Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (4)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=фоточувствительность<.>)

Общее количество найденных документов : 19
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-19

Исмайлов, Н. Д.
Фотоприемник с управляемой напряжением спектральной характеристикой фоточувствительности на основе Cd[x]Hg[1-x]Te [Текст] / Н. Д. Исмайлов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 396-398

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотоприемники -- фоточувствительность -- фоторезисторы -- детекторы ИК-излучения -- МДП-фоторезисторы
Аннотация: На основе структуры Al-n-Cd[x]Hg[1-x]Te с тонким диэлектрическим зазором реализован фотоприемник с управляемой напряжением смещения спектральной характеристикой фотоответа. Особенности спектральной характеристики фототока объясняются изменением соотношения между поверхностным и объемным компонентами фототока при изменении напряжения смещения. Показана возможность одновременной регистрации и управления спектральной характеристикой фоточувствительности на краю фундаментального поглощения и в коротковолновой области спектра.

Найти похожие

Фотоэлектрохимические ячейки на монокристаллах In[2]S[3] [Текст] / В. Ю. Рудь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 445-448

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кристаллизация расплава -- монокристаллы тетрагоной модификации -- фоточувствительность ячеек -- межзонные переходы -- тонкопленочная фотовольтаика -- бинарные полупроводники
Аннотация: Методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы тетрагональной модификации t-In[2]S[3], на основе которых созданы фоточувствительные ячейки H[2]O/t-In[2]S[3], а также исследованы спектры их квантовой эффективности. Обнаружена широкополосная фоточувствительность ячеек H[2]O/t-In[2]S[3]. На основании спектров фоточувствительности определен характер межзонных переходов и соответствующие им значения ширины запрещенной зоны t-In[2]S[3]. Показана возможность применения кристаллов t-In[2]S[3] в широкополосных фотопреобразователях естественного и поляризованного излучений. Раскрыта связь энергетического спектра с фазовым состоянием кристаллов In[2]S[3].

Доп.точки доступа:
Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Боднарь, И. В.; Ушакова, Т. Н.

Найти похожие

Орлов, М. Л.
Механизмы и особенности детектирования излучения субмиллиметрового диапазона длин волн полевыми транзисторами с коротким двумерным каналом [Текст] / М. Л. Орлов, А. Н. Панин, Л. К. Орлов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 816-824 : ил. - Библиогр.: с. 824 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
транзисторы -- полевые транзисторы -- короткоканальные транзисторы -- вольт-ваттная чувствительность -- ВВЧ -- диапазоны -- фоточувствительность -- плазмоны -- двумерные плазмоны -- частотные характеристики
Аннотация: Выполнен анализ детектирующих свойств ряда короткоканальных полевых транзисторов с использованием их стационарных выходных характеристик. Вид рассчитанных зависимостей вольт-ваттной чувствительности от прикладываемых напряжений сопоставляется с соответствующими кривыми, полученными из высокочастотных измерений. Показано, что наблюдаемый в диапазоне частот 400-750 ГГц немонотонный вид зависимости фоточувствительности полевых гетеротранзисторов от прикладываемых к затвору напряжений не связан с резонансным возбуждением двумерных плазмонов в подзатворной плазме транзистора, а обусловлен изменением характера распределения стационарных полей внутри структуры и, как следствие, с изменением эффективности проявления нерезонансных механизмов нелинейности в электронной подсистеме транзистора с ростом напряжения между затвором и транспортным каналом. Данный вывод подтверждается исследованиями частотных зависимостей фотоотклика в рассматриваемом диапазоне, не обнаруживающих резонансное поведение на частотах, соответствующих положению наблюдаемых максимумов на кривых, измеренных на фиксированной частоте при разных напряжениях на затворе транзистора.

Доп.точки доступа:
Панин, А. Н.; Орлов, Л. К.

