Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

БД "Статьи" (16)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=электронный транспорт<.>)

Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8

Гатиятов, Р. Г.
Баллистический и диффузный режимы транспорта электронов в наноконтактах магнетиков [Текст] / Р. Г. Гатиятов, В. Н. Лисин, А. А. Бухараев // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 8. - С. 461-463

УДК

^a537.6

ББК 22.334
Рубрики: Физика
Магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
наноконтакты -- диффузный режим -- баллистический режим -- магнетики -- приконтактная область -- критические температуры -- магнитные фазовые переходы -- фазовые переходы -- транспортная длина -- электронный транспорт
Аннотация: Экспериментально наблюдался переход от баллистического режима транспорта электронов к диффузному при изучении магнитного фазового перехода в наноконтактах Ni различных размеров. Показано, что величина напряжения U[C], необходимая для джоулева нагрева приконтактной области до критической температуры, не зависит от размера контакта только в диффузном режиме. Продемонстрирована важность учета уменьшения транспортной длины свободного пробега электронов вследствие нагрева приконтактной области при определении режима электронного транспорта в наноконтактах.

Доп.точки доступа:
Лисин, В. Н.; Бухараев, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Артеменко, С. Н.
Электронный транспорт в коррелированном квантовом проводе с объемными контактами [Текст] / С. Н. Артеменко, П. П. Асеев, Д. С. Шапиро // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. вып. 11. - С. 659-663

УДК

^a537.3

ББК 22.332
Рубрики: Физика
Электрический ток
Кл.слова (ненормированные):
электронный транспорт -- адиабатические контакты -- межэлектронное взаимодействие -- квантовые провода -- объемные контакты -- фриделевские осцилляции -- проводимость системы
Аннотация: Теоретически исследуется электронный транспорт через контакты одномерной (1D) системы взаимодействующих электронов с металлическими 2D или 3D электродами. Выведены граничные условия на контактах. Показано, что если контакт не является адиабатическим, то возникающие в 1D фриделевские осцилляции (ФО) плотности заряда сильно подавляют проводимость системы аналогично действию примесей в системах 1D электронов с отталкиванием. Существует пороговое напряжение V[T], выше которого проводимость резко увеличивается, причем протекание постоянного тока I сопровождается генерацией колебаний тока с частотой f=I/e. Эффект связан с межэлектронным взаимодействием и пропадает в коротких проводящих каналах длиной L меньше L[0] приблизительно равно (h nu[F] / e V[T]) и при температурах T больше T[0] приблизительно равно (e V[T] / k[B] ).

Доп.точки доступа:
Асеев, П. П.; Шапиро, Д. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Особенности примесных состояний ванадия в теллуриде свинца [Текст] / А. Б. Артамкин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1591-1595. : ил. - Библиогр.: с. 1594-1595 (16 назв. )

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
примесные состояния -- ванадий -- теллурид свинца -- PbTe -- температурные зависимости -- носители заряда -- магнитная восприимчивость -- зависимость сопротивления -- магнитные измерения -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- электронный транспорт -- частотные зависимости -- межпримесные корреляции
Аннотация: Исследованы температурные зависимости сопротивления, магнитной восприимчивости, концентрации носителей заряда и подвижности в монокристаллических образцах PbTe (V) с варьируемым содержанием примеси. Показано, что ванадий формирует донорный уровень, расположенный на ~20 мэВ ниже дна зоны проводимости. Подвижность электронов достигает 10{5} см2В{-1}с{-1} в образцах с N[V] <= 0. 21 ат% и оказывается более чем на порядок выше в образцах с максимальным содержанием ванадия N[V]=0. 26 ат%. В этих же образцах реальная часть проводимости характеризуется выраженной частотной зависимостью. Увеличение концентрации ванадия сопровождается уменьшением эффективного магнитного момента атомов примеси. Особенности электронного транспорта в PbTe (V) могут быть обусловлены переменной валентностью ванадия и эффектами межпримесной корреляции.

Доп.точки доступа:
Артамкин, А. Б.; Добровольский, А. А.; Винокуров, А. А.; Зломанов, В. П.; Гаврилкин, С. Ю.; Иваненко, О. М.; Мицен, К. В.; Рябова, Л. И.; Хохлов, Д. Р.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Бурмистрова, А. В.
Электронный транспорт через границу нормального металла с двухзонным сверхпроводником с межзонным типом спаривания [Текст] / А. В. Бурмистрова, Т. Ю. Карминская, И. А. Девятов // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 93, вып. 3. - С. 148-153.

