Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (5)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=фототоки<.>)

Общее количество найденных документов : 12
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-12

Чаплыгин, Алексей Николаевич.
Влияние технологии обработки поверхности многокомпонентных оксидных соединений со структурой силленита на кинетику электронных переходов в приповерхностных областях [Текст] / А. Н. Чаплыгин, Е. А. Спирин, А. С. Сизов // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 5. - С. 8-12 : граф. - Библиогр.: с. 11-12 (9 назв. )

УДК

^a621.3-03

ББК 31.23
Рубрики: Энергетика
Электротехнические материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
силлениты -- кристаллы -- электронные переходы -- фототоки -- диффузионные процессы -- приповерхностные области
Аннотация: Выявлены закономерности изменения кинетической кривой фототока в кристаллах силленитов при импульсной фотоактивации. Дано адекватное экспериментальным данным теоретическое описание электронных переходов на поверхности кристаллов силленитов.

Доп.точки доступа:
Спирин, Евгений Анатольевич; Сизов, Александр Семенович

Найти похожие

Электро- и фотопроводимость полимерных композитов, содержащих гетерополиядерные комплексы Cu (II) /Cr (III) [Текст] / Н. А. Давиденко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 12. - С. 2151-2156. - Библиогр.: с. 2155-2156 (25 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
гетерополиядерные комплексы -- поликристаллические порошки -- полимерные композиты -- фотопроводимость -- фототоки -- электропроводимость пленок
Аннотация: Исследованы электро- и фотопроводящие свойства пленок композитов на основе электронейтрального поливинилбутираля с добавками гетерополиядерных комплексов Cu (II) /Cr (III), введенных в виде растворов или механически измельченных поликристаллических порошков. Фототоки в образцах, приготовленных разным способом, различаются не более чем в 10 раз. Фотопроводимость пленок композитов возрастает при уменьшении расстояния между металлическими центрами в комплексах. Предложена феноменологическая модель фотогенерации и транспорта носителей заряда в пленках полимерных композитов с частицами гетерополиядерных комплексов, получаемых из раствора или путем механического измельчения. Небольшое отличие фототоков в образцах, содержащих одинаковые комплексы, но и приготовленные разными способами, поясняются близостью геометрических размеров частиц комплексов.

Доп.точки доступа:
Давиденко, Н. А.; Никитина, В. Н.; Шевченко, Д. В.; Кокозей, В. Н.; Студзинский, С. Л.; Дехтяренко, С. В.

Найти похожие

Бут, А. В.
Спектры фототока твердых растворов CdZnTe в параметрическом виде и их дискретное вейвлет-разложение [Текст] / А. В. Бут, В. П. Мигаль, А. С. Фомин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 608-612

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фототоки -- спектры фототока -- твердые растворы -- вейвлет-разложение -- вейвлет-сигнатуры -- фотоиндуцированные состояния
Аннотация: Показано, что посредством дискретного вейвлет-разложения возможно осуществить преобразование спектра фототока I (лямбда) твердых растворов Cd[1-x]Zn[x]Te (x=0. 1-0. 2) в индивидуальные подмножества аппроксимирующих C[a] и детализирующих C[d] коэффициентов, распределение которых весьма чувствительно к локальным возмущениям фотоотклика на разных масштабных уровнях. Представление этих подмножеств в виде параметрических вейвлет-сигнатур C[d]=f (C[a]) дало возможность осуществить переход из инофрмационного пространства вейвлет-коэффициентов в динамическое пространство фотоиндуцированных состояний. Анализ изменения конфигураций C[d]=f (C[a]) и площадей, которые они охватывают на каждом масштабном уровне при циклических измерениях спектра фототока, позволил выявить в них скрытые обратимые и необратимые локальные изменения.

Доп.точки доступа:
Мигаль, В. П.; Фомин, А. С.

