Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (3)

БД "Статьи" (24)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=халькогениды<.>)

Общее количество найденных документов : 25
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-25

Влияние орбитального упорядочения на транспортные и магнитные свойства MnSe и MnTe [Текст] / С. С. Аплеснин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 11. - С. 1984-1989. - Библиогр.: с. 1988-1989 (19 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
магнитная восприимчивость -- Нееля температура -- орбитальное упорядочение -- проводимость -- температура Нееля -- термоциклирование -- удельное электросопротивление -- халькогениды марганца
Аннотация: Проведены измерения проводимости на поликристаллических образцах MnSe и MnTe при термоциклировании в интервале температур 80 < T < 300 K в магнитном поле до 5kOe. В MnSe найдены магниторезестивные эффекты в области температур ниже температуры Нееля. Особенности температурных зависимостей магнитной восприимчивости и удельного электросопротивления в определенных интервалах температур объясняются в рамках орбитального упорядочения, описываемого псевдоорбитальными моментами, взаимодействующими со спинами.

Доп.точки доступа:
Аплеснин, С. С.; Рябинкина, Л. И.; Романова, О. Б.; Балаев, Д. А.; Демиденко, О. Ф.; Янушкевич, К. И.; Мирошниченко, Н. С.

Найти похожие

Спектроскопия заряженных дефектов в тонких слоях стеклообразного Ge[0. 285]Pb[0. 15]S[0. 565] [Текст] / Р. А. Кастро [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 382-384

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
стеклообразные системы -- спектры релаксаторов -- изотермическая релаксация -- халькогениды стеклообразных полупроводников -- инфранизкие частоты
Аннотация: На основании экспериментальных кривых изотермической релаксации темнового тока в тонких пленках стеклообразного полупроводника Ge[0. 285]Pb[0. 15]S[0. 565] впервые проведен расчет функции распределения времен релаксации, ее основных параметров и энергетического распределения плотности состояний заряженных дефектов. Полученные результаты подтверждают предположения о существовании в исследуемой системе недебаевского механизма дисперсии в интервале инфранизких частот и могут быть использованы для дальнейшего исследования электронных свойств неупорядоченных полупроводников.

Доп.точки доступа:
Кастро, Р. А.; Бордовский, В. А.; Анисимова, Н. И.; Грабко, Г. И.

Найти похожие

Анализ текстуры в слитках халькогенидов Bi и Sb для определения формы фронта кристаллизации и глубины нарушенных резкой слоев [Текст] / Ю. М. Белов [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2009. - Т. 75, N 5. - С. 28-31 . - ISSN 1028-6861

УДК

^a543.4/.5

^a539.2

^a621.315.592

ББК 24.46/48 + 22.37 + 31.233
Рубрики: Химия
   Физико-химические методы анализа
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
халькогениды -- Bi -- Sb -- висмут -- сурьма -- кристаллизация -- нарушенные слои -- рентгеноструктурная диагностика -- крупнокристаллические пластины -- термоэлектрические материалы -- оценка глубины нарушенных резкой слоев -- термоэлементы -- определение текстуры халькогенидов -- текстура халькогенидов
Аннотация: Показано применение рентгеноструктурной методики для оценки формы фронта кристаллизации, текстуры и однородности состава крупнокристаллических пластин термоэлектрического материала на основе халькогенидов Bi и Sb, полученных методом кристаллизации из расплава.

Доп.точки доступа:
Белов, Ю. М.; Бублик, В. Т.; Воронин, А. И.; Выговская, Е. А.; Пономарев, В. Ф.; Табачкова, Н. Ю.; Торопова, О. В.

Найти похожие

Еремеев, С. В.
Тройные халькогениды полуметаллов на основе таллия (Tl-V-VI[2]) - новый класс трехмерных топологических изоляторов [Текст] / С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. вып. 11. - С. 664-668

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
халькогениды -- халькогениды полуметаллов -- тройные халькогениды -- топологические изоляторы -- трехмерные топологические изоляторы -- электронная структура -- защищенное поверхностное состояние -- дираковский конус -- диэлектрики -- запрещенная щель
Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования объемной и поверхностной электронной структуры соединений Tl-V-VI[2], где V - полуметаллы Bi и Sb, VI - халькогены Se и Te. Показано, что материалы рассмотренной серии соединений являются трехмерными топологическими изоляторами. На поверхности данных соединений присутствуют как топологически защищенное поверхностное состояние, формирующее в окрестности точки дираковский конус, так и занятые состояния типа "оборванной связи", локализованные в запрещенной щели.

