Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (49)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=электрические свойства<.>)

Общее количество найденных документов : 35
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-35

Electrical and optical properties of InN with periodic metallic In insertions [Text] / T. A. Komissarova [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 304-307

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
InN -- электрические свойства -- оптические свойства

Доп.точки доступа:
Komissarova, T. A.; Shubina, T. V.; Jmerik, V. N.; Ivanov, S. V.; Ryabova, L. I.; Khokhlov, D. R.; Vasson, А.; Leymarie, J.; Araki, T.; Nanishi, Y.

Найти похожие

Электрические свойства монокристаллов In[2]Se[3] и фоточувствительность барьеров Шоттки Al/In[2]Se{3] [Текст] / И. В. Бондарь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1179-1182 : ил. - Библиогр.: с. 1182 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- In[2]Se[3] -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- Al/In[2]Se{3] -- фоточувствительность -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- электрические свойства -- кристаллическая структура -- электропроводность -- удельная электропроводность -- постоянная Холла -- Холла постоянная -- выпрямления -- фотовольтаические эффекты -- фотопреобразователи -- широкополосные преобразователи -- оптические излучения
Аннотация: Методом Бриджмена выращены монокристаллы In[2]Se[3] диаметром 14 и длиной ~ 40 мм. Определен состав полученных монокристаллов и их кристаллическая структура. На выращенных монокристаллах проведены измерения удельной электропроводности (sigma) и постоянной Холла (R) и созданы первые барьеры Шоттки Al/n-In[2]Se[3]. В новых структурах обнаружены выпрямление и фотовольтаический эффект. На основании исследований спектров фоточувствительности структур Al/n-In[2]Se[3] определены характер межзонных переходов и значения ширины запрещенной зоны кристаллов In[2]Se[3]. Сделан вывод о возможностях применения новых структур при создании широкополосных фотопреобразователей оптических излучений.

Доп.точки доступа:
Бондарь, И. В.; Ильчук, Г. А.; Петрусь, Р. Ю.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Сергинов, М.

Найти похожие

Брудный, В. Н.
Электронные свойства и закрепление уровня Ферми в облученных полупроводниках II-IV-V[2] [Текст] / В. Н. Брудный // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1187-1194 : ил. - Библиогр.: с. 1194 (31 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- полупроводники группы II-IV-V[2] -- высокоэнергетические частицы -- электроны -- протоны -- нейтроны -- облучение -- высокоэнергетическое облучение -- тройные полупроводниковые соединения -- электрические свойства -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- экспериментальные данные
Аннотация: Представлены экспериментальные данные по электронным свойствам полупроводников группы II-IV-V[2], облученных высокоэнергетическими частицами - электронами, протонами и нейтронами. Проведена оценка предельных электрических характеристик облученных тройных полупроводников сравнительно с соответствующими данными для их бинарных аналогов III-V. Особое внимание уделено оценке предельного положения уровня Ферми F[lim] в облученных соединениях II-IV-V[2], представлены данные расчетов энергетического положения собственного уровня локальной зарядовой нейтральности.

Найти похожие

Особенности механизма дефектообразования в монокристаллах CdS при облучении большими дозами быстрых реакторных нейтронов [Текст] / Г. Е. Давидюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1441-1446 : ил. - Библиогр.: с. 1445-1446 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- CdS -- нейтроны -- реакторные нейтроны -- дефектообразование -- кластеры дефектов -- КД -- кадмий -- отжиг -- температура -- кулоновское выталкивание -- облучение -- нейтронное облучение -- облучение реакторными нейтронами -- коэффициент поглощения -- КП -- электрические свойства -- оптические свойства
Аннотация: Исследовались электрические и оптические свойства облученных быстрыми реакторными нейтронами дозой >=10{18} см{-2} монокристаллов CdS. Было установлено, что в облученном материале образуются кластеры дефектов, в которых доминирующими являются вакансии кадмия. При распаде кластеров дефектов в процессе радиационно стимулированного отжига или отжига в температурном интервале ~200-400oC решетка кристалла обогащается вакансиями Cd. Предполагается, что в образовании кластеров дефектов существенную роль играют подпороговые эффекты, связанные с преимущественным возбуждением K-оболочек атомов Cd и их кулоновским выталкиванием с ядра кластера.

Доп.точки доступа:
Давидюк, Г. Е.; Кевшин, А. Г.; Божко, В. В.; Галян, В. В.