Найти похожие

Токопрохождение и потенциальная эффективность (КПД) солнечных элементов на основе p-n-переходов из GaAs и GaSb [Текст] / В. М. Андреев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 671-678

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
солнечные элементы -- механизмы токопрохождения -- темновая характеристика -- безрезистивная характеристика -- фототоки
Аннотация: Изучена зависимость эффективности многопереходных и однопереходных солнечных элементов от механизмов токопрохождения в фотоактивных p-n-переходах, а именно от вида темновой характеристики ток-напряжение J-V. Безрезистивная (не учитывающая последовательное сопротивление) J-V[j]-характеристика многопереходного солнечного элемента имеет такой же вид, как и у однопереходного: набор экспоненциальных участков. Это позволило развить единый аналитический метод расчета эффективности одно- и многопереходных солнечных элементов. Выведено уравнение, связывающее эффективность и фотогенерируемый ток на каждом из участков J-V[j]-характеристики. Для p-n-переходов из GaAs и GaSb измерены характеристики: темновая J-V, интенсивность освещения-напряжение холостого хода P-V[OC], интенсивность люминесценция-прямой ток L-J. Построены расчетные зависимости потенциальной (при идеализированном условии равенства единице внешнего квантового выхода) эффективности от фотогенерируемого тока для однопереходных GaAs и GaSb солнечных элементов и тандема GaAs/GaSb. Вид этих зависимостей соответствует виду J-V[j]-характеристики: имеются диффузионный и рекомбинационный участки, а в некоторых случаях и туннельно-ловушечный.

Доп.точки доступа:
Андреев, В. М.; Евстропов, В. В.; Калиновский, В. С.; Лантратов, В. М.; Хвостиков, В. П.

Найти похожие

Бут, А. В.
Фотоэлектрические сигнатуры кристаллов CdZnTe [Текст] / А. В. Бут, В. П. Мигаль, А. С. Фомин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1257-1260 : ил. - Библиогр.: с. 1259-1260 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- CdZnTe -- сигнатуры -- фотоэлектрические сигнатуры -- дефекты -- фотоотклики -- твердые растворы -- фототоки -- координаты -- длина волны -- частота сигналов
Аннотация: Для выявления распределения явных и скрытых электрически активных дефектов различного типа и разного масштаба, влияющих на фотоотклик твердых растворов Gd[1-x]Zn[x]Te (x = 0. 05-0. 2), предложено сопоставление локальных фотоэлектрических сигнатур U-I (y) [f, lambda] различных участков образца (U - тестирующее напряжение, I - фототок, у - координата, lambda - длина волны, f - частота тестирующего сигнала), в то время как для поиска локальных неустойчивостей фотоотклика наиболее подходят совокупности интегральных сигнатур U-I (Delta y) [f, lambda]. Впервые показано, что многомасштабность и согласованность полей дефектов и воздействующего поля порождает спектральные особенности фотоотклика (перестройку спектров, проявление скрытых полос фоточувствительности), которые наиболее полно и интегративно отображаются на сигнатурах спектров фототока I (lambda) -dI/dlambda.

Доп.точки доступа:
Мигаль, В. П.; Фомин, А. С.

Найти похожие

Фотополупроводниковые свойства голографических сред на основе ферроценилсодержащих соолигомеров глицидилкарбазола, сенсибилизированных органическим красителем [Текст] / Н. А. Давиденко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1515-1520 : ил. - Библиогр.: с. 1520 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a547

ББК 24.23
Рубрики: Химия
Органические соединения
Кл.слова (ненормированные):
пленки полимерных композитов -- ППК -- голографические регистрирующие среды -- ГРС -- электронно-дырочная пара -- ЭДП -- фотопроводимость -- голографическая чувствительность -- спектральные свойства -- фотополупроводниковые свойства -- информационные свойства -- пленки соолигомера -- соолигомер глицидилкарбазола -- синглет-триплетная конверсия -- фототоки -- магнитные поля -- внешние магнитные поля -- ферроцен -- органические красители
Аннотация: Исследованы спектральные, фотополупроводниковые и информационные свойства голографических регистрирующих сред с пленками соолигомера глицидилкарбазола с бутилглицидиловым эфиром, ферроценилметаллированного олигоглицидилкарбазола и соолигомера глицидилового эфира о-карбоксибензоилферроцена с добавками скварилиевого красителя. Обнаружено увеличение голографической чувствительности и фотопроводимости регистрирующих сред с пленками ферроценилсодержащих соолигомеров по сравнению со средами на основе соолигомера глицидилкарбазола. Это объясняется влиянием ионов железа на скорость синглет-триплетной конверсии в фотогенерированных зарядовых парах, что обосновано анализом зависимости фототока от величины внешнего магнитного поля. Предложена феноменологическая модель влияния ферроцена на фотопроводимость исследуемых пленок.

