Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (33)

Труды АМГУ (1)

Выпускные квалификационные работы (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=электрофизические свойства<.>)

Общее количество найденных документов : 33
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-33

Применение автоматизированной установки на базе характериографа "Эрбий-7107" для исследования электрофизических свойств МДП-структур, содержащих наноразмерные пленки Ленгмюра-Блоджетт [Текст] / А. А. Невешкин [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 7. - С. 34-38. - Библиогр.: с. 38 (9 назв. ) . - ISSN 1813-8586

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
электрофизические свойства -- наноразмерная органическая пленка -- автоматизированная измерительная установка -- наноразмерные пленки
Аннотация: Описана автоматизированная установка для исследования электрофизических свойств МДП-структур, содержащих наноразмерные пленки. Рассмотрены конструктивные особенности измерительной установки, схема ее сопряжения с компьютером и программное обеспечение. Подробно описаны конструкция и функциональные возможности измерительной ячейки.

Доп.точки доступа:
Невешкин, А. А. (канд. техн. наук); Ревзин, Б. А.; Горин, Д. А. (канд. хим. наук); Ященок, А. М. (канд. физ. -мат. наук); Климов, Б. Н. (д-р техн. наук); Кумаков, А. В.; Кумаков, Ю. А.

Найти похожие

Рязанцева, М. В.
Влияние наносекундных электромагнитных импульсов на электрофизические свойства пирита и арсенопирита [Текст] / М. В. Рязанцева, В. И. Богачев // Физико-технические проблемы разработки полезных ископаемых. - 2009. - N 5. - С. 99-105 : ил. - Библиогр.: с. 105 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3273

УДК

^a622.7

ББК 33.4
Рубрики: Горное дело
Обогащение полезных ископаемых--Россия--Дарасунское месторождение
Кл.слова (ненормированные):
наносекундные импульсы -- электромагнитные импульсы -- электрофизические свойства -- пириты -- арсенопириты -- экспериментальные исследования -- мощные наносекундные электромагнитные импульсы -- МЭМИ -- термоэлектрические свойства -- электропроводность -- электродные потенциалы
Аннотация: В работе экспериментально исследовано влияние мощных наносекундных электромагнитных импульсов (МЭМИ) на термоэлектрические свойства, электропроводность и электродный потенциал пирита и арсенопирита месторождения Дарасунское. Полученные результаты полностью подтверждаются классическими представлениями о взаимосвязи электрохимических и флотационных свойств минералов.

Доп.точки доступа:
Богачев, В. И.

Найти похожие

Сканирующая туннельная микроскопия структуры Si-SiO[2]: использование режима ошибки обратной связи при исследовании поверхности [Текст] / В. М. Корнилов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 850-853 : ил. - Библиогр.: с. 852-853 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
сканирующая туннельная микроскопия -- СТМ -- СТМ-исследования -- кремний -- режим ошибки обратной связи -- электрофизические свойства -- нанометровые слои -- каналы утечки -- Si-SiO[2]
Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования методом сканирующей туннельной микроскопии поверхности кремния с естественным слоем окисла. Показано, что наблюдаемая модификация поверхности вызвана образованием каналов утечки в слое двуокиси кремния. Методически обоснована и показана возможность использования режима ошибки обратной связи для создания и исследования каналов утечки, индуцированных напряжением на туннельном зазоре. Используемая методика позволяет исследовать особенности формирования токовых каналов и тем самым диагностировать электрофизические свойства нанометровых слоев SiO[2].

Доп.точки доступа:
Корнилов, В. М.; Лачинов, А. Н.; Логинов, Б. А.; Беспалов, В. А.

Найти похожие

Горшенев, В. Н.
Динамика изменений сопротивлений образцов полимерграфитовых композиционных материалов при терморасширении [Текст] / В. Н. Горшенев // Наукоемкие технологии. - 2009. - Т. 10, N 3. - С. 16-25 : ил. - Библиогр.: с. 24-25 (12 назв. ) . - ISSN 1999-8465

УДК

^a541.6

ББК 24.7
Рубрики: Химия
Химия высокомолекулярных соединений
Кл.слова (ненормированные):
динамика изменений сопротивления -- сопротивление образцов -- полимерграфитовые композиционные материалы -- композиционные материалы -- терморасширение частиц -- вспенивание композитов -- газовыделение -- модифицированные графиты -- электропроводящие материалы -- температурные интервалы -- пластифицированный поливинилхлорид -- каучуки -- полимерные матрицы -- электрофизические свойства -- графиты
Аннотация: Приведены результаты исследований динамики изменений сопротивлений образцов полимерграфитовых композиционных материалов при нагреве. Показано, что такие изменения сопротивлений связаны с протеканием в образцах материалов процессов вспенивания композитов за счёт газовыделений при терморасширении модифицированных графитов; уменьшение расстояний между графитовыми частицами при их терморасширении приводит к образованию электропроводящих образцов материалов, которые до термообработки не проводили электрический ток. Установлены температурные интервалы, концентрации графитовых частиц в композитах на основе пластифицированного поливинилхлорида, каучуков, при которых происходит вспенивание образцов и терморасширение частиц модифицированного графита в полимерных матрицах. Показано, что применение процесса терморасширения полимерграфитовых композиционных материалов позволяет получать материалы с новыми электрофизическими свойствами.