Доп.точки доступа:
Коротеев, Ю. М.; Чулков, Е. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Мамедов, А. А.
Влияние дефектности структуры кристаллов gamma-La[2 (1-x) ]Nd[2x]S[3] на их спектроскопические свойства [Текст] / А. А. Мамедов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 440-444 : ил. - Библиогр.: с. 444 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- комбинационное рассеяние света -- монокристаллы -- нелегированные монокристаллы -- спектры фотолюминесценции -- спектроскопические свойства -- кристаллы -- дефектность -- халькогениды -- редкоземельные ионы -- РЗ ионы -- ионы -- длина волны -- неодим
Аннотация: Приводятся результаты исследования фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света нелегированных монокристаллов gamma-Ln[2]S[3] (Ln-редкоземельный ион), а также кинетики распада уровня {4}F[3/2] ионов неодима в этих кристаллах. Дается объяснение искажения кривой распада уровня {4}F[3/2] ионов неодима при возбуждении светом с длиной волны lambda=0. 53 мкм.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Кристаллическая структура и электронные свойства твердых растворов Gd[x]Mn[1-x]S и Ti[x]Mn[1-x]Se [Текст] / А. И. Галяс [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - С. 639-642. - Библиогр.: с. 642 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- фазовые превращения -- широкозонные магнитные полупроводники -- халькогениды марганца
Аннотация: Определены области существования твердых растворов сульфидов Gd[x]Mn[1-x]S и селенидов Ti[x]Mn[1-x]Se. В интервале температур 80-900 K изучены особенности электрических и термоэлектрических свойств. Установлено, что при замещении катионов Mn{+2} ионами Gd{+2} и Ti{+2} имеет место смена типа носителя заряда по отношению к исходным соединениям MnS и MnSe. Катионное замещение в твердых растворах приводит к смене дырочного типа проводимости (альфа>0), свойственного моносульфиду и моноселениду марганца, на электронный (альфа<0).

Доп.точки доступа:
Галяс, А. И.; Демиденко, О. Ф.; Маковецкий, Г. И.; Янушкевич, К. И.; Рябинкина, Л. И.; Романова, О. Б.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Двухэлектронные центры олова, образующиеся в стеклообразных халькогенидах мышьяка в результате ядерных превращений [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1012-1016. : ил. - Библиогр.: с. 1016 (10 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
примесные атомы -- стеклообразные халькогениды мышьяка -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- материнские атомы -- ядерные превращения -- двухэлектронные центры олова -- мышьяк -- корреляционная энергия -- радиоактивный распад -- мессбауэровская спектроскопия -- мессбауэровские спектры -- ядерный квадрупольный резонанс -- ЯКР -- метод ядерного квадрупольного резонанса
Аннотация: Примесные атомы {119m}Sn, образующиеся после радиоактивного превращения материнских атомов {119mm}Sn в структуре стекол As[2]S[3], As[2]Se[3] и As[2]Te[3], входят в состав стекла в виде структурных единиц, отвечающих четырехвалентному олову. Примесные атомы {119m}Sn, образующиеся после радиоактивного распада атомов {119}Sb в структуре стекол As[2]S[3] и As[2]Se[3], локализуются в узлах мышьяка и играют роль двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией. Для стекла As[2]Te[3] аналогичным образом образующиеся атомы {119m}Sn электрически неактивны. Большая часть дочерних атомов {119m}Sn, образующихся после радиоактивного распада материнских атомов {119m}Te в стеклах As[2]S[3], As[2]Se[3] и As[2]Te[3], находится в узлах халькогенидов, и они электрически неактивны. Значительная энергия отдачи дочерних атомов в случае распада {119m}Te приводит к появлению смещенных атомов {119m}Sn.