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
электронный транспорт -- двухзонные сверхпроводники -- сверхпроводники -- межзонный тип спаривания
Аннотация: Предложена последовательная схема диагонализации гамильтониана сверхпроводника с учетом как внутризонного, так и межзонного спаривания. Рассчитана температурная зависимость параметра порядка сверхпроводника с межзонным типом спаривания. Теоретически рассмотрен электронный транспорт через границу нормального металла и двухзонного сверхпроводника с межзонным типом спаривания.

Доп.точки доступа:
Карминская, Т. Ю.; Девятов, И. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Electron transport and anisotropy of the upper critical magnetic field in a Ba[0. 68]K[0. 32]Fe[2]As[2] single crystals [Text] / V. A. Gasparov [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 93, вып. 1. - С. 29-33.

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- надкритическое магнитное поле -- электронный транспорт -- анизотропия

Доп.точки доступа:
Gasparov, V. A.; Wolff, F.; Sun, D. L.; Lin, C. T.; Wosnitza, J.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Бурмистрова, А. В.
Теоретический анализ когерентного электронного транспорта в структурах, содержащих многозонные сверхпроводники с различными типами сверхпроводящего спаривания [Текст] / А. В. Бурмистрова, И. А. Девятов // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 5. - С. 263-269

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
электронный транспорт -- когерентный электронный транспорт -- многозонные сверхпроводники -- сверхпроводящее спаривание -- ток Джозефсона -- Джозефсона ток
Аннотация: Теоретически рассмотрен когерентный электронный транспорт в структурах с многозонными сверхпроводниками, описываемыми моделями внутриорбитального (s[плюс минус]-модель) и межорбитального сверхпроводящего спаривания. Рассчитаны проводимости контактов однозонного нормального металла со сверхпроводящими пниктидами для этих моделей спаривания. Рассчитаны температурные и фазовые зависимости тока Джозефсона через переходы, содержащие обычный изотропный сверхпроводник БКШ-типа и сверхпроводящий пниктид, в рамках рассматриваемых моделей спаривания с учетом температурных зависимостей параметров порядка сверхпроводников.

Доп.точки доступа:
Девятов, И. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Разработка и изготовление молекулярного одноэлектронного транзистора с изолированными боковыми затворами [Текст] / Е. К. Морозова [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2019. - Т. 83, № 1. - С. 6-11. - Библиогр.: c. 11 (16 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a621.373.826

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
изоляция затворов -- молекулярные нанотранзисторы -- одноэлектронные транзисторы -- электронный транспорт
Аннотация: Разработан и реализован вариант молекулярного нанотранзистора с повышенной эффективностью и надежной изоляцией боковых затворов. Показан коррелированный характер электронного транспорта в транзисторе и высокое сопротивление изоляции затворов (более 1 ТОм), обеспечивающее правильный режим измерений характеристик управления транзистора.

Доп.точки доступа:
Морозова, Е. К.; Гайдамаченко, В. Р.; Дагесян, С. А.; Солдатов, Е. С.; Белоглазкина, Е. К.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Паршинцев, А. А.
Особенности электронного транспорта в молекулярном одноатомном транзисторе на атомах Sc, Cr, Ru, Rh, Pt [Текст] / А. А. Паршинцев, В. В. Шорохов, Е. С. Солдатов // Известия РАН. Серия физическая. - 2019. - Т. 83, № 1. - С. 12-18. - Библиогр.: c. 18 (17 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.194

ББК 22.36
Рубрики: Физика
Молекулярная физика в целом
Кл.слова (ненормированные):
аурофильная производная терпиридина -- одноатомные транзисторы -- терпиридин -- электронный транспорт -- эффективные туннельные барьеры
Аннотация: Исследованы транспортные характеристики одноатомного транзистора с зарядовым центром на основе атомов Sc, Cr, Ru, Rh, Pt. Расчитаны одночастичные электронные спектры молекул координационного соединения этих атомов с аурофильной производной терпиридина в различных зарядовых состояниях и исследованы их особенности. Изучено влияние длины линкеров на свойства эффективных туннельных барьеров и транспортные характеристики одноатомного транзистора.

Доп.точки доступа:
Шорохов, В. В.; Солдатов, Е. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 07.09.2024
Число запросов	976
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)