Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (22)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=электрическая поляризация<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Транспорт носителей заряда в композитных наноструктурах на основе слоистого полупроводника p-GaSe и сегнетоэлектрика KNO[3] [Текст] / А. П. Бахтинов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 348-359. : ил. - Библиогр.: с. 358-359 (48 назв. )

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
носители заряда -- композитные наноструктуры -- наноструктуры -- слоистые полупроводники -- полупроводники -- ПП -- сегнетоэлектрики -- СЭ -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- импеданс структур -- GaSe -- 2D слои матрицы -- двумерные слои матрицы -- слоистые кристаллы -- СК -- нанообразования -- НО -- трехмерные нанообразования -- 3D нанообразования -- фазовые переходы -- электрическая поляризация -- рентгеновские исследования -- АСМ исследования -- электрические характеристики -- эффект Максвелла - Вагнера -- Максвелла - Вагнера эффект -- квантовые ямы -- туннелирование зарядов
Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики и частотные зависимости импеданса композитных наноструктур, созданных на основе слоистого анизотропного полупроводника GaSe и сегнетоэлектрика KNO[3]. Многослойные наноструктуры формировались путем внедрения наноразмерных пирамидальных сегнетоэлектрических включений в слоистую матрицу GaSe. Обнаружены явления гистерезиса на вольт-амперных характеристиках и резкие изменения проводимости и емкости на частотных характеристиках импеданса структур. Они связаны с коллективным эффектом переключения электрической поляризации в наноразмерных 3D сегнетоэлектрических включениях в слоистой матрице, с особенностями ее локального деформирования и с политипными фазовыми переходами в этой матрице. Рентгеновские, АСМ исследования и исследования импеданса в слабом (B<400 мТ) магнитном поле показывают, что электрические характеристики наноструктур связаны с проявлением эффекта Максвелла-Вагнера в наноструктурах, с формированием квантовых ям в GaSe при деформировании кристаллов в области локализации наноразмерных включений, с туннелированием носителей заряда в структурах.

Доп.точки доступа:
Бахтинов, А. П.; Водопьянов, В. Н.; Ковалюк, З. Д.; Нетяга, В. В.; Коноплянко, Д. Ю.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Юрков, А. С.
Упругие граничные условия при наличии флексоэлектрического эффекта [Текст] / А. С. Юрков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 6. - С. 490-493.

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
флексоэлектрический эффект -- теория упругости -- уравнения теории упругости -- электрическая поляризация -- кристаллы
Аннотация: Получены граничные условия к уравнениям теории упругости, модифицированной наличием флексоэлектрического эффекта. Показано, что в общем случае они не совпадают с граничными условиями стандартной теории упругости. В частности, на поверхности возникают напряжения, пропорциональные произведению поляризации на кривизну поверхности. За счет граничных условий однородная поляризация деформирует кристалл, хотя в объемные уравнения равновесия она не входит.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Самохин, А. А.
Об использовании пьезодатчиков для регистрации акустических импульсов [Текст] / А. А. Самохин // Инженерная физика. - 2012. - № 6. - С. 30-34 : схема, граф. - Библиогр.: с. 34 (8 назв.) . - ISSN 2072-9995

УДК

^a534

ББК 22.32
Рубрики: Физика
Акустика в целом
Кл.слова (ненормированные):
пьезодатчики -- акустические импульсы -- короткий акустический импульс -- электрическая поляризация
Аннотация: Обсуждаются особенности различных режимов работы пьезодатчиков при регистрации коротких акустических импульсов, связанные, в частности, с граничными условиями на рабочих поверхностях датчиков и другими их характеристиками.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Пикин, С. А.
Увеличение электрической поляризации в мультиферроике, индуцированное флексоэлектрическим эффектом [Текст] / С. А. Пикин, И. С. Любутин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 4. - С. 257-261

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
мультиферроики -- кристаллы -- флексоэлектрический эффект -- электрическая поляризация -- магнитоэлектрический эффект -- перовскитоподобные мультиферроики -- манганиты
Аннотация: Для кристаллов мультиферроиков, обладающих магнитоэлектрическим эффектом, показана возможность увеличения электрической поляризации при наличии флексоэлектрического эффекта. Для перовскитоподобных мультиферроиков на основе манганитов установлено, что поляризация может увеличиваться, если при ромбоэдрическом искажении октаэдров МnО[6] длинные оси образующихся ромбоэдров могут совершать в пространстве веерообразные развороты, приводящие к флексоэлектрическому эффекту.

Доп.точки доступа:
Любутин, И. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Спонтанная переориентация электрической поляризации в мультиферроиках Eu[1-x]Ho[x]MnO[3] [Текст] / В. Ю. Иванов [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 1. - С. 32-37

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
мультиферроики -- монокристаллы -- электрическая поляризация -- сегнетоэлектрическое состояние
Аннотация: Проведены исследования магнитных, диэлектрических и сегнетоэлектрических свойств монокристаллов системы Eu[1-x]Ho[x]MnO[3] (0 меньше x меньше равно 0. 5), где магнитное упорядочение можно менять от скошенной антиферромагнитной фазы до модулированных спиновых структур. Обнаружено, что при низких температурах возникает сегнетоэлектрическое состояние, в котором по мере понижения температуры и роста содержания гольмия электрическая поляризация переориентируется от оси a к оси c. Показано, что переориентация поляризации обусловлена сменой плоскости вращения спинов в циклоидальной фазе от ab- к cb-плоскости благодаря стабилизации последней при возрастании редкоземельного вклада в энергию анизотропии. Построена T-x фазовая диаграмма магнитных и сегнетоэлектрических состояний.

Доп.точки доступа:
Иванов, В. Ю.; Мухин, А. А.; Глушков, В. В.; Балбашов, А. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	92331
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)