесного состава адсорбционных слоев на поверхности (0001) GaN в широком диапазоне температур осаждения и давлений галлия и азота с учетом следующих компонентов: атомы галлия, атомы азота и молекулы NH. На основании сопоставления экспериментальных данных по структуре поверхности GaN и расчетных данных по составу адсорбционных слоев на поверхности роста сделано предположение о том, что во всем диапазоне условий молекулярно-лучевой эпитаксии рост слоев GaN лимитируется доставкой галлия.

Доп.точки доступа:
Бобровникова, И. А.; Ивонин, И. В.; Новиков, В. А.; Преображенский, В. В.

Найти похожие

Козырев, С. П.
К вопросу о перестройке колебательного спектра твердого раствора Zn[1-x]Cd[x]se с составом [Текст] / С. П. Козырев // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 5. - С. 952-957. - Библиогр.: с. 965 (35 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
колебательные спектры -- спектры решеточного отражения -- твердые растворы -- эпитаксиальные слои -- решеточные моды
Аннотация: Представлены интерпретация и анализ спектров решеточного отражения объемных кристаллов Zn[1-x]Cd[x]Se для составов x=0. 08, 0. 21 и 0. 30, кристаллизующихся в кубической структуре цинковой обманки, и x=0. 45, 0. 65 и 0. 80, кристаллизующихся в гексагональной структуре вюрцита. Моды решеточных колебаний для всех составов распределяются по частоте на ZnSe- и CdSe-подобные колебания. При фазовом переходе x>0. 3 наблюдается заметный скачок (7-8 cm-1) по частоте решеточных мод, но наибольшие изменения происходят в силах осцилляторов мод. Однако суммарная сила осцилляторов мод ZnSe- и CdSe-подобных колебаний мало изменяется при фазовом переходе, что соответствует двумодовому типу перестройки колебательного спектра твердого раствора Zn[1-x]Cd[x]Se с составом. Анализ решеточных мод сопровождается сравнением с параметрами решеточных мод эпитаксиальных слоев Zn[1-x]Cd[x]Se (x=0-0. 55), выращенных на подложке GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

Найти похожие

Исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 785-788 : ил. - Библиогр.: с. 787-788 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- кубический карбид кремния -- слои -- эпитаксиальные слои -- кубические эпитаксиальные слои -- сублимационная эпитаксия -- рентгеновская топография -- рамановская спектроскопия -- вольт-фарадные измерения -- спектроскопия -- 3C-SiC -- подложки -- 15R-SiC
Аннотация: Проведено исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме. Методами рентгеновской топографии и рамановской спектроскопии показано достаточно высокое структурное качество полученных эпитаксиальных слоев. По данным рамановской спектроскопии и вольт-фарадным измерениям установлено, что концентрация электронов в слое 3C-SiC составляет (4-6) х10{18} см{-3}.

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Богданова, Е. В.; Зубрилов, А. С.; Лебедев, С. П.; Нельсон, Д. К.; Середова, Н. В.; Смирнов, А. Н.; Трегубова, А. С.