Найти похожие

Сверхпроводящие свойства кремниевых наноструктур [Текст] / Н. Т. Баграев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1481-1495 : ил. - Библиогр.: с. 1494 (53 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- кремниевые наноструктуры -- сандвич-наноструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- кремниевые квантовые ямы -- delta-барьеры -- бор -- сопротивления -- удельные сопротивления -- термоэдс -- теплоемкость -- статическая магнитная восприимчивость -- циклотронный резонанс -- ЦР -- самоупорядоченная кремниевая квантовая яма -- СККЯ -- сканирующая туннельная микроскопия -- СТМ -- корреляционная энергия -- отрицательная корреляционная энергия -- акцепторы бора -- дырочные биполяроны -- высокотемпературная сверхпроводимость -- наноструктурированные delta-барьеры -- локальная туннельная спектроскопия -- ЛТС -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- оптические свойства -- электрические свойства -- сверхпроводящие свойства -- температурная зависимость -- полевая зависимость -- осцилляция -- квантование -- критическая температура -- вторичная ионная масс-спектроскопия -- ВИМС -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- сверхтоки
Аннотация: Сверхпроводящие свойства кремниевых сандвич-наноструктур на поверхности Si (100) n-типа, которые представляют собой сверхузкие кремниевые квантовые ямы p-типа, ограниченные delta-барьерами, сильно легированными бором, проявляются в измерениях температурных и полевых зависимостей удельного сопротивления, термоэдс, теплоемкости и статической магнитной восприимчивости. Данные исследований циклотронного резонанса, сканирующей туннельной микроскопии и ЭПР идентифицируют наличие в наноструктурированных delta-барьерах одиночных тригональных дипольных центров бора, B{+}-B{-}, с отрицательной корреляционной энергией, которые сформированы вследствие реконструкции мелких акцепторов бора, 2B{0}- B{+}+B{-}. Полученные результаты свидетельствуют о том, что эти центры с отрицательной корреляционной энергией ответственны за перенос дырочных биполяронов малого радиуса, который, по-видимому, лежит в основе механизма высокотемпературной сверхпроводимости TC=145 K. Причем значение величины сверхпроводящей щели, 0. 044 эВ, определенное с помощью измерений критической температуры при использовании вышеуказанных методик, практически идентично данным локальной туннельной спектроскопии и прямой регистрации туннельных ВАХ. Квантование характеристик сверхпроводимости кремниевых сандвич-наноструктур проявляется в температурных и полевых зависимостях теплоемкости и статической магнитной восприимчивости, которые демонстрируют осцилляции второго критического поля и критической температуры, возникающие вследствие квантования сверхтока.

Доп.точки доступа:
Баграев, Н. Т.; Клячкин, Л. Е.; Кудрявцев, А. А.; Маляренко, А. М.; Романов, В. В.

Найти похожие

Изменение спектра электронных состояний в поликристаллическом p-CdTe в результате отжига в Cd и естественного старения [Текст] / С. А. Колосов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1526-1533 : ил. - Библиогр.: с. 1532 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электронные состояния -- спектры электронных состояний -- p-CdTe -- поликристаллы -- низкотемпературный синтез -- отжиг -- естественное старение (физика) -- электрические свойства -- станционарная фотопроводимость -- кинетика фотопроводимости -- температурная зависимость -- временные зависимости -- дефекты -- затухания фототоков -- фототоки
Аннотация: Исследованы электрические свойства, стационарная фотопроводимость и кинетика фотопроводимости образцов поликристаллического p-CdTe: исходного, полученного методом низкотемпературного синтеза из глубоко очищенных компонентов; отожженного в парах Cd и состаренного при комнатной температуре. Показано, что электрические свойства исходного p-CdTe определяются сложным дефектом с энергией E[v]+0. 16 эВ, который трансформируется в уровень E[v]+0. 25 эВ при отжиге в Cd и старении образцов. Обнаружены также глубокие центры E[v]+0. 6 эВ и E[v]+0. 86 эВ, определяющие процессы затухания фототока.

Доп.точки доступа:
Колосов, С. А.; Клевков, Ю. В.; Клоков, А. Ю.; Кривобок, В. С.; Шарков, А. И.

Найти похожие

Технологические особенности формирования вакуумных фторполимерных пленок в ВЧ-плазме и их структурные и электрические свойства [Текст] / П. А. Лучников [и др. ] // Наукоемкие технологии. - 2009. - Т. 10, N 11. - С. 30-36 : ил. - Библиогр.: с. 36 (5 назв. ) . - ISSN 1999-8465

УДК

^a620.1/.2

ББК 30.3
Рубрики: Техника
Материаловедение
Кл.слова (ненормированные):
технологические особенности -- вакуумные фторполимерные пленки -- фторполимерные пленки -- электронные компоненты ВЧ-плазмы -- структурные свойства -- электрические свойства -- политетрафторэтилен -- фторполимерные пленки -- радиационный эффект -- спин-радикалы -- молекулярные структуры -- время релаксации -- электреты -- ВЧ-плазма -- стабильность зарядов -- полимерные слои -- электретные свойства
Аннотация: Исследованы процессы воздействия электронной компоненты ВЧ-плазмы на молекулярную структуру и электрические свойства получаемых вакуумных фторполимерных пленок в процессе их роста из активной газовой фазы. Приведены результаты исследований электретных свойств фторполимерных пленок в плазме ВЧ-разряда при воздействии внешним электрическим полем.

Доп.точки доступа:
Лучников, П. А.; Березин, В. М.; Рогачев, А. А.; Вишневский, А. С.; Лучников, А. П.

