Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (10)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=фотопреобразователи<.>)

Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-11

Фотопреобразователи на основе арсенидгаллиевых диффузионных p-n-переходов, изготовленных на микрорельефной поверхности GaAs [Текст] / А. А. Акопян [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 385-390

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотопреобразователи -- жидкофазная эпитаксия -- гетеропереходные структуры -- арсенид галлия -- селективная диффузия -- фотопоток
Аннотация: С учетом анализа массопереноса легирующей примеси (Zn) через микрорельефную поверхность GaAs методом диффузии из газовой фазы изготовлены и исследованы p-n-переходы, перспективные для фотопреобразователей. В зависимости от условий диффузии (масса диффузанта, время диффузии) возможно образование как p-n-перехода в микрорельефе, так и плоского p-n-перехода в объеме GaAs с сильно легированным приповерхностным p\{+\}-слоем. Приведены фотоэлектрические характеристики приборных структур с текстурированным p-n-переходом и тонким широкозонным окном из Al[x]Ga[1-x]As, полученным жидкофазной эпитаксией.

Доп.точки доступа:
Акопян, А. А.; Бахронов, Х. Н.; Борковская, О. Ю.; Дмитрук, Н. Л.; Едгорова, Д. М.; Каримов, А. В.; Конакова, Р. В.; Мамонтова, И. Б.

Найти похожие

Фотоэлектрохимические ячейки на тройных соединениях CuIn[2n+1]Se[3n+2] (n=3-6) [Текст] / В. Ю. Рудь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 391-395

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
направленная кристаллизация -- тройные полупроводники -- межзонные переходы -- фотопреобразователи -- полупроводниковая фотоэлектроника
Аннотация: Методом направленной кристаллизации впервые выращены монокристаллы тройных полупроводников CuIn[2n+1]Se[3n+2] с показателем состава n=3, 5 и 6. Установлено, что эти кристаллы имеют гексагональную симметрию и близкие значения параметров элементарной ячейки. Созданы фотоэлектрохимические ячейки на основе монокристаллов CuIn[2n+1]Se[3n+2] и In[2]Se[3], получены первые спектры их фоточувствительности, из которых определены характер межзонных переходов и значения ширины запрещенной зоны. Слабая зависимость параметров зонного спектра и элементарной ячейки этих полупроводников при показателе состава n ? 2 связывается с особенностями межатомного взаимодействия в таких фазах. Сделан вывод о возможностях применения новых полупроводников CuIn[2n+1]Se[3n+2] в широкополосных фотопреобразователях оптических излучений.

Доп.точки доступа:
Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Боднарь, И. В.; Горбачев, Д. В.; Ушакова, Т. Н.

Найти похожие

Фоточувствительные структуры на монокристаллах ZnP[2] моноклинной и тетрагональной модификаций: получение и свойства [Текст] / В. Ю. Рудь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 890-896 : ил. - Библиогр.: с. 895-896 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
метод пересублимации -- фоточувствительные структуры -- стехиометрия -- кристаллическая решетка -- барьеры Шоттки -- монокристаллы -- фотовольтаические эффекты -- Шоттки барьеры -- выпрямление -- структуры -- сварные точечные структуры -- фотоплеохроизм -- дифосфид цинка -- фотопреобразователи -- оптические излучения
Аннотация: Методом пересублимации в замкнутом объеме выращены монокристаллы моноклинной и тетрагональной модификаций, атомный состав которых одинаков и соответствует стехиометрии ZnP[2]. Определены параметры кристаллической решетки и идентифицирована естественная огранка кристаллов обеих модификаций. На полученных монокристаллах созданы первые барьеры Шоттки и сварные точечные структуры, на которых обнаружены выпрямление и фотовольтаический эффект. На основании первых исследований спектров фоточувствительности полученных структур в естественном и линейно-поляризованном излучении сделаны выводы о характере межзонных переходов, определены значения ширины запрещенной зоны и обнаружено влияние позиционного упорядочения атомов на свойства структур. Обнаружено и изучено явление естественного фотоплеохроизма в структурах на основе ориентированных монокристаллов ZnP[2]. Сделан вывод о возможностях применения дифосфида цинка в фотопреобразователях интенсивности и поляризации оптических излучений.

Доп.точки доступа:
Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Вайполин, А. А.; Бондарь, И. В.; Осипова, М. А.; Ушакова, Т. Н.