Доп.точки доступа:
Давиденко, Н. А.; Дехтяренко, С. В.; Гетманчук, Ю. П.; Ищенко, А. А.; Козинец, А. В.; Костенко, Л. И.; Мокринская, Е. В.; Студзинский, С. Л.; Скрышевский, В. А.; Скульский, Н. А.; Третьяк, О. В.; Чуприна, Н. Г.

Найти похожие

Изменение спектра электронных состояний в поликристаллическом p-CdTe в результате отжига в Cd и естественного старения [Текст] / С. А. Колосов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1526-1533 : ил. - Библиогр.: с. 1532 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электронные состояния -- спектры электронных состояний -- p-CdTe -- поликристаллы -- низкотемпературный синтез -- отжиг -- естественное старение (физика) -- электрические свойства -- станционарная фотопроводимость -- кинетика фотопроводимости -- температурная зависимость -- временные зависимости -- дефекты -- затухания фототоков -- фототоки
Аннотация: Исследованы электрические свойства, стационарная фотопроводимость и кинетика фотопроводимости образцов поликристаллического p-CdTe: исходного, полученного методом низкотемпературного синтеза из глубоко очищенных компонентов; отожженного в парах Cd и состаренного при комнатной температуре. Показано, что электрические свойства исходного p-CdTe определяются сложным дефектом с энергией E[v]+0. 16 эВ, который трансформируется в уровень E[v]+0. 25 эВ при отжиге в Cd и старении образцов. Обнаружены также глубокие центры E[v]+0. 6 эВ и E[v]+0. 86 эВ, определяющие процессы затухания фототока.

Доп.точки доступа:
Колосов, С. А.; Клевков, Ю. В.; Клоков, А. Ю.; Кривобок, В. С.; Шарков, А. И.

Найти похожие

Влияние электрического поля на интенсивность и спектр излучения квантовых ям InGaN/GaN [Текст] / Н. И. Бочкарева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1541-1548 : ил. - Библиогр.: с. 1547-1548 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- КЯ -- InGaN/GaN -- спектры излучений -- электрические поля -- фотолюминесценция -- ФЛ -- электролюминесценция -- p-n переходы -- напряжение -- прямое напряжение -- туннелирование -- квантовый выход -- фототоки -- инжекция -- электрическая инжекция -- оптическая инжекция -- квантовая эффективность
Аннотация: Проведены сравнительные исследования фотолюминесценции из квантовых ям при приложении прямого напряжения и электролюминесценции в структурах p-GaN/InGaN/n-GaN. Показано, что при приложении прямого напряжения наблюдается характерный красный сдвиг пика спектра, а также уширение линии фотолюминесценции и одновременное возгорание фотолюминесценции, связанные с уменьшением поля в области объемного заряда p-n-перехода и подавлением туннельной утечки носителей заряда из хвостов плотности состояний активного слоя InGaN. Анализ полученных результатов показал существенное влияние туннелирования на квантовый выход и позволил оценить внутреннюю квантовую эффективность структур. Показано, что неравновесное заполнение хвостов плотности состояний квантовых ям InGaN/GaN зависит от способа инжекции и контролируется захватом носителей, инжектированных в квантовую яму, при оптической инжекции и туннелированием носителей "под" квантовой ямой при электрической инжекции.

Доп.точки доступа:
Бочкарева, Н. И.; Богатов, А. Л.; Горбунов, Р. И.; Латышев, Ф. Е.; Зубрилов, А. С.; Цюк, А. И.; Клочков, А. В.; Леликов, Ю. С.; Ребане, Ю. Т.; Шретер, Ю. Г.