Найти похожие

Структуры GaAs с квантовыми точками InAs и As, полученные в едином процессе молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / В. Н. Неведомский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1662-1666 : ил. - Библиогр.: с. 1665-1666 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- ПКТ -- InAs -- As -- металлические квантовые точки -- МКТ -- эпитаксиальные слои -- GaAs -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- механизм Странского-Крастанова -- Странского-Крастанова механизм -- выращивание квантовых точек -- мышьяк -- просвечивающая электронная микроскопия -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- поля -- деформационные поля -- V-образные дефекты -- дефекты упаковки -- заращивание квантовых точек -- арсенид галлий -- отжиг -- высокотемпературный отжиг -- самоорганизация квантовых точек -- коалесценция -- оствальдовское созревание -- диффузия -- ускоренная диффузия -- деформации -- локальные деформации
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены эпитаксиальные слои GaAs, содержащие полупроводниковые квантовые точки InAs, сформированные по механизму Странского-Крастанова, и металлические квантовые точки As, сформированные путем самоорганизации в слое GaAs, выращенном при низкой температуре и содержащем большой избыток мышьяка. Методом просвечивающей электронной микроскопии проведены исследования микроструктуры полученных образцов. Установлено, что металлические квантовые точки As, формирующиеся в непосредственной близости от полупроводниковых квантовых точек InAs, имеют большие размеры, чем находящиеся на удалении. Это явление, по-видимому, есть результат воздействия деформационных полей квантовых точек InAs на процессы самоорганизации квантовых точек As. Другим явлением, вероятно, связанным с локальными деформациями вокруг квантовых точек InAs, оказывается формирование V-образных дефектов (дефектов упаковки) при заращивании квантовых точек InAs слоем арсенида галлия при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Такие дефекты оказывают сильное воздействие на процессы самоорганизации квантовых точек As. В частности, при высокотемпературном отжиге, необходимом для формирования крупных квантовых точек As путем коалесценции (оствальдовского созревания), наличие V-образных дефектов приводит к растворению квантовых точек As в их окрестности. При этом избыточный мышьяк, скорее всего, диффундирует на открытую поверхность образца за счет каналов ускоренной диффузии по плоскостям дефектов упаковки.

Доп.точки доступа:
Неведомский, В. Н.; Берт, Н. А.; Чалдышев, В. В.; Преображенский, В. В.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.

Найти похожие

Микроструктура и деформации молекулярно-пучковых эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире [Текст] / В. В. Ратников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 265-269 : ил. - Библиогр.: с. 268 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные слои -- ЭС -- двойные буферные слои -- ДБС -- деформации -- сапфир -- ZnO -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- рентгеновская дифрактометрия -- дифракции -- дифракционные пики -- геометрия Брегга -- Брегга геометрия -- геометрия Лауэ -- Лауэ геометрия -- мод-сканирование -- коэффициент температурного расширения -- КТР -- дислокации
Аннотация: Деформация и кристаллическое совершенство эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, изучались с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Деформационное состояние определялось по измерениям макроизгиба образцов. Структурное совершенство слоев анализировалось на основе измерения дифракции в геометриях Брегга и Лауэ с использованием theta- и (theta-2theta) -мод сканирования. Найдено, что полученные слои (Zn/O > 1) испытывают биаксиальные растягивающие напряжения, в то время как для Zn/O <1 напряжения отсутствуют. Из уширения дифракционных пиков рассчитывается плотность дислокаций различного типа и геометрии залегания.

Доп.точки доступа:
Ратников, В. В.; Кютт, Р. Н.; Иванов, С. В.; Щеглов, М. П.; Baar, A.

Найти похожие

Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (lambda~3. 3 мкм) [Текст] / А. П. Астахова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 278-284 : ил. - Библиогр.: с. 284 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- двойные гетероструктуры -- InAs/InAsSbP -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- подложки -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- электролюминесцетные характеристики -- светоизлучающие кристаллы -- чипы -- эпитаксиальные слои -- спектральные характеристики -- инжекция -- квантовая характеристика -- квантовая эффективность -- излучательная рекомбинация -- квантовый выход -- длина волны -- мощные светодиоды -- светоизлучающие структуры -- оптическая мощность -- квазинепрерывный режим
Аннотация: Исследованы два типа конструкций светодиодов на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках p- и n-InAs. Изучены вольт-амперные и электролюминесцетные характеристики созданных светодиодов. Показано, что конструкция светодиода со светоизлучающим кристаллом (чипом), смонтированным эпитаксиальным слоем к корпусу прибора и выводом излучения через подложку n-InAs, обеспечивает лучший отвод тепла и, как следствие, устойчивость спектральных характеристик при увеличении тока инжекции и более высокую квантовую эффективность излучательной рекомбинации. Внутренний квантовый выход светоизлучающих структур с длиной волны lambda=3. 3-3. 4 мкм достигал величины 22. 3%. Оптическая мощность излучения светодиодов в квазинепрерывном режиме составляла 140 мкВт при токе 1 А, а в импульсном режиме достигала значения 5. 5 мВт при токе 9 А.

