Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (23)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=электронная плотность<.>)

Общее количество найденных документов : 19
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-19

Нечаев, И. А.
Учет обменно-корреляционных эффектов в ab initio методах расчета закона дисперсии и ширины линии плазмотрона в металлах [Текст] / И. А. Нечаев, В. М. Силкин, Е. В. Чулков // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 10. - С. 1737-1743. - Библиогр.: с. 1743 (39 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
волновой вектор энергии -- дисперсия -- обменно-корреляционные эффекты -- приближение хаотических фаз -- ширина линии плазмона -- электронная плотность
Аннотация: Для вычисления обменно-корреяционных поправок к приближению хаотических фаз предложен самосогласованный аналог фактора локального поля Хаббарда, учитывающий эффекты реальной зонной структуры изучаемого металла. Представлены результаты расчетов зависимости от волнового вектора энергии и ширины линии плазмона в калии. Расчеты проводились как в рамках приближения хаотических фаз, так и с поправками на локальное поле. Полученное в результате хорошее согласие с экспериментальными данными свидетельствует, во-первых, о необходимости учета поправок к приближению хаотических фаз для металлов с низкой электронной плотностью, во-вторых, о приемлемости аппроксимации фактора локального поля.

Доп.точки доступа:
Силкин, В. М.; Чулков, Е. В.

Найти похожие

Разжувалов, А. Н.
"Конденсаторная"модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN (0001) [Текст] / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 1. - С. 178-188. - Библиогр.: с. 188 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
конденсаторная модель гистерезиса -- петли гистерезиса -- туннельный ток -- электронная плотность -- квантовые ямы -- нитридные вюрцитные структуры -- однорезонансное приближение -- модель зарядового конденсатора
Аннотация: На основе самосогласованного расчета туннельного тока двухбарьерной структуры w-GaN/AlGaN (0001) развита "конденсаторная" модель гистерезиса, в которой скачки тока, изменения потенциала и электрического поля в структуре при переходе с одной ветви петли тока на другую рассматриваются как результат перезарядки двух совмещенных конденсаторов, пластины которых расположены в положениях экстремумов вариации электронной плотности в области эмиттера, квантовой ямы и коллектора. Показано. что при компенсации внешнего и внутреннего полей в яме туннельный ток резко и необратимо переключается на характеристики другого резонанса, формируя широкую петлю гистерезиса, на ветвях которой происходит перераспределение заряда между квантовой ямой и коллектором. При совпадении полей образуется узкая "однорезонансная" петля гистерезиса, сопровождающаяся перетеканием электронного заряда из эмиттера в коллектор. Развитая модель приводит к согласованию с результатами самосогласованного расчета и дает наглядную интерпретацию сложных процессов электронного туннелирования.

Доп.точки доступа:
Гриняев, С. Н.

Найти похожие

Исследование импульсного распределения электронов в углеводороде по комптоновским профилям [Текст] / А. А. Сидоров [и др. ] // Вестник Брянского государственного технического университета. - 2009. - N 3. - С. 165-170. - Библиогр.: с. 170 (8 назв. ) . - ISSN 5-89838-2

УДК

^a53

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
эффект Комптона -- Комптона эффект -- импульсная аппроксимация -- электронная плотность -- рентгеновское излучение -- атомно-рассеивающий фактор -- электроны -- углерод -- комптоновские профили -- структура графита -- структура алмаза
Аннотация: Исследованы комптоновские профили углерода со структурой графита и алмаза. Установлено влияние структуры вещества на импульсное распределение электронов в этих кристаллах.

Доп.точки доступа:
Сидоров, А. А.; Холодовский, В. Е.; Кульченко, Е. А.; Бавкунов, М. А.; Авдащенко, Д. В.; Малофеев, С. Е.