Найти похожие

Электрические свойства монокристаллов In[2]Se[3] и фоточувствительность барьеров Шоттки Al/In[2]Se{3] [Текст] / И. В. Бондарь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1179-1182 : ил. - Библиогр.: с. 1182 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- In[2]Se[3] -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- Al/In[2]Se{3] -- фоточувствительность -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- электрические свойства -- кристаллическая структура -- электропроводность -- удельная электропроводность -- постоянная Холла -- Холла постоянная -- выпрямления -- фотовольтаические эффекты -- фотопреобразователи -- широкополосные преобразователи -- оптические излучения
Аннотация: Методом Бриджмена выращены монокристаллы In[2]Se[3] диаметром 14 и длиной ~ 40 мм. Определен состав полученных монокристаллов и их кристаллическая структура. На выращенных монокристаллах проведены измерения удельной электропроводности (sigma) и постоянной Холла (R) и созданы первые барьеры Шоттки Al/n-In[2]Se[3]. В новых структурах обнаружены выпрямление и фотовольтаический эффект. На основании исследований спектров фоточувствительности структур Al/n-In[2]Se[3] определены характер межзонных переходов и значения ширины запрещенной зоны кристаллов In[2]Se[3]. Сделан вывод о возможностях применения новых структур при создании широкополосных фотопреобразователей оптических излучений.

Доп.точки доступа:
Бондарь, И. В.; Ильчук, Г. А.; Петрусь, Р. Ю.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Сергинов, М.

Найти похожие

Выращивание монокристаллов FeIn[2]S[4] и создание фоточувствительных структур на их основе [Текст] / И. В. Бондарь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1553-1556 : ил. - Библиогр.: с. 1556 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- FeIn[2]S[4] -- направленная кристаллизация -- метод направленной кристаллизации -- стехиометрия -- фоточувствительные структуры -- In (Al) /FeIn[2]S[4] -- фоточувствительность -- спектры фоточувствительности -- поглощение -- краевое поглощение -- межзонные переходы -- прямые межзонные переходы -- непрямые межзонные переходы -- фотопреобразователи -- широкополосные фотопреобразователи
Аннотация: Методом направленной кристаллизации близкого к стехиометрии расплава соединения впервые выращены объемные монокристаллы FeIn[2]S[4]. Созданы первые фоточувствительные структуры In (Al) /FeIn[2]S[4]. На указанных кристаллах получены первые спектры фоточувстительности новых структур при T=300 K. На основании анализа спектров фоточувствительности установлено, что краевое поглощение FeIn[2]S[4] формируется непрямыми и прямыми межзонными переходами, а также оценены соответствующие им значения ширины запрещенной зоны. Сделан вывод о возможностях применения полученных структур в широкополосных фотопреобразователях.

Доп.точки доступа:
Бондарь, И. В.; Павлюковец, С. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.

Найти похожие

Структурные закономерности механизма фотогенерации свободных носителей заряда в рядах элементосодержащих полидисалицилиденазометинов [Текст] / Е. Л. Александрова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 660-668 : ил. - Библиогр.: с. 667 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полидисалицилиденазометины -- ПСАМ -- фотофизические свойства -- переходные металлы -- донорно-акцепторное взаимодействие -- Д-А взаимодействие -- ультрафиолетовые спектры -- УФ спектры -- инфракрасные спектры -- ИК спектры -- фотогенерация -- носители заряда -- фоточувствительность -- спектры поглощения -- полимеры -- ядерный магнитный резонанс -- ЯМР -- комплексный перенос заряда -- КПЗ -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР
Аннотация: Исследованы фотофизические свойства новых политетра- и полидисалицилиденазометинов (ПСАМ), содержащих в цепи атомы Si, Ge и Sn или атомы переходных металлов, а также некоторых других двухвалентных металлов. На основании данных ультрафиолетовых и инфракрасных спектров установлено, что в полимерах реализуется нековалентное трансаннулярное донорно-акцепторное взаимодействие N->M (M-полуметалл или металл), приводящее к образованию в полимерной цепи 6-членных циклов. В результате возникают в ПСАМ полисопряжения по "неклассическому" механизму. Благодаря множественным донорно-акцепторным взаимодействиям неподеленных электронных пар азометиновых групп с вакантными d-орбиталями в металлах полимеры обладают электропроводящими, светочувствительными и фотопроводящими свойствами. Фоточувствительность и квантовый выход фотогенерации свободных носителей заряда для ПСАМ близки к величинам, характерным для классических проводящих полимеров. Показано, что свойства ПСАМ определяются структурой азометинового фрагмента и акцепторными свойствами металла. Предложен механизм фотогенерации свободных носителей заряда.