Найти похожие

Электрофизические и морфологические свойства пленок CdTe, синтезированных методом молекулярного наслаивания [Текст] / В. А. Майоров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 590-593 : ил. - Библиогр.: с. 592-593 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
теллурид кадмия -- CdTe -- пленки -- молекулярное наслаивание -- метод молекулярного наслаивания -- подложки -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- электрофизические свойства -- морфологические свойства -- синтез
Аннотация: Пленки теллурида кадмия синтезированы методом молекулярного наслаивания на подложках из графита, слюды и кремния. Получены однородные фоточувствительные слои площадью 65 см{2}, толщиной от 0. 5 до 5 мкм с концентрацией дырок 6. 3x10{1}6 см{-3} (300 K).

Доп.точки доступа:
Майоров, В. А.; Афясов, А. М.; Божевольнов, В. Б.; Раданцев, В. Ф.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Торхов, Н. А.
Влияние периферии контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки на их статические вольт-амперные характеристики [Текст] / Н. А. Торхов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 615-627 : ил. - Библиогр.: с. 626-627 (31 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- контакты металл-полупроводник -- КМП -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- метод Кельвина -- Кельвина метод -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- метод атомно-силовой микроскопии -- электростатические потенциалы -- золотые контакты -- контактная разность потенциалов -- КРП -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- периферийные области -- диэлектрические пленки -- электрические поля -- электрофизические свойства
Аннотация: Исследование методом Кельвина атомно-силовой микроскопии электростатического потенциала поверхности золотых контактов с барьером Шоттки на n-GaAs показало, что вокруг контактов существует протяженная на десятки мкм переходная область (ореол), в которой поверхностный потенциал изменяется от потенциала свободной поверхности n-GaAs до потенциала поверхности золотого контакта. Потенциал контакта и распределение потенциала в окружающем его ореоле определяются конструкцией контакта. Исследования токов растекания показали, что за счет сильных электрических полей ореола по периметру контакта существует высокопроводящая область (периферия), приводящая к появлению токов утечки. Проводимость основной площади контакта обусловлена локальными областями 100-200 нм с повышенной и пониженной проводящими способностями. Формирование вокруг контактов мезы приводит к уменьшению работы выхода, уменьшению протяженности ореола и напряженности электрического поля в нем, что сопровождается размытием и понижением проводимости периферийной области. Это приводит к исчезновению токов утечки и уменьшению показателя идеальности. Защита периферийной области контакта диэлектрической пленкой SiO[2] толщиной 0. 5 мкм, напротив, увеличивает работу выхода, что сопровождается образованием вокруг контакта ориентированных по двум взаимно перпендикулярным кристаллографическим направлениям лепестков потенциала. Более сильное проникновение электрических полей ореола в область контакта приводит к увеличению показателя идеальности, исчезновению высокопроводящей периферийной области и токов утечки. Различие электрофизических свойств периферии, зерен золота и их границ определяет механизм включения контакта при подаче прямого или обратного смещений.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием [Текст] / А. Ю. Егоров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 950-954. : ил. - Библиогр.: с. 954 (4 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- HEMT-гетероструктуры -- InGaAs/AlGaAs/GaAs -- импульсное легирование -- двухканальные псевдоморфные гетероструктуры -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- МПЭ -- метод Холла -- Холла метод -- комнатная температура -- электроны -- многоподложечная промышленная установка -- фотолюминесценция -- ФЛ -- электрофизические свойства
Аннотация: Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием (delta-легированием) реализованы методом молекулярно-пучковой эпитаксии на многоподложечной промышленной установке. Подвижность электронов при комнатной температуре, определенная методом Холла, составляет 6550 и 6000 см{2}/Bxс при концентрации электронов в канале 3. 00x10{12} и 3. 36x10{12} см{-2} соответственно. Гетероструктуры HEMT-транзисторов, изготавливаемые в одном процессе, имеют высокую однородность структурных и электрофизических характеристик по всей площади пластин диаметром 76. 2 мм и высокую воспроизводимость характеристик от процесса к процессу.

