Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (28)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=фотоэлектрические преобразователи<.>)

Общее количество найденных документов : 34
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-34

Фотоэлектрические преобразователи AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs [Текст] / С. А. Блохин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 537-541

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
молекулярно-пучковая эпитаксия -- однопереходные преобразователи -- квантовые точки -- фотоэлектрические преобразователи -- солнечные элементы -- полупроводниковые гетероструктуры
Аннотация: Исследованы особенности создания методом молекулярно-пучковой эпитаксии однопереходных фотоэлектрических преобразователей AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs. Впервые показана принципиальная возможность бездислокационного внедрения вертикально-связанных квантовых точек в структуры фотоэлектрических преобразователей без видимого ухудшения структурного качества p-n-перехода. Благодаря дополнительному поглощению в среде квантовых точек длинноволновой области солнечного спектра и последующему эффективному разделению фотогенерированных носителей заряда впервые в мире продемонстрировано увеличение (~1%) плотности тока короткого замыкания J[sc] в фотоэлектрических преобразователях с квантовыми точками. Максимальное значение кпд реализованных фотоэлектрических преобразователей составило 18. 3% при преобразовании прямого наземного солнечного спектра AM1. 5G.

Доп.точки доступа:
Блохин, С. А.; Сахаров, А. В.; Надточий, А. М.; Паюсов, А. С.; Максимов, М. В.; Леденцов, Н. Н.; Ковш, А. Р.; Михрин, С. С.; Лантратов, В. М.; Минтаиров, С. А.; Калюжный, Н. А.; Шварц, М. З.

Найти похожие

Бобренко, Ю. Н.
Эффективные фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе ZnS [Текст] / Ю. Н. Бобренко, С. Ю. Павелец, А. М. Павелец // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 830-835 : ил. - Библиогр.: с. 834 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
преобразователи -- фотоэлектрические преобразователи -- ФП -- ультрафиолетовые излучения -- УФ излучения -- слои -- варизонные слои -- p-n переходы -- гетероструктуры -- ZnS
Аннотация: Использование сверхтонкой (~10 нм) стабильной пленки p-Cu[1. 8]S в качестве прозрачной составляющей гетероперехода p-Cu[1. 8]S-n-ZnS, а также варизонных слоев позволило получить эффективные фотопреобразователи ультрафиолетового излучения. Представлены результаты исследования свойств фотоактивных переходов Cu[1. 8]S-ZnS, выращенных на подложках CdS или CdSe с промежуточными варизонными слоями соответственно CdS-Zn[x]Cd[1-x]S или CdSe- (ZnS) [x] (CdSe) [1-x]. При правильном выборе параметров подложек варизонные слои позволяют без дополнительного легирования посторонней примесью всех составляющих гетероструктуры достичь оптимальных характеристик p-n-перехода, реализовать большие электрические поля на контакте Cu[1. 8]S-ZnS и решить проблему создания тыльного омического контакта к ZnS. Варьируя толщину тонкого слоя ZnS, можно контролировать протяженность пространственного заряда в варизонном слое и тем самым управлять длинноволновым краем чувствительности фотопреобразователя.

Доп.точки доступа:
Павелец, С. Ю.; Павелец, А. М.

Найти похожие

Дубровский, В. Г.
Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: синтез, свойства, применения [Текст] : обзор / В. Г. Дубровский, Г. Э. Цырлин, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1585-1628 : ил. - Библиогр.: с. 1625-1628 (176 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- полупроводниковые нитевидные нанокристаллы -- выращивание нанокристаллов -- рост нанокристаллов -- структура нанокристаллов -- эффект Гиббса-Томсона -- Гиббса-Томсона эффект -- пар-жидкость-кристалл -- ПЖК -- эпитаксия -- селективная эпитаксия -- физические свойства -- нанофотоника -- наноэлектроника -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- нанобиотехнологии -- обзоры -- синтез нанокристаллов -- свойства нанокристаллов -- применение нанокристаллов -- кристаллическая структура нанокристаллов -- пар-кристалл-кристалл -- ПКК -- нуклеация -- поверхностная диффузия -- релаксация упругих напряжений -- температурная зависимость -- морфологические свойства -- магнитные свойства -- эмиттеры -- полевые эмиттеры -- фотоэлектрические преобразователи -- ФЭП -- наносенсоры
Аннотация: Дан обзор современных результатов исследований полупроводниковых нитевидных нанокристаллов. Изложены физические основы выращивания нитевидных нанокристаллов по механизму "пар-жидкость-кристалл" и представлены основные эпитаксиальные технологии синтеза нитевидных нанокристаллов. Детально рассмотрены термодинамические и кинетические факторы, определяющие морфологические свойства, состав и кристаллическую структуру нитевидных нанокристаллов. Изложены основные теоретические модели роста и структуры нитевидных нанокристаллов. Приведены данные по физическим свойствам нитевидных нанокристаллов и возможностям их применений в нанофотонике, наноэлектронике и нанобиотехнологии.

