Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

БД "Статьи" (10)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=электрон-фононное взаимодействие<.>)

Общее количество найденных документов : 15
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-15

Панова, Г. Х.
Колебательные и электронные характеристики икосаэдрических квазикристаллов Zr[70]Pd[30]Zr[80]Pt[20] и их аморфных аналогов [Текст] / Г. Х. Панова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1543-1548. - Библиогр.: с. 1548 (15 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
атомная структура квазикристаллов -- бинарные металлические квазикрситаллы -- икосаэдрические квазикристаллы -- колебательные спектры -- плотность электронных состояний -- сверхпроводящие переходы -- теплоемкость -- электрон-фононное взаимодействие
Аннотация: Для установления корреляции между особенностями атомного ближнего порядка и физическими свойствами икосаэдрических квазикристаллов Zr[80]Pt[20] и Zr[70]Pd[30] и их аморфных аналогов исследована теплоемкость в области температур 1. 5 - 500 K. Сравнение полученных данных позволило обнаружить изменения колебательных спектров в области низких и высоких энергий, электронной плотности состояний, сверхпроводящих характеристик, электрон-фононного взаимодействия, ангармонизма тепловых колебаний решетки и вычислить значения основных средних частот (моментов), характеризующих колебательные спектры. Понижение температуры сверхпроводящего перехода T[c] в квазикристаллах по сравнению с аморфными аналогами связано с уменьшением плотности электронных состояний на поверхности Ферми, ужесточением фононного спектра и ослаблением электрон-фононного взаимодействия.

Доп.точки доступа:
Черноплеков, Н. А.; Шиков, А. А.; Kameny, T.; Kiss, L. F.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Троицкая, Е. П.
Фотоны и электрон-фотонное взаимодействие в кристаллах инертных газов при высоких давлениях [Текст] / Е. П. Троицкая, В. В. Чабаненко, Е. Е. Горбенко // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 11. - С. 2055-2062. - Библиогр.: с. 2062 (36 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
Бриллюэна зона -- зона Бриллюэна -- инертные газы -- модель Толпыго -- неадиабатичность -- поперечные моды -- продольные моды -- Толпыго модель -- фононные частоты -- фононы -- электрон-фононное взаимодействие
Аннотация: Представлены теоретические ab initio исследования динамики решеток сжатых кристаллов инертных газов в модели Толпыго, явно учитывающей деформацию электронных оболочек. Деформация электронных оболочек, обусловленная запаздыванием электронного отклика, рассматривается как неадибатичность (электрон-фононное взаимодействие). С учетом этого на основе неэмпирического короткодействующего потенциала отталкивания построена динамическая матрица, позволяющая рассчитывать фотонные частоты и электрон-фононное взаимодействие кристаллов ряда Ne-Xe в любой точке зоны Бриллюэна. Вклады в динамическую матрицу дальнодействующих кулоновских и ван-дер-ваальсовских сил представляют собой структурные суммы, зависящие только от типа решетки. Вычисление структурных сумм для ГЦК-решетки проведено методом Эвальда, Эмерслебена, а также прямым суммированием по векторам ГЦК-решетки. Использование в последнем случае 20 сфер обеспечивает точность не менее четырех значащих цифр. Исследование роли электрон-фононного взаимодейсвия в пяти токах высокой симметрии зоны Бриллюэна (X, L, U, K, W) при высоких давлениях показало, что происходит "размягчение" не только продольных мод фононов (в точках X, L), но и поперечных мод ( в точках U, K, W). Учет электрон-фононного взаимодействия в точке X улучшает согласие теоретических и экспериментальных фононных частот для Ar.

Доп.точки доступа:
Чабаненко, В. В.; Горбенко, Е. Е.

Найти похожие

Еремеев, С. В.
Влияние точечных дефектов на температурную зависимость ширины линии поверхностного электронного состояния на поверхности Au (111) [Текст] / С. В. Еремеев, Е. В. Чулков // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 808-812. - Библиогр.: с. 812 (33 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
точечные дефекты -- электрон-фононное взаимодействие -- энергия образования вакансии -- электронные поверхностные состояния
Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования электрон-фононного взаимодействия на поверхности Au (111). Показано, что учет температурно-активируемых точечных дефектов на поверхности позволяет согласовать измеренную температурную зависимость ширины линии поверхностного состояния с теоретическими результатами.

