Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (2)

БД "Статьи" (23)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=электролюминесценция<.>)

Общее количество найденных документов : 30
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30

Барабан, Александр Петрович.
Зарядовое состояние центров люминесценции в структурах Si-SiO[2], подвергнутых последовательной имплантации ионами кремния и углерода [Текст] / А. П. Барабан, Ю. В. Петров // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 3. - С. 18-22. - Библиогр.: с. 22 (9 назв. )

УДК

^a537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- имплантация -- ионная имплантация -- кремний -- углерод -- отжиг -- заряды -- карбид кремния
Аннотация: Исследована электролюминесценция структур, подвергнутых последовательной ионной имплантации кремния и углерода, а также постимплантационному отжигу.

Доп.точки доступа:
Петров, Юрий Владимирович

Найти похожие

Влияние параметров Ge (Si) /Si (001) самоформирующихся островков на их электролюминесценцию при комнатной температуре [Текст] / Д. Н. Лобанов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 332-336

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция многослойных структур -- отжиг структур -- излучательная рекомбинация -- кремний
Аннотация: Выполнены исследования электролюминесценции многослойных p-i-n-структур с самоформирующимися Ge (Si) /Si (001) -островками. Обнаружено, что структуры с островками, выращенными при 600\{o\}C, обладают наибольшей интенсивностью сигнала электролюминесценции при комнатной температуре в области длин волн 1. 3-1. 55 мкм. Отжиг структур с Ge (Si) -островками приводит к увеличению интенсивности сигнала ЭЛ при низких температурах, но ухудшает температурную стабильность этого сигнала, что связывается с дополнительной диффузией Si в островки во время отжига. Обнаруженный существенный рост интенсивности сигнала электролюминесценции с увеличением толщины разделительного Si-слоя связывается с уменьшением упругих напряжений в структуре с увеличением толщины этого слоя. Наибольшее значение внешней квантовой эффективности ЭЛ в области длин волн 1. 3-1. 55 мкм, полученное в исследованных структурах, при комнатной температуре составило 0. 01%.

Доп.точки доступа:
Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Кудрявцев, К. Е.; Шенгуров, Д. В.; Дроздов, Ю. Н.; Яблонский, А. Н.; Шмагин, В. Б.; Красильник, З. Ф.; Захаров, Н. Д.; Werner, Р.

Найти похожие

Емельянов, А. М.
Краевая электролюминесценция монокристаллического кремния при температуре 80 K: структуры на основе высокоэффективного солнечного элемента [Текст] / А. М. Емельянов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 231-236. - Библиогр.: с. 236 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
краевая электролюминесценция -- электролюминесценция -- монокристаллический кремний -- кремниевые светодиоды -- высокоэффективные солнечные элементы -- внешняя квантовая эффективность -- свободные экситоны -- люминесценция электронно-дырочная плазма
Аннотация: В широком диапазоне импульсных токов при температуре 80 K исследованы спектральные, кинетические и мощностные характеристики краевой электролюминесценции кремниевых светодиодов с излучающей площадью 0. 055 cm{2}, полученных путем резки высокоэффективного солнечного элемента. В отличие от ряда исследованных ранее и менее эффективных кремниевых светодиодов внешняя квантовая эффективность при фиксированном токе была выше при 80 K, чем при 300 K, и достигала максимальной величины около 0. 4%. Несмотря на проявление механизма Оже-рекомбинации при импульсном токе 12 A достигнута рекордная мощность излучения с единицы площади P = 0. 2 W/cm{2}. Показано, что достижение этой рекордной величины в значительной мере связано с изменением механизма излучательной рекомбинации при больших токах. Анализируются условия перехода от люминесценции свободных экситонов к люминесценции электронно-дырочной плазмы.