Найти похожие

Джахангирли, З. А.
Самосогласованный расчет глубоких уровней вакансий Ge и S в GeS методом функций Грина [Текст] / З. А. Джахангирли // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. вып. 3. - С. 436-438. - Библиогр.: с. 438 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
функции Грина -- Грина функции -- линейные комбинации атомных орбиталей -- дефектные уровни -- орторомбические кристаллы -- электронная плотность
Аннотация: На основе теории функций Грина в базисе локализованных орбиталей рассмотрена электронная структура локальных дефектов. Обсуждены электронные состояния в запрещенной зоне, резонансы и изменение электронной плотности в кристалле с дефектом.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Сорокин, Д. А.
Концентрация и температура электронов в плазме диффузного разряда, формируемого при высоких перенапряжениях в плотных газах [Текст] / Д. А. Сорокин, М. И. Ломаев, К. Ю. Кривоногова // Известия Томского политехнического университета. - 2010. - Т. 316. N 2. - С. 80-85 : ил. - Библиогр.: с. 84-85 (15 назв. ). . - ISSN 1684-8519

УДК

^a533.9

ББК 22.333
Рубрики: Физика
Электронные и ионные явления. Физика плазмы
Кл.слова (ненормированные):
плазма гелия -- электроны -- температура электронов -- диффузный разряд -- концентрация электронов -- плотные газы -- метод штарковского уширения -- электронная плотность -- плазма азота -- аппаратные функции
Аннотация: Методом штарковского уширения определены средние за время импульса значения концентрации электронов в плазме диффузного разряда в гелии при давлениях от 1 до 6 атм. Представлена временная динамика электронной плотности в разрядной плазме гелия при атмосферном давлении. Для плазмы разряда в гелии при давлении 1 атм максимальное значение концентрации электронов составило ~5, 4. 10{15} см{-3}. В разрядной плазме азота посредством методики, основанной на столкновительно-радиационной модели плазмы, оценено среднее за время импульса значение температуры электронов, которое составляет ~2, 3 эВ, а также ее временная динамика.

Доп.точки доступа:
Ломаев, М. И.; Кривоногова, К. Ю.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Вибронные свойства органических полупроводников на основе фталоцианиновых комплексов с несимметричным распределением электронной плотности [Текст] / И. А. Белогорохов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 795-800. : ил. - Библиогр.: с. 800 (25 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
органические полупроводники -- фталоцианиновые комплексы -- электронная плотность -- твердые пленки -- дифталоцианин -- трифталоцианин -- октахлорфталоцианинат -- третбутилфталоцианинат -- октабутилфталоцианинат -- оптические свойства -- вибронные свойства -- лантаниды -- несимметричное распределение электронной плотности
Аннотация: Посвящена исследованию оптических свойств органических полупроводников на основе ди- и трифталоцианиновых комплексов лантанидов (III) с несимметричным распределением электронной плотности. Получены твердые пленки дифталоцианина {Cl}PcLu{tBu}Pc и трифталоцианина {Cl}PcEu{Bu}PcLu{Bu}Pc ({Cl}Pc=2, 3, 9, 10, 16, 17, 23, 24-октахлорфталоцианинат, {tBu}Pc=2 (3), 9 (10), 16 (17), 23 (24) -тетра- третбутилфталоцианинат, {Bu}Pc=2, 3, 9, 10, 16, 17, 23, 24-октабутилфталоцианинат) и исследованы их спектры пропускания в средней ИК-области. Расшифровка спектров пропускания показала, что усложнение структуры молекул фталоцианина приводит к тому, что в области 1400-1450 см{-1} изоиндольная группа может проявлять вибронные свойства в виде четырех линий поглощения. В дальней ИК-области обнаружены новые линии поглощения, наличие которых может быть связано с присутствием хлор-углеродных связей.

Доп.точки доступа:
Белогорохов, И. А.; Мартышов, М. Н.; Мамичев, Д. А.; Дронов, М. А.; Пушкарев, В. Е.; Рябчиков, Ю. В.; Форш, П. А.; Томилова, Л. Г.; Хохлов, Д. Р.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Фатеев, Д. В.
Трансформация плазмонного спектра в транзисторной структуре с решеточным затвором и пространственно-модулированным двумерным электронным каналом [Текст] / Д. В. Фатеев, В. В. Попов, M. S. Shur // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1455-1462. : ил. - Библиогр.: с. 1461-1462 (30 назв. )