Доп.точки доступа:
Астахова, А. П.; Головин, А. С.; Ильинская, Н. Д.; Калинина, К. В.; Кижаев, С. С.; Серебренникова, О. Ю.; Стоянов, Н. Д.; Horvath, Zs. J; Яковлев, Ю. П.

Найти похожие

Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения [Текст] / А. В. Градобоев [и др. ] // Известия Томского политехнического университета. - 2010. - Т. 316. N 2. - С. 125-129 : ил. - Библиогр.: с. 129 (6 назв. ). . - ISSN 1684-8519

УДК

^a621.383

ББК 32.854
Рубрики: Радиоэлектроника
Фотоэлектрические приборы
Кл.слова (ненормированные):
светоизлучающие диоды -- диоды -- импульсное лазерное излучение -- лазерное излучение -- результаты исследований -- эпитаксиальные слои -- GaAs -- контакт металл-полупроводник -- металл-полупроводник -- плоскость кристалл-кристаллодержатель -- кристалл-кристаллодержатель
Аннотация: Представлены результаты исследования стойкости серийных светоизлучающих диодов ИК-диапазона на основе эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Si, к воздействию одиночных импульсов лазерного излучения с длиной волны 1, 06 мкм и длительностью 100 нс, 10 мкс и 1 мс. Показано, что деградация мощности излучения диодов обусловлена проплавлением контакта металл-полупроводник, при этом их стойкость сильно зависит от направления воздействия лазерного излучения. Установлено несколько пороговых значений плотности мощности лазерного излучения: плотность мощности, ниже которой отсутствует деградация диодов, а выше которой наблюдается деградация диодов; плотность мощности, при которой наблюдается полное проплавление контакта металл-полупроводник и плотность мощности, при которой происходит механическое разрушение диодов по плоскости кристалл-кристаллодержатель. Показано, что диаграмма направленности излучения диодов позволяет определить пороговые значения плотности мощности лазерного излучения, падающего под углом к оптической оси диода. Установлено, что режим питания диода не влияет на установленные пороговые плотности мощности лазерного излучения.

Доп.точки доступа:
Градобоев, А. В.; Скаков, М. К.; Полицинский, Е. В.; Аубакирова, Д. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Высокотемпературный радиационно стойкий выпрямитель на основе p{+}-n-переходов в 4H-SiC, ионно-легированном алюминием [Текст] / Е. В. Калинина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 807-816. : ил. - Библиогр.: с. 815-816 (55 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
имплантация ионов -- эпитаксиальные слои -- химическое осаждение -- метод химического осаждения -- быстрый термический отжиг -- БТО -- термоотжиг -- ионное легирование -- ИЛ -- радиационные дефекты -- низкотемпературный отжиг -- p-n переходы -- 4H-SiC -- выпрямители -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- алюминий
Аннотация: Сочетание высокодозовой (5x10{16} см{-2}) имплантации ионов Al в эпитаксиальные слои 4H-SiC n-типа, выращенные методом химического осаждения из газовой фазы, и быстрого (15 с) термического отжига при 1700-1750{o}C формирует слои с прямоугольным профилем примеси по механизму твердофазной эпитаксиальной кристаллизации. Совместное действие эффектов ускоренной диффузии радиационных дефектов при имплантации и геттерирования дефектов при отжиге приводит к улучшению качества исходного материала, что обеспечивает увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в несколько раз. В SiC при воздействии различных видов радиации образуются метастабильные состояния, отжигаемые в различных температурных интервалах. Низкотемпературный отжиг радиационных дефектов увеличивает радиационный и временной ресурс приборов при облучении. Высокотемпературный отжиг радиационных дефектов позволяет изменять время жизни неравновесных носителей заряда, т. е. частотный диапазон приборов. Радиационная стойкость SiC-приборов увеличивается с ростом рабочей температуры до 500{o}C.