Доп.точки доступа:
Бордовский, Г. А.; Гладких, П. В.; Кожокарь, М. Ю.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.; Теруков, Е. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Раткин, Л. С.
Перспективы разработки и освоения производства наноматериалов [Текст] / Л. С. Раткин // Нано- и микросистемная техника. - 2011. - N 11. - С. 30-32. . - Библиогр.: с. 32 (5 назв. )

УДК

^a621.37/.39

ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника
Радиоэлектроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
наноматериалы -- фуллерены -- мультимодальные наносистемы -- модификация поверхности -- нанокристаллическая структура -- катализ -- адсорбция -- гидроксил-апатит -- халькогениды -- нанотехнологии
Аннотация: Под патронажем Российской академии наук (РАН), Министерства образования и науки РФ, Отделения химии и наук о материалах РАН, Научного Совета по наноматериалам при Президиуме РАН, Института металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН и МГУ им. М. В. Ломоносова весной 2011 года в Москве была организована и проведена IV Всероссийская конференция по наноматериалам.

Доп.точки доступа:
Российская академия наук; Министерство образования и науки РФ; Всероссийская конференция по наноматериалам
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Модели U-минус-центра олова в халькогенидных кристаллических и стеклообразных проводниках [Текст] = Models of negative U-tin-Centers in chalcogenide crystalline and glassy semiconductors / Г. А. Бордовский [и др.] // Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. - 2012. - № 147. - С. 37-50 : 12 рис. - Библиогр.: с. 47-50 (25 назв. ) . - ISSN 1992-6464

УДК

^a539.21:537

^a535.33

^a539.2

ББК 22.373 + 22.37 + 22.344
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Спектроскопия
Кл.слова (ненормированные):
халькогениды свинца -- мышьяк -- эмиссионная мессбауэровская спектроскопия -- мессбауэровская спектроскопия -- спектроскопия -- полупроводники -- полиметаллы -- олово -- германий -- таллиевые стекла -- германатные стекла -- стеклообразные полупроводники
Аннотация: Рассмотрены результаты исследования донорных U-минус-центров в халькогенидах свинца и амфотерных U-минус-центров в стеклообразных халькогенидах мышьяка и германия методом мессбауэровской спектроскопии.

Доп.точки доступа:
Бордовский, Геннадий Алексеевич (доктор физико-математических наук; профессор; президент Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена); Марченко, Алла Валентиновна (кандидат физико-математических наук; доцент кафедры физической электроники); Кожокарь, Михаил Юрьевич (аспирант кафедры физической электроники); Николаева, Анна Валерьевна (студентка 5 курса)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Синтез, структурные и магнитные свойства анион-замещенных халькогенидов марганца [Текст] / С. С. Аплеснин [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 7. - С. 1296-1301. - Библиогр.: с. 1300-1301 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
анион-замещенные халькогениды марганца -- кристаллические структуры -- магнитные свойства -- халькогениды марганца
Аннотация: Проведены синтез и исследования кристаллическoй структуры и магнитных свойств анион-замещенных твердых растворов MnSe[1-x]Te[x]. Показано, что в области концентраций 0=< x=<0. 4 твердые растворы обладают гранецентрированной кубической структурой. С ростом концентрации замещающего элемента в системе MnSe[1-x]Te[x] выявлено увеличение коэффициента теплового расширения образца. Исследования магнитных свойств выполнены в интервале температур 80 K в магнитном поле до 8. 6 kOe. Экспериментально установлено, что тип антиферромагнитного порядка (второй тип упорядочения) не меняется во всем интервале концентраций до x = 0. 4, а парамагнитная температура Кюри и температура Нееля уменьшаются в пределах 20%. Проведены теоретические расчеты методом Монте-Карло и предложена модель нанокластеров с нескомпенсированным антиферромагнитным моментом.

Доп.точки доступа:
Аплеснин, С. С.; Романова, О. Б.; Горев, М. В.; Васильев, А. Д.; Демиденко, О. Ф.; Маковецкий, Г. И.; Янушкевич, К. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-20 21-25

Тематический навигатор

Статистика за 06.09.2024
Число запросов	81653
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)