Найти похожие

Электрические свойства монокристаллов In[2]Se[3] и фоточувствительность барьеров Шоттки Al/In[2]Se{3] [Текст] / И. В. Бондарь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1179-1182 : ил. - Библиогр.: с. 1182 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- In[2]Se[3] -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- Al/In[2]Se{3] -- фоточувствительность -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- электрические свойства -- кристаллическая структура -- электропроводность -- удельная электропроводность -- постоянная Холла -- Холла постоянная -- выпрямления -- фотовольтаические эффекты -- фотопреобразователи -- широкополосные преобразователи -- оптические излучения
Аннотация: Методом Бриджмена выращены монокристаллы In[2]Se[3] диаметром 14 и длиной ~ 40 мм. Определен состав полученных монокристаллов и их кристаллическая структура. На выращенных монокристаллах проведены измерения удельной электропроводности (sigma) и постоянной Холла (R) и созданы первые барьеры Шоттки Al/n-In[2]Se[3]. В новых структурах обнаружены выпрямление и фотовольтаический эффект. На основании исследований спектров фоточувствительности структур Al/n-In[2]Se[3] определены характер межзонных переходов и значения ширины запрещенной зоны кристаллов In[2]Se[3]. Сделан вывод о возможностях применения новых структур при создании широкополосных фотопреобразователей оптических излучений.

Доп.точки доступа:
Бондарь, И. В.; Ильчук, Г. А.; Петрусь, Р. Ю.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Сергинов, М.

Найти похожие

Выращивание монокристаллов FeIn[2]S[4] и создание фоточувствительных структур на их основе [Текст] / И. В. Бондарь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1553-1556 : ил. - Библиогр.: с. 1556 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- FeIn[2]S[4] -- направленная кристаллизация -- метод направленной кристаллизации -- стехиометрия -- фоточувствительные структуры -- In (Al) /FeIn[2]S[4] -- фоточувствительность -- спектры фоточувствительности -- поглощение -- краевое поглощение -- межзонные переходы -- прямые межзонные переходы -- непрямые межзонные переходы -- фотопреобразователи -- широкополосные фотопреобразователи
Аннотация: Методом направленной кристаллизации близкого к стехиометрии расплава соединения впервые выращены объемные монокристаллы FeIn[2]S[4]. Созданы первые фоточувствительные структуры In (Al) /FeIn[2]S[4]. На указанных кристаллах получены первые спектры фоточувстительности новых структур при T=300 K. На основании анализа спектров фоточувствительности установлено, что краевое поглощение FeIn[2]S[4] формируется непрямыми и прямыми межзонными переходами, а также оценены соответствующие им значения ширины запрещенной зоны. Сделан вывод о возможностях применения полученных структур в широкополосных фотопреобразователях.

Доп.точки доступа:
Бондарь, И. В.; Павлюковец, С. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.

Найти похожие

Применение рефлекторов из ITO/Al для повышения эффективности монокристаллических кремниевых фотопреобразователей [Текст] / В. Р. Копач [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 801-806. : ил. - Библиогр.: с. 806 (26 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические преобразователи -- фотопреобразователи -- ФЭП -- однопереходные преобразователи -- ОП ФЭП -- многопереходные преобразователи -- МП ФЭП -- кремниевые преобразователи -- монокристаллические преобразователи -- тыльно-поверхностные рефлекторы -- ТПР -- оксид индия-олова -- ITO -- экспериментальные исследования
Аннотация: Показано, что для повышения эффективности работы и технологичности изготовления однопереходных монокристаллических кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии необходимо использовать тыльно-поверхностный рефлектор на основе проводящего прозрачного оксида индия-олова (ITO) толщиной 0. 25-2 мкм. Для повышения кпд и снижения чувствительности к углу падения света на фотоприемную поверхность многопереходных фотоэлектрических преобразователей с вертикальными диодными ячейками на основе монокристаллического кремния необходимо создать вдоль вертикальных границ диодных ячеек рефлекторы из ITO/Al с толщиной слоя ITO более 1 мкм. Проведенные экспериментальные исследования многопереходных фотоэлектрических преобразователей с рефлекторами ITO/Al на границах диодных ячеек показали необходимость модернизации используемой технологии формирования слоев ITO для получения теоретически рассчитанной их толщины.

Доп.точки доступа:
Копач, В. Р.; Кириченко, М. В.; Хрипунов, Г. С.; Зайцев, Р. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Рудь, В. Ю.
Создание и фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур In/p-Ag[3]AsS[3] [Текст] / В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1059-1063. : ил. - Библиогр.: с. 1062-1063 (14 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
поверхностно-барьерные структуры -- In/p-Ag[3]AsS[3] -- фотоэлектрические свойства -- монокристаллы -- фоточувствительность структур -- спектры фоточувствительности -- линейно поляризованное излучение -- естественное излучение -- фотоплеохроизм -- фотопреобразователи -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- межзонные переходы
Аннотация: Однородные объемные монокристаллы p-Ag[3]AsS[3] с ромбической структурой выращены направленной кристаллизацией из расплава, состав которого соответствует атомному составу данного тройного соединения. Впервые созданы фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры, основанные на получении контакта между поверхностью этих кристаллов и тонкими пленками чистого индия. Фоточувствительность полученных структур изучена в естественном и линейно поляризованном излучении. Спектры фоточувствительности структур In/p-Ag[3]AsS[3] впервые получены и использованы для определения природы и энергии межзонных переходов в кристаллах p-Ag[3]AsS[3]. На поверхностно-барьерных структурах, полученных на ориентированных монокристаллах p-Ag[3]AsS[3], исследовано явление естественного фотоплеохроизма. Сделан вывод о том, что монокристаллы Ag[3]AsS[3] могут использоваться в фотопреобразователях естественного и линейно поляризованного излучения.

