Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:БД "Книги" (1)БД "Статьи" (19)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=фотопроводимость<.>)
Общее количество найденных документов : 30
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30  
1.


    Шерченков, Алексей Анатольевич.
    Распределение зарядовых состояний в щели подвижности a-Si: H [Текст] / А. А. Шерченков, А. Б. Апальков // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 4. - С. 7-14 : граф. - Библиогр.: с. 14 (4 назв. )
УДК
ББК 31.27 + 32.85
Рубрики: Энергетика
   Электрические системы

   Радиоэлектроника

   Электроника

Кл.слова (ненормированные):
аморфные полупроводники -- полупроводники -- фотопроводимость -- зарядовые состояния -- аморфные пленки -- носители -- заряды -- переносы
Аннотация: Представлена методика моделирования фотопроводимости с учетом прыжкового механизма переноса носителей.


Доп.точки доступа:
Апальков, Александр Борисович

Найти похожие

2.


   
    Светочуствительность фотопроводящих полименых систем с полиметиновыми красителями на основе производных 2 (4) -метилхинолина и индола [Текст] / Г. К. Лебедев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 11. - С. 2091-2095. - Библиогр.: с. 2095 (14 назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
индол -- индолсодержащие красители -- полимерные пленки -- светочуствительность полимерных пленок -- синтезированные полиметиновые красители -- фотопроводимость пленок -- фотопроводящие полимерные системы
Аннотация: Для новых синтезированных полиметиновых красителей показано, что светочуствительность полимерных пленок на основе поли (о-гидроксиамидами) с транспортными молекулами индола, образующими межмолекулярные комплексы с красителями, в 2-3 раза выше, чем светочуствительность пленок с индолом, являющимся структурной составляющей красителя. Введение индолсодержащего красителя в фотопроводящий поливинилкарбазол увеличивает фотопроводимость на полтора порядка, а квантовый выход при этом возрастает до эта = 0. 085. Установлена корреляция между электронной структурой красителей, характеристиками фотопроводимости и механизмами релаксации заряда в образцах. При увеличении фотопроводимости пленок наблюдается переход от дрейфового механизма релаксации зарядов к механизму релаксации за счет собственной электропроводности.


Доп.точки доступа:
Лебедев, Г. К.; Александрова, Е. Л.; Иванова, В. Н.; Нагибина, О. А.; Соколова, И. М.; Фролов, В. И.; Кудрявцев, В. В.

Найти похожие

3.


   
    Электро- и фотопроводимость полимерных композитов, содержащих гетерополиядерные комплексы Cu (II) /Cr (III) [Текст] / Н. А. Давиденко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 12. - С. 2151-2156. - Библиогр.: с. 2155-2156 (25 назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
гетерополиядерные комплексы -- поликристаллические порошки -- полимерные композиты -- фотопроводимость -- фототоки -- электропроводимость пленок
Аннотация: Исследованы электро- и фотопроводящие свойства пленок композитов на основе электронейтрального поливинилбутираля с добавками гетерополиядерных комплексов Cu (II) /Cr (III), введенных в виде растворов или механически измельченных поликристаллических порошков. Фототоки в образцах, приготовленных разным способом, различаются не более чем в 10 раз. Фотопроводимость пленок композитов возрастает при уменьшении расстояния между металлическими центрами в комплексах. Предложена феноменологическая модель фотогенерации и транспорта носителей заряда в пленках полимерных композитов с частицами гетерополиядерных комплексов, получаемых из раствора или путем механического измельчения. Небольшое отличие фототоков в образцах, содержащих одинаковые комплексы, но и приготовленные разными способами, поясняются близостью геометрических размеров частиц комплексов.


Доп.точки доступа:
Давиденко, Н. А.; Никитина, В. Н.; Шевченко, Д. В.; Кокозей, В. Н.; Студзинский, С. Л.; Дехтяренко, С. В.

Найти похожие

4.


   
    Внутрицентровое возбуждение состояний меди в фосфиде индия, компенсированном медью [Текст] / В. А. Мельник [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 294-296
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
фотопроводимость -- фосфид индия -- медь -- фосфид галлия -- спектры собственной фотопроводимости
Аннотация: При исследовании спектров примесной фотопроводимости образцов фосфида индия, компенсированного медью, обнаружен резонансный переход из одного состояния меди в другое с максимумом оптической энергии возбуждения 0. 31 эВ. Получена температурная зависимость величины максимума интенсивности внутрицентрового перехода в диапазоне от 90 до 450 К. Установлено, что термическая энергия возбуждения составляет 0. 42 эВ.