Доп.точки доступа:
Александрова, Е. Л.; Иванов, А. Г.; Геллер, Н. М.; Шаманин, В. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Выращивание пленок (InSb) [1-x] (Sn2) [x] на арсенид-галлиевых подложках методом жидкофазной эпитаксии [Текст] / А. С. Саидов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 970-977. : ил. - Библиогр.: с. 976-977 (25 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- выращивание пленок -- (InSb) [1-x] (Sn2) [x] -- твердые растворы -- подложки -- арсенид-галлиевые подложки -- GaAs -- жидкофазная эпитаксия -- метод жидкофазной эпитаксии -- ЖФЭ -- рентгенограммы -- спектральные характеристики -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- непрерывные твердые растворы -- НТР -- структурные исследования -- гетероструктуры -- эпитаксиальные слои -- фоточувствительность гетероструктур
Аннотация: Показана возможность выращивания монокристаллического твердого раствора замещения (InSb) [1-x] (Sn2) [x] (0< x< 0. 05) на подложках GaAs методом жидкофазной эпитаксии из индиевого раствора-расплава. Исследованы рентгенограммы, спектральные и вольт-амперные характеристики полученных гетероструктур n-GaAs-p- (InSb) [1-x] (Sn2) [x] при различных температурах. Определены параметры решетки твердого раствора (InSb) [1-x] (Sn2) [x]. Обнаружено, что прямая ветвь вольт-амперной характеристики таких структур при малых напряжениях (до 0. 7 В) описывается экспоненциальной зависимостью I=I[0] exp (qV/ckT), а при больших (V>0. 9 В) имеется участок сублинейного роста тока с напряжением V~ V[0] exp (Jad). Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения. Показано, что произведение подвижности основных носителей на концентрацию глубоких примесей уменьшается с ростом температуры.

Доп.точки доступа:
Саидов, А. С.; Саидов, М. С.; Усмонов, Ш. Н.; Асатова, У. П.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Рудь, В. Ю.
Создание и фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур In/p-Ag[3]AsS[3] [Текст] / В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1059-1063. : ил. - Библиогр.: с. 1062-1063 (14 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
поверхностно-барьерные структуры -- In/p-Ag[3]AsS[3] -- фотоэлектрические свойства -- монокристаллы -- фоточувствительность структур -- спектры фоточувствительности -- линейно поляризованное излучение -- естественное излучение -- фотоплеохроизм -- фотопреобразователи -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- межзонные переходы
Аннотация: Однородные объемные монокристаллы p-Ag[3]AsS[3] с ромбической структурой выращены направленной кристаллизацией из расплава, состав которого соответствует атомному составу данного тройного соединения. Впервые созданы фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры, основанные на получении контакта между поверхностью этих кристаллов и тонкими пленками чистого индия. Фоточувствительность полученных структур изучена в естественном и линейно поляризованном излучении. Спектры фоточувствительности структур In/p-Ag[3]AsS[3] впервые получены и использованы для определения природы и энергии межзонных переходов в кристаллах p-Ag[3]AsS[3]. На поверхностно-барьерных структурах, полученных на ориентированных монокристаллах p-Ag[3]AsS[3], исследовано явление естественного фотоплеохроизма. Сделан вывод о том, что монокристаллы Ag[3]AsS[3] могут использоваться в фотопреобразователях естественного и линейно поляризованного излучения.