Доп.точки доступа:
Чулков, Е. В.

Найти похожие

Electron-phonon interaction in non-polar quantum dots induced by the amorphous polar environment [Text] / A. N. Poddubny [et al. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 10. - С. 756-760

УДК

^a530.145

ББК 22.314
Рубрики: Физика
Квантовая механика
Кл.слова (ненормированные):
неполярные квантовые точки -- квантовые точки -- электрон-фононное взаимодействие -- нанокристаллы

Доп.точки доступа:
Poddubny, A. N.; Goupalov, S. V.; Kozub, V. I.; Yassievich, I. N.

Найти похожие

Цыпленков, В. В.
Влияние одноосной деформации на релаксацию возбужденных состояний мелких доноров в кремнии при взаимодействии с междолинными фононами [Текст] / В. В. Цыпленков, К. А. Ковалевский, В. Н. Шастин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1450-1455 : ил. - Библиогр.: с. 1455 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фононы -- междолинные фононы -- рассеяние -- междолинное рассеяние -- доноры (физика) -- фосфор -- сурьма -- мышьяк -- деформация -- одноосная деформация -- релаксация (физика) -- электрон-фононное взаимодействие -- кремний -- анизотропия -- электроны -- возбуждение -- оптическое возбуждение -- состояния -- возбужденные состояния -- рабочие состояния -- время жизни состояний
Аннотация: Проведены расчеты скорости междолинного рассеяния возбужденных состояний 2[p±], 2[p0] и 1[s] доноров V группы (фосфор, сурьма, мышьяк) в кремнии при электрон-фононном взаимодействии. При этом учитывалась анизотропия эффективной массы и вырождение состояний электронов, связанное с шестью долинами зоны проводимости. Определена степень влияния сдвига энергии основного состояния из-за потенциала центральной ячейки на процесс релаксации различных доноров. Особое внимание уделено зависимости темпа релаксации от деформации сжатия кремния в кристаллографическом направлении [100]. Установлено, что такая деформация может значительно увеличить времена жизни рабочих состояний в лазере на внутрицентровых переходах доноров в кремнии при их оптическом возбуждении, повышая квантовую эффективность и коэффициент усиления такой активной среды.

Доп.точки доступа:
Ковалевский, К. А.; Шастин, В. Н.

Найти похожие

Взаимодействие электронов с локализованными в квантовой яме оптическими фононами [Текст] / Ю. Пожела [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1634-1640 : ил. - Библиогр.: с. 1639 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- КЯ -- рассеяние электронов -- скорость рассеяния электронов -- СР электронов -- полярные оптические фононы -- ПО фононы -- фононные ямы -- ФЯ -- интерфейсные фононы -- ИФ -- электрон-фононное взаимодействие -- гетероструктуры -- In[x]Al[1-x]As -- In[y]Ga[1-y]As -- электрические поля -- сильные электрические поля -- насыщение электронов -- скорость насыщения
Аннотация: Рассматривается скорость рассеяния электронов в квантовой яме на локализованных полярных оптических и интерфейсных фононах. Определена зависимость силы электрон-фононного взаимодействия от частоты оптических фононов в материалах гетероструктуры, образующих электронную и фононные квантовые ямы. Показано, что путем изменения состава полупроводников, образующих квантовую яму и ее барьеры, можно изменять скорости рассеяния электронов на оптических фононах в несколько раз. Вычислены скорости рассеяния электронов на полярных оптических фононах в зависимости от долей In[x] и In[y] в составе полупроводников, образующих квантовые ямы In[x]Al[1-x]As/In[y]Ga[1-y]As. Экспериментально определены зависимости подвижности и дрейфовой скорости насыщения электронов в сильных электрических полях в квантовых ямах In[y]Ga[1-y]As от состава введенных в квантовые ямы In[x]Al[1-x]As-барьеров. Подвижность электронов растет, а дрейфовая скорость насыщения уменьшается с увеличением доли In[x] в составе барьеров.