Доп.точки доступа:
Мельник, В. А.; Прибылов, Н. Н.; Рембеза, С. И.; Макаренко, Ф. В.

Найти похожие

5.


   
    Особенности температурных характеристик электро- и фотопроводимости полимерных композитов, содержащих гетерометаллические Cu (II) /Cr (III) -комплексы [Текст] / Н. А. Давиденко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 397-402. - Библиогр.: с. 401-402 (27 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
электропроводимость -- фотопроводимость -- полимерные композиты -- пленки полимерных композитов -- электронейтральный поливинилбутираль -- гетерометаллические Cu (II) /Cr (III) -комплексы -- ток фотопроводимости
Аннотация: Исследованы температурные характеристики токов электро- и фотопроводимости пленок композитов на основе электронейтрального поливинилбутираля с добавками гетерометаллических катионно-анионных Cu (II) /Cr (III) -комплексов. Электро- и фотопроводимость пленок полимерных композитов в видимой области света увеличивается при уменьшении расстояний между металлическими центрами в комплексах, а также при введении в состав полимерного связующего акцепторных добавок фуллерена C[60] и экспоненциально возрастает при увеличении температуры. Энергия активации электро- и фотопроводимости превышает 1 eV и слабо зависит от напряженности внешнего элекртрического поля. Температурные характеристики электро- и фотопроводимости исследуемых материалов связываются с особенностями захвата носителей заряда на границе раздела частиц гетерометаллического комплекса и полимерного связующего.


Доп.точки доступа:
Давиденко, Н. А.; Никитина, В. Н.; Дехтяренко, С. В.; Нестерова, О. В.; Кокозей, В. Н.

Найти похожие

6.


   
    Замороженная фотопроводимость в твердых растворах MgZnO [Текст] / А. Я. Поляков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 604-607
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
замороженная проводимость -- твердые растворы -- метод импульсного лазерного распыления -- замороженная фотоемкость -- электронные ловушки
Аннотация: Проведены систематические исследования электрических характеристик и эффектов замороженной проводимости в твердых растворах MgZnO (P), выращенных методом импульсного лазерного распыления на нелегированных подложках n-ZnO. Показано, что в исходных неотложенных слоях наблюдается сильная замороженная проводимость и замороженная фотоемкость, связанные с присутствием электронных ловушек с высоким барьером для захвата электронов. Эти ловушки находятся в нижней половине запрещенной зоны, имеют оптический порог ионизации 2. 8 эВ и высоту барьера для захвата электронов ~0. 4 эВ. Наряду с такими центрами наблюдаются также дырочные ловушки с энергией ионизации 0. 14 эВ. Отжиг при 850 градусов C переводит материал в p-типа проводимости, в котором преобладают акцепторы с энергией активации ~0. 2 эВ, связанные с фосфором. Наблюдается также компенсация проводимости и образование дырочных ловушек с энергией активации 0. 14 и 0. 84 эВ в подложке n-ZnO, что объясняется диффузией акцепторных дефектов в подложку при отжиге.


Доп.точки доступа:
Поляков, А. Я.; Смирнов, Н. Б.; Говорков, А. В.; Кожухова, Е. А.; Kim, H. S.; Norton, D. P.; Pearton, S. J.; Белогорохов, А. И.

Найти похожие

7.


   
    Фотопроводимость пленок органического полимера с добавками наночастиц пористого кремния и ионных полиметиновых красителей [Текст] / Н. А. Давиденко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 667-670
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
пленки -- наночастицы -- полиметиновые красители -- фотоэффект -- фотопроводимость -- электронная проводимость
Аннотация: Изучены особенности электро- и фотопроводимости пленок поливинилбутираля, содержащих наночастицы пористого кремния, а также аналогичных пленок с добавками катионного и анионного полиметиновых красителей. Сенсибилизация фотоэффекта красителями различной ионности в пленках поясняется возможностью фотогенерации дырок и электронов из молекул красителей и собственной биполярной проводимостью наночастиц пористого кремния. Предполагается, что электронная проводимость в наночастицах пористого кремния больше по сравнению с дырочной проводимостью.


Доп.точки доступа:
Давиденко, Н. А.; Скрышевский, В. А.; Ищенко, А. А.; Карлаш, А. Ю.; Мокринская, Е. В.