Найти похожие

Светодиоды "теплого" белого свечения на основе p-n-гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN, покрытых люминофорами из иттрий-гадолиниевых гранатов [Текст] / Н. П. Сощин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 700-704

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- спектры электролюминесценции -- светодиоды -- цветовые характеристики -- гетероструктуры -- люминофоры
Аннотация: Изучены спектры электролюминесценции и цветовые характеристики светодиодов белого свечения на основе p-n-гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN с синим излучением (лямбда[max] приблизительно равно 455 нм), покрытых люминофорами типа алюминий-гадолиний-иттриевых гранатов, активированных ионами Ce\{3+\}. Максимум в спектрах возбуждения люминофоров изменяется в пределах 460-470 нм. Спектры люминесценции люминофоров имеют максимумы от 530 до 590 нм и ширину на половине интенсивности от 120 до 135 нм, в зависимости от состава соединений. Подбор отношения интенсивностей синей и желто-оранжевой полос позволяет сдвинуть координаты цветности белых светодиодов в область "теплого" свечения с коррелированной цветовой температурой до T[CC]=3000 K и максимальной световой отдачей до 50 лм/Вт.

Доп.точки доступа:
Сощин, Н. П.; Гальчина, Н. А.; Коган, Л. М.; Широков, С. С.; Юнович, А. Э.

Найти похожие

Переходная электролюминесценция и аномальная дисперсия носителей заряда в тонких полимерных пленках 1840 [Текст] / А. Р. Тамеев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 9. - С. 1840-1845. - Библиогр.: с. 1845 (28 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- дисперсия носителей заряда -- тонкие полимерные пленки -- органические светодиоды -- носители заряда -- аномальные дисперсии
Аннотация: Исследованы электролюминесценция и транспорт носителей заряда в органическом светодиоде на основе тонкой полимерной пленки. Выполнен теоретический анализ начальной кинетики переходной электролюминесценции. Как расчетные, так и экспериментальные кривые характеризуются аномальной дисперсией и универсальностью, что можно считать следствием неравновесной стимулированной полем дисперсии носителей заряда. Показано, что дрейфовую подвижность носителей заряда следует определять исходя из времени, соответствующего полувысоте установившейся интенсивности излучения, а не из времени задержки электролюминесценции.

Доп.точки доступа:
Тамеев, А. Р.; Никитенко, В. Р.; Лыпенко, Д. А.; Ванников, А. В.

Найти похожие

Самохвалов, Михаил Константинович.
Вольт-яркостные характеристики люминесцентных пленок ZnS: Mn [Текст] / М. К. Самохвалов, М. О. Тахтенкова // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 79. - С. 3-6. - Библиогр.: с. 6 (6 назв. ) . - ISSN 1561-5405

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- люминофоры -- тонкопленочные структуры -- электролюминесцентные структуры -- люминесцентные пленки
Аннотация: Исследованы вольт-яркостные характеристики, зависимость светоотдачи от напряжения и спектры фотолюминесценции люминесцентных пленок ZnS: Mn, полученных термическим и электронно-лучевым испарением. Особенности свойств объясняются различиями в процессах возбуждения активаторных центров, связанных со структурным состоянием слоев.

Доп.точки доступа:
Тахтенкова, Марина Олеговна

Найти похожие

Распределение электрических полей в монокристаллах ZnS : Mn при электролюминесценции [Текст] / М. Ф. Буланый [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 745-749 : ил. - Библиогр.: с. 749 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электрические поля -- кристаллы -- монокристаллы -- вольт-яркостные характеристики -- ВЯХ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- электролюминесценция -- ЭЛ -- ZnS : Mn
Аннотация: Исследованы вольт-яркостные характеристики монокристаллов ZnS : Mn и их зависимость от частоты и напряженности электрического поля. Предложена модель механизма возбуждения электролюминесценции в данных кристаллах на основе возбуждения центров свечения электролюминесценции электронами, ускоренными в электрических полях барьеров типа Шоттки. Такие барьеры образованы дислокациями в местах прерывания ими дефектов упаковки. Получено хорошее согласие между экспериментальными и расчетными данными.

Доп.точки доступа:
Буланый, М. Ф.; Коваленко, А. В.; Полежаев, Б. А.; Прокофьев, Т. А.