Найти похожие

Фотопроводимость пленок гидрированного кремния с двухфазной структурой [Текст] / А. Г. Казанский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 513-516 : ил. - Библиогр.: с. 516 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гидрированные пленки -- пленки -- кремний -- двухфазные структуры -- фотопроводимость -- электрические свойства -- фотоэлектрические свойства -- оптические свойства -- нанокристаллические структуры -- комнатная температура -- нанокристаллы -- время жизни зарядов -- рекомбинация -- поглощение -- дефекты
Аннотация: Исследованы электрические, фотоэлектрические и оптические свойства пленок гидрированного кремния с различным соотношением нанокристаллической и аморфной фаз в структуре материала. При переходе от аморфной к нанокристаллической структуре проводимость пленок при комнатной температуре возрастает более чем на 5 порядков величины. Изменение стационарной фотопроводимости при увеличении доли нанокристаллической составляющей в структуре пленок имеет немонотонный характер и определяется изменением подвижности и времени жизни носителей заряда. Введение малой доли нанокристаллов в аморфную матрицу приводит к уменьшению поглощения в "дефектной" области спектра и соответственно уменьшению концентрации дефектов типа оборванных связей, являющихся основными центрами рекомбинации носителей заряда в аморфном гидрированном кремнии. В то же время наблюдается уменьшение фотопроводимости в данных пленках, что может объясняться появлением новых центров, связанных с нанокристаллами и приводящих к уменьшению времени жизни неравновесных носителей заряда.

Доп.точки доступа:
Казанский, А. Г.; Теруков, Е. И.; Форш, П. А.; Kleider, J. P.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Осаждение тонких пленок Bi[2]Te[3] и Sb[2]Te[3] методом импульсной лазерной абляции [Текст] / И. С. Вирт [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 564-569 : ил. - Библиогр.: с. 568-569 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- тонкие пленки -- осаждение -- импульсная лазерная абляция -- ИЛА -- метод импульсной лазерной абляции -- подложки -- монокристаллические подложки -- температура -- мишени -- рентгеновская дифрактометрия -- метод рентгеновской дифрактометрии -- дифракция электронов высоких энергий -- метод дифракции электронов высоких энергий -- кристаллиты -- электрические свойства -- удельное сопротивление -- абляции
Аннотация: Методом импульсной лазерной абляции получены пленки Bi[2]Te[3] и Sb[2]Te[3]. Пленки осаждались в вакууме (1x10{-5} мм рт. ст. ) на подогретые до температуры 453-523 K монокристаллические подложки Al[2]O[3] (0001), BaF[2] (111) и свежие сколы KCl или NaCl (001). Толщина пленок составляла 10-1500 нм. Структура объемного материала мишеней и пленок исследовалась методом рентгеновской дифрактометрии и дифракции электронов высоких энергий на просвет соответственно. Электрические свойства пленок измерялись в температурном интервале 77-300 K. Показано, что пленки обладают полупроводниковыми свойствами. На температурных зависимостях удельного сопротивления наблюдается несколько активационных участков, энергии которых зависят от толщины пленки и размеров кристаллитов.

Доп.точки доступа:
Вирт, И. С.; Шкумбатюк, Т. П.; Курило, И. В.; Рудый, И. О.; Лопатинский, И. Е.; Линник, Л. Ф.; Тетеркин, В. В.; Федоров, А. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Сравнительное изучение изменения электрических свойств кремния и карбида кремния при облучении протонами [Текст] / В. В. Емцев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 706-712 : ил. - Библиогр.: с. 711-712 (28 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кремний -- карбид кремния -- облучение протонами -- протонное облучение -- электрические свойства -- энергия -- первичные радиационные дефекты -- ПРД -- пар Френкеля -- Френкеля пар -- ПФ -- кристаллические решетки -- дефекты -- сравнительное изучение
Аннотация: Обсуждаются скорости удаления носителей заряда из зоны проводимости в FZ-Si и 4H-SiC n-типа, подвергнутых облучению протонами с энергией 8 и 15 МэВ при комнатной температуре. Приведены расчетные оценки скоростей образования первичных радиационных дефектов (пар Френкеля) в этих материалах, которые сравниваются с экспериментально определенными величинами. Протоны создают дефекты в каскадах соударений с участием атомов отдачи самой кристаллической решетки. Проведено сопоставление с аналогичными данными, полученными ранее при облучении FZ-Si и 4H-SiC n-типа электронами с энергией 900 кэВ, когда среди первичных радиационных дефектов абсолютно доминируют изолированные так называемые близкие пары Френкеля. Установлено, что модель образования E-центров, которая очень хорошо описывает уменьшение удельной электропроводности n-FZ-Si при электронном облучении, не подходит для интерпретации экспериментальных данных, полученных при протонном облучении. Относительно 4H-SiC ставится вопрос о существенном отжиге "простых " радиационных дефектов типа близких пар Френкеля во время облучения при комнатной температуре.

Доп.точки доступа:
Емцев, В. В.; Иванов, А. М.; Козловский, В. В.; Лебедев, А. А.; Оганесян, Г. А.; Строкан, Н. Б.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-35

Тематический навигатор

Статистика за 27.08.2024
Число запросов	86648
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)