Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска
БД "Книги"
БД "Статьи"
Труды АМГУ
Выпускные квалификационные работы
Антитеррор
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=элементарные полупроводники<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.


    Смирнов, Ю. М.
    Кинетика дислокационного течения в кристаллах элементарных полупроводников [Текст] / Ю, М. Смирнов // Вестник Тверского государственного университета. - 2009. - N 3 (Физика). - С. 31-34. - Библиогр.: с. 34 (5 назв. )
УДК
^a539.2
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- кремний -- полупроводники -- элементарные полупроводники -- поверхностная энергия
Аннотация: Оценки скоростей движения дислокаций в монокристаллах кремния. Показана роль поверхностной энергии в образовании дислокаций.


Найти похожие
2.


   
    Магнитопластический эффект в кремнии: поиск новых методов управления структурно-чувствительными свойствами элементарных полупроводников [Текст] / А. А. Скворцов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 12. - С. 2304-2308. - Библиогр.: с. 2308 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
^a539.2
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
магнитные поля -- магнитопластический эффект -- кремний -- элементарные полупроводники -- примесные точечные дефекты -- поверхностные дислокационные сегменты -- термический отжиг -- магнитопластичность
Аннотация: Рассматривается влияние постоянных магнитных полей (индукцией до 1 T) на состояние примесных точечных дефектов и подвижность дислокационных сегментов в легированном кремнии (0. 01 - Омега х cm). Обнаружены долгоживущие (около 100 h) изменения в состоянии точечных дефектов, детектируемые по подвижности дислокаций, вводимых после магнитной обработки. Изучена концентрационная зависимость магнитопластического эффекта в кремнии p-типа. Зафиксирована пороговая концентрация примеси (10{15} cm {-3}), ниже которой магнитопластический эффект не фиксируется. Рассмотрено влияние предварительного воздействия магнитного поля на времена ожидания дислокаций до открепления и на активационные барьеры открепления дислокаций от стопоров, а также влияние предварительных термических отжигов на магнитопластичность в Si.


Доп.точки доступа:
Скворцова, А. А.; Орлов, А. М.; Соловьев, А. А.; Белов, Д. И.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 08.07.2024
Число запросов 15922
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)