Найти похожие

Суровой, Э. П.
Фотолиз азида серебра [Текст] / Э. П. Суровой, С. М. Сирик, Л. Н. Бугерко // Известия Томского политехнического университета. - 2007. - Т. 310, N 2. - С. 126-131. : ил. - Библиогр.: с. 131 (22 назв. ).

УДК

^a544.52

ББК 24.552
Рубрики: Химия
Фотохимия
Кл.слова (ненормированные):
фотолиз -- азиды серебра -- серебро -- облучение светом -- фототоки -- спектральная чувствительность -- вольт-амперные характеристики -- фотоэлектродвижущие силы -- микрогетерогенные системы -- лимитирующие стадии
Аннотация: Предварительное облучение азида серебра светом (лямбда=365 нм, I>1. 10{15} квант·см{-2}·с{-1}) при давлении ~10{-5} Па наряду с увеличением скорости фотолиза и фототока приводит к появлению новой длинноволновой (до лямбда=1280 нм) области спектральной чувствительности. Определены константы скорости фотолиза азида серебра. В результате измерений контактной разности потенциалов, вольт-амперных характеристик, фото-ЭДС, фототока установлено, что при фотолизе азида серебра формируются микрогетерогенные системы АgN[3] (А[l]) - Аg (продукт фотолиза). Показано, что лимитирующей стадией фотолиза азида серебра является диффузия межузельных катионов серебра к нейтральному центру (Т[n]Ag[m]) {0}.

Доп.точки доступа:
Сирик, С. М.; Бугерко, Л. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Суровой, Ольга Семеновна.
Влияние метода синтеза на фотолиз азида свинца [Текст] / Э. П. Суровой, Л. Н. Бугерко, С. В. Расматова // Известия Томского политехнического университета. - 2007. - Т. 310, N 3. - С. 62-67. : ил. - Библиогр.: с. 67 (24 назв. )

УДК

^a544.52

ББК 24.552
Рубрики: Химия
Фотохимия
Кл.слова (ненормированные):
метод синтеза -- синтез -- фотолиз азида свинца -- азид свинца -- свинец -- кинетические закономерности -- кинетические кривые -- скорость фотолиза -- световая обработка -- спектральная чувствительность -- квантовые выходы -- предварительная обработка -- экспериментальные наблюдения -- фототоки -- скорость фототока -- длинноволновые пороги -- фоточувствительность -- фотоэмиссия -- вольт-амперные характеристики -- фото-ЭДС -- разность потенциалов -- микрогетерогенные системы -- продукты фотолиза -- лимитирующие стадии -- диффузия анионных вакансий -- анионные вакансии
Аннотация: Азид свинца независимо от метода синтеза проявляет общие кинетические закономерности. На кинетических кривых скорости фотолиза PbN[б] (Аб) были выделены характерные участки: начальный, стационарный, возрастания и насыщения. Время реализации участков, а также скорость фотолиза зависят от способа синтеза PbN[б]. Предварительная световая обработка PbN[б] (Аб) приводит к появлению новой длинноволновой области спектральной чувствительности. Определены квантовые выходы и константы скорости фотолиза PbN[б] (Аб). Установлено, что экспериментально наблюдаемые значения фототока в области длинноволнового порога фоточувствительности совпадают с рассчитанными значениями тока фотоэмиссии на границе PbN[б] (Аб) - Pb. Этот факт, а также результаты измерений вольт-амперных характеристик, фото-ЭДС, контактной разности потенциалов свидетельствуют о том, что при фотолизе азида свинца формируются микрогетерогенные системы PbN[б] (Аб) - Pb (продукт фотолиза). Лимитирующей стадией фотолиза PbN[б] (Аб) является диффузия анионных вакансий к нейтральному центру Pb[n]{0}.

Доп.точки доступа:
Бугерко, Л. Н.; Расматова, С. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-12

Тематический навигатор

Статистика за 06.09.2024
Число запросов	66318
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)