Доп.точки доступа:
Калинина, Е. В.; Коссов, В. Г.; Яфаев, Р. Р.; Стрельчук, А. М.; Виолина, Г. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Зависимость спектров фотолюминесценции эпитаксиальных слоев твердого раствора Pb[1-x]Eu[x]Te (0 x 0. 1) от условий выращивания [Текст] / Д. А. Пашкеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 891-896. : ил. - Библиогр.: с. 895-896 (11 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- твердые растворы -- Pb[1-x]Eu[x]Te -- эпитаксиальные слои -- выращивание слоев -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- излучательная рекомбинация -- температура роста -- неоднородности -- запрещенные зоны
Аннотация: Изучались спектры фотолюминесценции твердого раствора Pb[1-x]Eu[x]Te (0< x <0. 1) при низких температурах. Эпитаксиальные слои выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии при различных температурах. В спектрах помимо основной линии, соответствующей межзонной излучательной рекомбинации, с низкоэнергетической стороны наблюдались дополнительные линии излучения. На поверхности образцов (менее 1% от общей площади) обнаружены неоднородности, концентрация и размер (1-10 мкм), которых уменьшаются с увеличением температуры роста. Дополнительные линии излучения связываются с локальными неоднородностями в слое. Определена зависимость ширины запрещенной зоны Pb[1-x]Eu[x]Te (0< x <0. 1) от состава при 77. 4 K, которая является нелинейной и выражается соотношением E[g][эВ]=0. 213+4. 8x-18. 4x{2}.

Доп.точки доступа:
Пашкеев, Д. А.; Селиванов, Ю. Г.; Felder, F.; Засавицкий, И. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Выращивание пленок (InSb) [1-x] (Sn2) [x] на арсенид-галлиевых подложках методом жидкофазной эпитаксии [Текст] / А. С. Саидов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 970-977. : ил. - Библиогр.: с. 976-977 (25 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- выращивание пленок -- (InSb) [1-x] (Sn2) [x] -- твердые растворы -- подложки -- арсенид-галлиевые подложки -- GaAs -- жидкофазная эпитаксия -- метод жидкофазной эпитаксии -- ЖФЭ -- рентгенограммы -- спектральные характеристики -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- непрерывные твердые растворы -- НТР -- структурные исследования -- гетероструктуры -- эпитаксиальные слои -- фоточувствительность гетероструктур
Аннотация: Показана возможность выращивания монокристаллического твердого раствора замещения (InSb) [1-x] (Sn2) [x] (0< x< 0. 05) на подложках GaAs методом жидкофазной эпитаксии из индиевого раствора-расплава. Исследованы рентгенограммы, спектральные и вольт-амперные характеристики полученных гетероструктур n-GaAs-p- (InSb) [1-x] (Sn2) [x] при различных температурах. Определены параметры решетки твердого раствора (InSb) [1-x] (Sn2) [x]. Обнаружено, что прямая ветвь вольт-амперной характеристики таких структур при малых напряжениях (до 0. 7 В) описывается экспоненциальной зависимостью I=I[0] exp (qV/ckT), а при больших (V>0. 9 В) имеется участок сублинейного роста тока с напряжением V~ V[0] exp (Jad). Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения. Показано, что произведение подвижности основных носителей на концентрацию глубоких примесей уменьшается с ростом температуры.

Доп.точки доступа:
Саидов, А. С.; Саидов, М. С.; Усмонов, Ш. Н.; Асатова, У. П.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-15

Тематический навигатор

Статистика за 06.09.2024
Число запросов	82985
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)