УДК

^a621.37/.39

ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника
Радиоэлектроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
плазмонные спектры -- транзисторные структуры -- решеточные затворы -- двумерные электронные каналы -- 2D электронные каналы -- электронная плотность -- плазмоны -- трансформация спектров -- спектры плазмона
Аннотация: Построена теория возбуждения плазмонных резонансов в транзисторной структуре с решеточным затвором и 2D электронным каналом с пространственно-модулированной электронной плотностью. Исследована трансформация спектра плазмонов при изменении величины пространственной модуляции электронной плотности в канале транзисторной структуры. Найдены условия преимущественного возбуждения подзатворных или межконтактных плазмонов и исследовано взаимодействие различных плазмонных мод в терагерцовом частотном диапазоне. Показано, что интенсивность возбуждения подзатворных плазмонных резонансов в транзисторной структуре с решеточным затвором значительно возрастает благодаря конструктивной роли межконтактных участков электронного канала. Ширина линии плазмонных резонансов в транзисторной структуре с решеточным затвором оказывается сравнимой с вкладом, определяемым электронным рассеянием в канале транзисторной структуры.

Доп.точки доступа:
Попов, В. В.; Shur, M. S.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Калашников, Александр Александрович.
Аналитическое решение задачи определения поля электрической напряженности СВЧ волны импульсного радара в высокотемпературной плазме [Текст] / А. А. Калашников // Известия Томского политехнического университета. - 2010. - Т. 317, N 2 : Математика и механика : Физика. - С. 125-128. : ил. - Библиогр.: с. 128 (8 назв. )

УДК

^a533.9

ББК 22.333
Рубрики: Физика
Электронные и ионные явления. Физика плазмы
Кл.слова (ненормированные):
импульсные радары -- высокотемпературная плазма -- СВЧ волны -- плазма -- импульсная рефлектометрия -- динамические модели -- микроволновое излучение -- электронная плотность
Аннотация: Представлено аналитическое решение задачи определения пространственно-временного распределения поля электрической напряженности излучения импульсного радара в плазме. Реализация решения проведена с учетом двумерных эффектов взаимодействия СВЧ волны и плазмы.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Лисицын, Виктор Михайлович.
Структурные фазы азида серебра [Текст] / В. М. Лисицын, Ю. Н. Журавлев // Известия Томского политехнического университета. - 2010. - Т. 317, N 2 : Математика и механика : Физика. - С. 138-143. : ил. - Библиогр.: с. 143 (13 назв. )

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
структурные фазы -- азиды серебра -- теория функционала плотности -- электронная плотность -- CRYSTAL06 -- анализ заселенности по Малликену -- зонная структура -- упругие постоянные -- парциальная плотность состояний -- полная плотность состояний -- молекулы азота -- механическая стабильность
Аннотация: Методами теории функционала локальной электронной плотности с градиентной аппроксимацией обменно-корреляционного потенциала программным кодом CRYSTAL06 исследованы структурные фазы азида серебра. Показана возможность существования тетрагональных фаз симметрии I4/mcm и I41/a, а также орторомбической, в которой структурными элементами являются практически не взаимодействующие между собой молекулы азота и цепочки из ковалентно связанных атомов серебра и азота. Упругие постоянные такого кристалла не удовлетворяют условиям механической стабильности. Ширина запрещенной зоны в нем равна 0, 02 эВ.

Доп.точки доступа:
Журавлев, Ю. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Чернова, Е. М.
Квантово-механическое исследование электронного строения неразветвленных одноатомных спиртов [Текст] / Е. М. Чернова, В. В. Туровцев, Ю. Д. Орлов // Вестник Тверского государственного университета. - 2010. - № 36 (Физика). - С. 96-101 : ил., табл. - Библиогр.: с. 101 (5 назв. ) . - ISSN 1995-0128

УДК

^a530.145

^a539.19

^a544

ББК 22.314 + 22.36 + 24.5
Рубрики: Физика
   Квантовая механика
   Молекулярная физика в целом
   Химия
   Физическая химия в целом
Кл.слова (ненормированные):
аддитивно-групповой подход -- атомы -- атомы в молекуле -- Бейдера теория -- группы -- индуктивный эффект -- исследования -- квантово-механическая теория -- квантовые расчеты -- молекулы -- одноатомные спирты -- переносимость групп -- плотность -- подходы -- расчеты -- спирты -- строение -- теории -- теория Бейдера -- электронная плотность -- электронное строение -- электроотрицательность -- эффекты
Аннотация: Электронное строение неразветвленных одноатомных спиртов.

Доп.точки доступа:
Туровцев, В. В.; Орлов, Ю. Д.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-19

Тематический навигатор

Статистика за 27.08.2024
Число запросов	96109
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)