Доп.точки доступа:
Пожела, Ю.; Пожела, К.; Юцене, В.; Сужеделис, А.; Школьник, А. С.; Михрин, С. С.; Михрин, В. С.

Найти похожие

Мясников, Э. Н.
О процессе фазового перехода второго рода под влиянием сильного электрон-фононного взаимодействия [Текст] / Э. Н. Мясников, З. П. Мастропас // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. вып. 3. - С. 552-556. - Библиогр.: с. 556 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фазовые переходы -- фазовые переходы второго рода -- электрон-фононное взаимодействие -- метод мацубаровских квантовых функций Грина -- Грина мацубаровских квантовых функций метод
Аннотация: Рассмотрена модель кристалла с сильным электрон-фононным взаимодействием, порождающим фазовый переход второго рода. Задачей исследования является нахождение для этой модели температурной зависимости термодинамического потенциала в симметричной фазе в области температур, непосредственно примыкающей к температуре перехода T[c]. Для решения этой задачи использован метод мацубаровских квантовых функций Грина, который учитывает влияние и тепловых, и квантовых флуктуаций. Показано, что флуктуационные когерентные деформации кристаллической решетки, имеющие симметрию упорядоченной фазы, в результате взаимодействия с электронной подсистемой при T>T[c] оказываются энергетически выгодными. Полученные результаты позволяют построить модель процесса фазового перехода второго рода вблизи точки Кюри T[c].

Доп.точки доступа:
Мастропас, З. П.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Tyuterev, V. G. (доктор физико-математических наук).
On the Radiationless Decay of a Direct Exciton in an Indirect Gap Semiconductor [Text] / V. G. Tyuterev, S. V. Obukhov // Вестник Томского государственного педагогического университета. - 2011. - N 8 (110). - С. 49-52. . - Библиогр.: с. 52 (13 назв. ). - полный текст статьи см. на сайте Научной электронной библиотеки http://elibrary.ru

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
безизлучательная диссоциация -- диссоциации экситона -- полупроводники -- экситон -- электрон-фононное взаимодействие -- метод функционала плотности -- функционал плотности -- распад экситона
Аннотация: Построена теория безизлучательной диссоциации экситона в полупроводнике с непрямой запрещенной зоной. Показано, что в GaAs, GaP, а также в Ge под давлением основным механизмом распада экситона является рассеяние электрона на коротковолновых фононах в зоне проводимости.

Доп.точки доступа:
Obukhov, S. V. (научный сотрудник)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Рейх, К. В.
Электрон-фононное взаимодействие в локальной области [Текст] / К. В. Рейх, Е. Д. Эйдельман // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 8. - С. 1618-1620. . - Библиогр.: с. 1620 (9 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
электрон-фононное взаимодействие -- локальные области -- связанные состояния -- углеродные наноструктуры
Аннотация: Показано, что в области с локальным электрон-фононным взаимодействием возможно образование связанного состояния. Как пример материала, в котором может реализоваться такой эффект, рассматриваются углеродные наноструктуры. На основе развитых представлений стало возможным объяснить аномально высокую полевую эмиссию в таких структурах не только феноменологически, но и на микроскопическом уровне.

Доп.точки доступа:
Эйдельман, Е. Д.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Леонов, П. В.
Акустоэлектронное взаимодействие в качестве индикатора процесса обратимости времени при поглощении и испускании фононов [Текст] / П. В. Леонов // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2011. - № 61. - С. 132-135 : ил. - Библиогр.: с. 135 (5 назв.) . - ISSN 1999-8341

УДК

^a534

ББК 22.32
Рубрики: Физика
Акустика в целом
Кл.слова (ненормированные):
акустоэлектроника -- обратимость времени -- индикаторы -- фононы -- электрон-фононное взаимодействие -- поглощение
Аннотация: Изложена возможность обратимости времени в элементарных процессах электрон-фононного взаимодействия.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-15

Тематический навигатор

Статистика за 06.09.2024
Число запросов	64018
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)