Доп.точки доступа:
Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Эффективные фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения на основе ZnS и CdS с низкоомными поверхностными слоями [Текст] / Ю. Н. Бобренко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1114-1117. : ил. - Библиогр.: с. 1117 (14 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические преобразователи -- фотопреобразователи -- ФП -- поверхностно-барьерные фотопреобразователи -- ультрафиолетовое излучение -- УФ излучение -- низкоомные поверхностные слои -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- туннельно-комбинированные токи -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- гетеропереходы -- p-n переходы -- фоточувствительность
Аннотация: Формирование в области пространственного заряда поверхностно-барьерных фотопреобразователей Cu[1. 8]S-CdS и Cu[1. 8]S-ZnS тонких высокоомного и низкоомного слоев приводит к существенному увеличению фоточувствительности и снижению темновых туннельно-рекомбинационных токов. Получены высокоэффективные и стабильные фотопреобразователи ультрафиолетового излучения на основе CdS и ZnS. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства и приведены основные эксплуатационные параметры фотопреобразователей ультрафиолетового излучения.

Доп.точки доступа:
Бобренко, Ю. Н.; Павелец, С. Ю.; Павелец, А. М.; Киселюк, М. П.; Ярошенко, Н. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Многопереходные солнечные элементы с брэгговскими отражателями на основе структур GaInP/GaInAs/Ge [Текст] / В. М. Емельянов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1649-1654. : ил. - Библиогр.: с. 1654 (22 назв. )

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
многопереходные элементы -- солнечные элементы -- брэгговские отражатели -- GaInP/GaInAs/Ge -- субэлементы -- облучение электронами -- GaInAs -- Ge -- фотопреобразователи -- дозы электронов -- геосинхронные орбиты -- оптимизация структур -- гетероструктуры -- радиационное облучение -- неоптимизированные элементы -- фототоки
Аннотация: Теоретически исследовано влияние параметров субэлементов на величину кпд в каскадных солнечных элементах на основе GaInP/Ga (In) As/Ge при облучении электронами с энергией 1 МэВ с дозами до 3·10{15} см{-2}. Определены оптимальные толщины субэлементов GaInP и GaInAs, обеспечивающие наилучшее согласование фототоков при различных дозах облучения как в солнечных элементах со встроенными брэгговскими отражателями, так и без них. Рассчитаны зависимости кпд фотопреобразователей от дозы электронов с энергией 1 МэВ и времени нахождения на геосинхронной орбите при оптимизации структур элементов на начало и конец срока эксплуатации. Показано, что оптимизация гетероструктур субэлементов под расчетную дозу радиационного облучения и встраивание в структуру брэгговских отражателей позволяют обеспечить суммарное увеличение кпд при эксплуатации солнечных элементов на орбите на 5% по сравнению с неоптимизированными элементами без брэгговского отражателя.

Доп.точки доступа:
Емельянов, В. М.; Калюжный, Н. А.; Минтаиров, С. А.; Шварц, М. З.; Лантратов, В. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Харченко, Валерий Владимирович (главный научный сотрудник; доктор технических наук; профессор).
Комплекс мониторинга основных параметров гелиоустановок с фотопреобразователями [Текст] = Complex for key parameters monitoring of solar power facilities with photoconverters / В. В. Харченко, П. В. Тихонов // Альтернативная энергетика и экология. - 2013. - № 2 (119), ч. 1. - С. 32-36 : схема, граф., фот. - Библиогр.: с. 36 (8 назв.). - Примеч.: с. 32 . - ISSN 1608-8298

УДК

^a620.91:662.97

^a004.78

ББК 31.63 + 32.973.202
Рубрики: Энергетика
   Гелиоэнергетика
   Вычислительная техника
   Диалоговые вычислительные системы для специальных целей
Кл.слова (ненормированные):
гелиоустановки -- солнечное излучение -- пиранометры -- фотоэлектрические модули -- тепловые модули -- фотопреобразователи -- автоматизированные информационно-измерительные системы -- АИИС
Аннотация: Контроль основных параметров гелиоустановок с фотопреобразователями в динамике. Мониторинг уровня солнечной радиации.

Доп.точки доступа:
Тихонов, Павел Валентинович (аспирант)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-11

Тематический навигатор

Статистика за 28.08.2024
Число запросов	3032
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)