Доп.точки доступа:
Цырлин, Г. Э.; Устинов, В. М.

Найти похожие

Ультракомпактные солнечные ячейки открыли новые горизонты техники [Текст] // Альтернативная энергетика и экология. - 2010. - N 1 (81). - С. 195-197 : фот. . - ISSN 1608-8298

УДК

^a621.382

^a621.383

^a620.91:662.97

ББК 32.852 + 32.854 + 31.63
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы
   Фотоэлектрические приборы
   Энергетика
   Гелиоэнергетика
Кл.слова (ненормированные):
солнечная энергия -- ультракомпактные солнечные ячейки -- микроскопические солнечные батареи -- сенсорные чипы -- миллиметровые чипы -- микрочипы -- Phoenix -- фотоэлектрические преобразователи
Аннотация: Возможные стратегии применения недорогих и миниатюрных солнечных батарей.

Доп.точки доступа:
Университет Мичиган \лаборатория автоматизации\; Лаборатория автоматизации университета Мичигана; "Semprius", компания; Компания "Semprius"; "IBM Research", компания; Компания "IBM Research"
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние состава растворов-прекурсоров на оптические свойства пленок In[2]S[3], осаждаемых ионным наслаиванием [Текст] / С. А. Гаврилов [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2010. - N 2. - С. 10-17 : рис. - Библиогр.: с. 17 (12 назв. )

УДК

^a535

ББК 22.34
Рубрики: Физика
Оптика в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические преобразователи -- сверхтонкие пленки -- ионное наслаивание -- сульфид индия -- химическое равновесие -- кислород
Аннотация: Методом ионного наслаивания из водных растворов различного состава сформированы пленки In[2]S[3] на поверхности TiO[2] и пористого анодного Al[2]O[3]. Установлено, что состав катионных и анионных растворов-прекурсоров влияет на оптическую ширину запрещенной зоны пленок.

Доп.точки доступа:
Гаврилов, Сергей Александрович; Железнякова, Анастасия Вячеславовна; Редичев, Евгений Николаевич; Попенко, Наталья Ивановна
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Применение рефлекторов из ITO/Al для повышения эффективности монокристаллических кремниевых фотопреобразователей [Текст] / В. Р. Копач [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 801-806. : ил. - Библиогр.: с. 806 (26 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические преобразователи -- фотопреобразователи -- ФЭП -- однопереходные преобразователи -- ОП ФЭП -- многопереходные преобразователи -- МП ФЭП -- кремниевые преобразователи -- монокристаллические преобразователи -- тыльно-поверхностные рефлекторы -- ТПР -- оксид индия-олова -- ITO -- экспериментальные исследования
Аннотация: Показано, что для повышения эффективности работы и технологичности изготовления однопереходных монокристаллических кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии необходимо использовать тыльно-поверхностный рефлектор на основе проводящего прозрачного оксида индия-олова (ITO) толщиной 0. 25-2 мкм. Для повышения кпд и снижения чувствительности к углу падения света на фотоприемную поверхность многопереходных фотоэлектрических преобразователей с вертикальными диодными ячейками на основе монокристаллического кремния необходимо создать вдоль вертикальных границ диодных ячеек рефлекторы из ITO/Al с толщиной слоя ITO более 1 мкм. Проведенные экспериментальные исследования многопереходных фотоэлектрических преобразователей с рефлекторами ITO/Al на границах диодных ячеек показали необходимость модернизации используемой технологии формирования слоев ITO для получения теоретически рассчитанной их толщины.