Доп.точки доступа:
Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Эффективные фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения на основе ZnS и CdS с низкоомными поверхностными слоями [Текст] / Ю. Н. Бобренко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1114-1117. : ил. - Библиогр.: с. 1117 (14 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические преобразователи -- фотопреобразователи -- ФП -- поверхностно-барьерные фотопреобразователи -- ультрафиолетовое излучение -- УФ излучение -- низкоомные поверхностные слои -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- туннельно-комбинированные токи -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- гетеропереходы -- p-n переходы -- фоточувствительность
Аннотация: Формирование в области пространственного заряда поверхностно-барьерных фотопреобразователей Cu[1. 8]S-CdS и Cu[1. 8]S-ZnS тонких высокоомного и низкоомного слоев приводит к существенному увеличению фоточувствительности и снижению темновых туннельно-рекомбинационных токов. Получены высокоэффективные и стабильные фотопреобразователи ультрафиолетового излучения на основе CdS и ZnS. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства и приведены основные эксплуатационные параметры фотопреобразователей ультрафиолетового излучения.

Доп.точки доступа:
Бобренко, Ю. Н.; Павелец, С. Ю.; Павелец, А. М.; Киселюк, М. П.; Ярошенко, Н. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Суровой, Ольга Семеновна.
Влияние метода синтеза на фотолиз азида свинца [Текст] / Э. П. Суровой, Л. Н. Бугерко, С. В. Расматова // Известия Томского политехнического университета. - 2007. - Т. 310, N 3. - С. 62-67. : ил. - Библиогр.: с. 67 (24 назв. )

УДК

^a544.52

ББК 24.552
Рубрики: Химия
Фотохимия
Кл.слова (ненормированные):
метод синтеза -- синтез -- фотолиз азида свинца -- азид свинца -- свинец -- кинетические закономерности -- кинетические кривые -- скорость фотолиза -- световая обработка -- спектральная чувствительность -- квантовые выходы -- предварительная обработка -- экспериментальные наблюдения -- фототоки -- скорость фототока -- длинноволновые пороги -- фоточувствительность -- фотоэмиссия -- вольт-амперные характеристики -- фото-ЭДС -- разность потенциалов -- микрогетерогенные системы -- продукты фотолиза -- лимитирующие стадии -- диффузия анионных вакансий -- анионные вакансии
Аннотация: Азид свинца независимо от метода синтеза проявляет общие кинетические закономерности. На кинетических кривых скорости фотолиза PbN[б] (Аб) были выделены характерные участки: начальный, стационарный, возрастания и насыщения. Время реализации участков, а также скорость фотолиза зависят от способа синтеза PbN[б]. Предварительная световая обработка PbN[б] (Аб) приводит к появлению новой длинноволновой области спектральной чувствительности. Определены квантовые выходы и константы скорости фотолиза PbN[б] (Аб). Установлено, что экспериментально наблюдаемые значения фототока в области длинноволнового порога фоточувствительности совпадают с рассчитанными значениями тока фотоэмиссии на границе PbN[б] (Аб) - Pb. Этот факт, а также результаты измерений вольт-амперных характеристик, фото-ЭДС, контактной разности потенциалов свидетельствуют о том, что при фотолизе азида свинца формируются микрогетерогенные системы PbN[б] (Аб) - Pb (продукт фотолиза). Лимитирующей стадией фотолиза PbN[б] (Аб) является диффузия анионных вакансий к нейтральному центру Pb[n]{0}.

Доп.точки доступа:
Бугерко, Л. Н.; Расматова, С. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-19

Тематический навигатор

Статистика за 28.08.2024
Число запросов	2364
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)