Найти похожие

Самохвалов, Михаил Константинович.
Вольт-яркостные характеристики люминесцентных пленок ZnS: Mn [Текст] / М. К. Самохвалов, М. О. Тахтенкова // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 5. - С. 3-6 : рис. - Библиогр.: с. 6 (6 назв. )

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- люминофор -- тонкопленочная электролюминесцентная структура -- индикаторные устройства -- оптические характеристики -- электрические характеристики
Аннотация: Исследованы вольт-яркостные характеристики, зависимость светоотдачи от напряжения и спектры фотолюминесценции люминесцентных пленок ZnS: Mn, полученных термическим и электронно-лучевым испарением.

Доп.точки доступа:
Тахтенкова, Марина Олеговна

Найти похожие

Влияние электрического поля на интенсивность и спектр излучения квантовых ям InGaN/GaN [Текст] / Н. И. Бочкарева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1541-1548 : ил. - Библиогр.: с. 1547-1548 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- КЯ -- InGaN/GaN -- спектры излучений -- электрические поля -- фотолюминесценция -- ФЛ -- электролюминесценция -- p-n переходы -- напряжение -- прямое напряжение -- туннелирование -- квантовый выход -- фототоки -- инжекция -- электрическая инжекция -- оптическая инжекция -- квантовая эффективность
Аннотация: Проведены сравнительные исследования фотолюминесценции из квантовых ям при приложении прямого напряжения и электролюминесценции в структурах p-GaN/InGaN/n-GaN. Показано, что при приложении прямого напряжения наблюдается характерный красный сдвиг пика спектра, а также уширение линии фотолюминесценции и одновременное возгорание фотолюминесценции, связанные с уменьшением поля в области объемного заряда p-n-перехода и подавлением туннельной утечки носителей заряда из хвостов плотности состояний активного слоя InGaN. Анализ полученных результатов показал существенное влияние туннелирования на квантовый выход и позволил оценить внутреннюю квантовую эффективность структур. Показано, что неравновесное заполнение хвостов плотности состояний квантовых ям InGaN/GaN зависит от способа инжекции и контролируется захватом носителей, инжектированных в квантовую яму, при оптической инжекции и туннелированием носителей "под" квантовой ямой при электрической инжекции.

Доп.точки доступа:
Бочкарева, Н. И.; Богатов, А. Л.; Горбунов, Р. И.; Латышев, Ф. Е.; Зубрилов, А. С.; Цюк, А. И.; Клочков, А. В.; Леликов, Ю. С.; Ребане, Ю. Т.; Шретер, Ю. Г.

Найти похожие

10.

Использование короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN в светодиодах синего диапазона [Текст] / В. С. Сизов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 955-961. : ил. - Библиогр.: с. 960-961 (9 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
сверхрешетки -- короткопериодные сверхрешетки -- КПСР -- InGaN/GaN -- светодиодные структуры -- светодиоды синего диапазона -- квантовые точки -- КТ -- квантовые ямы -- оптические свойства -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- электролюминесценция
Аннотация: Исследованы оптические и светодиодные диодные структуры с активной областью InGaN, содержащие короткопериодные сверхрешетки InGaN/GaN. Показано, что короткопериодные сверхрешетки представляют собой тонкие двумерные слои с относительно малым содержанием индия, содержащие в себе включения толщиной 1-3 нм с высоким содержанием индия. Включения проявляют себя с точки зрения оптических свойств как неоднородный массив квантовых точек, заключенный в остаточную квантовую яму. Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах позволяет уменьшить концентрацию безызлучательных центров, а также повысить инжекцию носителей в активной области за счет увеличения эффективной высоты барьера AlGaN, что в целом приводит к повышению квантовой эффективности светодиодов.

Доп.точки доступа:
Сизов, В. С.; Цацульников, А. Ф.; Сахаров, А. В.; Лундин, В. В.; Заварин, Е. Е.; Черкашин, Н. А.; Hytch, M. J.; Николаев, А. Е.; Минтаиров, А. М.; Yan He; Merz, J. L.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-20 21-30

Тематический навигатор

Статистика за 20.08.2024
Число запросов	27448
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)