Доп.точки доступа:
Копач, В. Р.; Кириченко, М. В.; Хрипунов, Г. С.; Зайцев, Р. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Эффективные фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения на основе ZnS и CdS с низкоомными поверхностными слоями [Текст] / Ю. Н. Бобренко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1114-1117. : ил. - Библиогр.: с. 1117 (14 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические преобразователи -- фотопреобразователи -- ФП -- поверхностно-барьерные фотопреобразователи -- ультрафиолетовое излучение -- УФ излучение -- низкоомные поверхностные слои -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- туннельно-комбинированные токи -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- гетеропереходы -- p-n переходы -- фоточувствительность
Аннотация: Формирование в области пространственного заряда поверхностно-барьерных фотопреобразователей Cu[1. 8]S-CdS и Cu[1. 8]S-ZnS тонких высокоомного и низкоомного слоев приводит к существенному увеличению фоточувствительности и снижению темновых туннельно-рекомбинационных токов. Получены высокоэффективные и стабильные фотопреобразователи ультрафиолетового излучения на основе CdS и ZnS. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства и приведены основные эксплуатационные параметры фотопреобразователей ультрафиолетового излучения.

Доп.точки доступа:
Бобренко, Ю. Н.; Павелец, С. Ю.; Павелец, А. М.; Киселюк, М. П.; Ярошенко, Н. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge [Текст] / Н. А. Калюжный [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1568-1576. : ил. - Библиогр.: с. 1575-1576 (26 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические преобразователи -- ФЭП -- германий -- GaInP/GaInAs/Ge -- гетероструктуры -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- p-n переходы -- солнечные элементы -- СЭ -- спектральные характеристики -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- многопереходные солнечные элементы -- МП СЭ -- германиевые субэлементы
Аннотация: Исследованы фотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур n-GaInP/n-p-Ge, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии при различных условиях формирования p-n-перехода. Гетероструктуры предназначены для использования в качестве узкозонных субэлементов трехпереходных солнечных фотопреобразователей GaInP/GaInAs/Ge. Показано, что в германиевых p-n-переходах наряду с диффузионным существует туннельный механизм протекания тока, поэтому использована двухдиодная электрическая эквивалентная схема германиевого p-n-перехода. Определены значения диодных параметров для обоих механизмов из анализа как темновых, так и световых зависимостей ток-напряжение. Показано, что устранение компоненты туннельного тока позволяет повысить кпд Ge-субэлемента на ~1% при преобразовании неконцентрированного излучения. За счет использования концентрированного излучения влияние туннельного тока на кпд приборов на основе германия можно практически свести к нулю при значениях плотности фотогенерированного тока ~1. 5 А/см{2}.

Доп.точки доступа:
Калюжный, Н. А.; Гудовских, А. С.; Евстропов, В. В.; Лантратов, В. М.; Минтаиров, С. А.; Тимошина, Н. Х.; Шварц, М. З.; Андреев, В. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Солнечные батареи: прогресс налицо [Текст] // Электроэнергетика: сегодня и завтра. - 2011. - N 2. - С. 8-10.

УДК

^a620.9

ББК 31.6
Рубрики: Энергетика
Другие отрасли энергетики в целом--США--Испания
Кл.слова (ненормированные):
солнечные батареи -- поликристаллический кремний -- фотоэлектрические преобразователи -- КПД солнечной батареи -- концентрирующая оптика -- цветная солнечная батарея -- альтернативная энергетика -- солнечная энергия -- энергия ветра -- ветряки
Аннотация: Разработка сотрудника Массачусетского технологического института Эмануэля Закса недорогих солнечных батарей на основе поликристаллического кремния. Использование энергии ветра и солнца в Испании.

Доп.точки доступа:
Закс, Э.; Массачусетский технологический институт
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Велькин, Владимир Иванович (доцент; кандидат технических наук).
Светодиодное освещение энергоэффективного дома в системе "ФЭП-аккумулятор-LED" [Текст] = Led lighting for energy efficient home in the "PHV-battery-LED" system / В. И. Велькин, С. Е. Щеклеин // Альтернативная энергетика и экология. - 2012. - № 3 (107). - С. 37-38 : фот. - Библиогр.: с. 38 (2 назв.). - Примеч.: с. 37 . - ISSN 1608-8298

УДК

^a621.32

^a620.91:662.97

ББК 31.294 + 31.63
Рубрики: Энергетика
Электрическое освещение. Светотехника--Россия--Свердловская область
Гелиоэнергетика
Кл.слова (ненормированные):
энергоэффективные дома -- светодиодное освещение -- LED-светильники -- фотоэлектрические преобразователи -- солнечные преобразователи -- системы освещения -- ФЭП-аккумулятор-LED
Аннотация: Результаты применения в России (Свердловская область) светодиодного освещения с помощью LED-светильников в энергоэффективном доме.

Доп.точки доступа:
Щеклеин, С. Е.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-34

Тематический навигатор

Статистика за 02.08.2024
Число запросов	48480
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)