Найти похожие

8.


   
    Кинетика поведения фоточувствительных примесей и дефектов в особо чистом полуизолирующем карбиде кремния [Текст] / Д. В. Савченко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 692-699. - Библиогр.: с. 699 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
фоточувствительные примеси -- карбид кремния -- полуизолирующий карбид кремния -- метод электронного парамагнитного резонанса -- долговременная релаксация -- долгоживущая фотопроводимость -- фотоотклики -- фотоотклик спектра ЭПР
Аннотация: Выполнено экспериментальное и теоретическое исследования кинетики поведения фоточувствительных примесей и дефектов в особо чистом полуизолирующем материале 4H-SiC методом электронного парамагнитного резонанса в присутствии фотовозбуждения и оптической спектроскопии полной проводимости. Решены кинетические уравнения, описывающие процессы рекомбинации, захвата и ионизации неравновесных носителей, динамически связанных с мелкими донорами и акцепторами (азота и бора), а также процессы передачи носителей зарядов с мелкого донора азота на глубокие уровни собственных дефектов. Сопоставление результатов расчета с экспериментальными кривыми временных спадов полной проводимости и интенсивностей сигналов электронного парамагнитного резонанса от азота и бора после прекращения фотовозбуждения показало, что вероятности захвата дырок на ионизированный акцептор и скорость ионизации нейтрального акцептора бора на два порядка больше, чем аналогичные процессы в системе донорных уровней. Для последней решающую роль играют каскадные переходы электронов с уровня на уровень в запрещенной зоне, а также электронно-дырочная рекомбинация.


Доп.точки доступа:
Савченко, Д. В.; Шанина, Б. Д.; Лукин, С. Н.; Калабухова, Е. Н.

Найти похожие

9.


    Насретдинова, В. Ф.
    Зависящая от электрического поля энергетическая структура квазиодномерного проводника p-TaS[3] [Текст] / В. Ф. Насретдинова, С. В. Зайцев // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 10. - С. 607-611
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
квазиодномерные проводники -- энергетическая структура -- фотопроводимость -- пайерлсовская щель -- щель пайерлсовская
Аннотация: С помощью исследования спектральной зависимости фотопроводимости изучена энергетическая структура пайерлсовской щели в ромбическом TaS[3]. Наблюдаются край пайерлсовской щели, а также энергетические состояния внутри щели. Амплитуда пиков фотопроводимости, соответствующих состояниям внутри щели, зависит как от температуры, так и от электрического поля. Уже в поле порядка 1-10 В/см происходит перераспределение интенсивности между различными пиками. Малая величина электрического поля, приводящего к изменениям в спектре, свидетельствует о коллективном механизме возникновения энергетических состояний.


Доп.точки доступа:
Зайцев, С. В.

Найти похожие

10.


   
    Влияние самокомпенсации на время жизни электрона в теллуриде кадмия, легированном галлием [Текст] / Е. В. Рабенок [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 878-883 : ил. - Библиогр.: с. 882 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
самокомпенсация -- электроны -- время жизни электронов -- теллурид кадмия -- легирование -- галлий -- фотопроводимость -- сверхвыкокочастотная фотопроводимость -- катодолюминесценция -- элементарные процессы -- заряженные частицы -- твердые растворы -- поликристаллические твердые растворы -- датчики интроскопии -- фотоотклик -- амплитуда -- характеристическое время -- фотогенерированные электроны -- энергетические ловушки
Аннотация: Методами сверхвысокочастотной фотопроводимости и катодолюминесценции исследованы элементарные процессы с участием заряженных частиц в поликристаллических твердых растворах на основе теллурида кадмия CdTe-GaTe и CdTe-Ga[2]Te[3] - перспективных активных средах датчиков интроскопии человека с низкой дозовой нагрузкой. Экспериментально установлено, что амплитуда, характеристическое время и форма спада фотоотклика зависели от уровня легирования, причем характеристическое время спада увеличивалось с ростом уровня легирования. Показано, что изменение кинетики гибели фотогенерированных электронов в легированном теллуриде кадмия (по сравнению с исходным) обусловлено эффектом самокомпенсации, приводящим к перераспределению ловушек по энергиям.


Доп.точки доступа:
Рабенок, Е. В.; Гапанович, М. В.; Новиков, Г. Ф.; Один, И. Н.

Найти похожие

 1-10    11-20   21-30  
 
Статистика
за 06.09.2024
Число запросов 65327
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)