Доп.точки доступа:
Егоров, А. Ю.; Гладышев, А. Г.; Никитина, Е. В.; Денисов, Д. В.; Поляков, Н. К.; Пирогов, Е. В.; Горбацевич, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

К вопросу однородности свойств CVD-пленок 4H-SiC [Текст] / А. М. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 1002-1006. : ил. - Библиогр.: с. 1006 (9 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
CVD-пленки -- электрофизические свойства -- радиационные дефекты -- РД -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- первично выбитые атомы -- ПВА -- глубокие центры -- ГЦ -- облучение электронами -- электронное облучение -- протоны -- ядерная спектрометрия -- проводимость -- компенсация проводимости -- 4H-SiC
Аннотация: Для выявления неоднородности электрофизических свойств CVD-пленок 4H-SiC использованы физико-химические реакции, возникающие при введении радиационных дефектов структуры. Первично выбитые из узлов решетки атомы и вакансии активно взаимодействуют с примесями и дефектами исходного материала, формируя конечную систему радиационных центров. Облучение велось электронами с энергией 900 кэВ, протонами с энергией 8 МэВ в области доз, не приводящих к компенсации проводимости (менее 7. 5x10{12} см{-2}), а также дозой 6x10{14} см{-2}, вызывающей глубокую компенсацию. Использование емкостных методов, несмотря на усреднение характеристик по площади, выявило неидентичность характеристик образцов размерами ~3 мм. С применением техники ядерной спектрометрии, позволяющей осуществить микрозондирование образца, обнаружено индивидуальное поведение отдельных участков пленки масштабом до десятков мкм{2}.

Доп.точки доступа:
Иванов, А. М.; Строкан, Н. Б.; Щербов, Н. А.; Лебедев, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением gamma-квантами {60}Co [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1607-1614. : ил. - Библиогр.: с. 1613-1614 (16 назв. )

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
радиационные эффекты -- межфазные взаимодействия -- омические контакты -- барьерные контакты -- фосфид индия -- термическая обработка -- облучение gamma-квантами -- gamma-кванты -- радиационная стойкость -- внешние воздействия -- электрофизические характеристики -- распределение компонентов -- фазовые составы -- слои металлизации -- металлизация -- термическое облучение -- слоевые структуры -- радиационно-стимулированный массоперенос -- поликристаллические пленки -- контактообразующие слои -- электрофизические свойства
Аннотация: Исследована радиационная стойкость исходных и прошедших быструю термическую обработку омических контактов Au-Pd-Ti-Pd-n{++}-InP и барьерных Au-TiB[x]-n-n{+}-n{++}-InP при облучении gamma-квантами {60}Co до доз 10{9} P. До и после внешних воздействий измерялись электрофизические характеристики барьерных и омических контактов, профили распределения компонентов и фазовый состав в слоях металлизации. В омических контактах Pd-Ti-Pd-Au, прошедших быструю термическую обработку и облучение, происходит заметное нарушение слоевой структуры металлизации, обусловленное термическим и радиационно-стимулированным массопереносом Pd по границам зерен в поликристаллических пленках Ti и Au, но величина удельного контактного сопротивления rhoc существенно не изменяется, что связано со сравнительно постоянным фазовым составом контактообразующего слоя на границе раздела Pd-n{+}-InP. В исходном и прошедшем быструю термическую обработку при T=400{o}C образце с барьерными контактами Au-TiBx-n-n{+}-n{++}InP, облученном до дозы 2·10{8} P, сохраняется слоевая структура металлизации. После облучения до дозы 10{9} P в образцах, подвергнутых быстрой термической обработке при T=400{o}C слоевая структура металлизации полностью нарушается, однако она сохраняется в исходном образце. Электрофизические свойства контактной структуры значительно деградируют лишь после облучения образца, предварительно прошедшего быструю термическую обработку при T=400{o}C.

Доп.точки доступа:
Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Бобыль, А. В.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Корчевой, А. А.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В.; Новицкий, С. В.; Шеремет, В. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Тысченко, И. Е.
Структуры кремний-на-изоляторе с азотированным захороненным слоем SiO[2]: метод создания и свойства [Текст] / И. Е. Тысченко, В. П. Попов // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 335-342. : ил. - Библиогр.: с. 341-342 (21 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
структуры -- кремний-на-изоляторе -- КНИ -- ионы азота -- электрофизические свойства -- энергия ионов -- поверхностные состояния -- границы раздела -- ловушки -- положительные заряды -- имплантированные ионы
Аннотация: Исследованы электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе с имплантированным ионами азота захороненным слоем SiO[2] в зависимости от дозы и энергии ионов N{+}. Показано, что имплантация ионов азота дозами >3 x 10{15} см{-2} с энергией 40 кэВ приводит к уменьшению фиксированного положительного заряда в окисле и уменьшению плотности поверхностных состояний в 2 раза. Усиление эффекта может быть достигнуто путем снижения энергии ионов азота. Полученные результаты объясняются взаимодействием атомов азота с избыточными атомами кремния вблизи границы раздела Si/SiO[2] и удалением связей Si-Si, являющихся ловушками положительных зарядов, а также насыщением оборванных связей на границе сращивания структуры кремний-на-изоляторе.

Доп.точки доступа:
Попов, В. П.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-33

Тематический навигатор

Статистика за 02.09.2024
Число запросов	27956
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)