Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (6)

БД "Статьи" (106)

Труды АМГУ (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=фотолюминесценция<.>)

Общее количество найденных документов : 112
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Смирнов, М. Б.
Численное моделирование температурной зависимости спектров фотолюминесценции квантовых точек InAs/GaAs [Текст] / М. Б. Смирнов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1126-1131. - Библиогр.: с. 1131 (13 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- массивы квантовых точек -- самоорганизованные массивы квантовых точек -- спектры фотолюминесценции -- фотолюминесценция
Аннотация: Разработана математическая модель, описывающая температурную зависимость спектров фотолюминесценции самоупорядоченных массивов квантовых точек и учитывающая электрон-фотонное взаимодействие и различные процессы переноса в системе квантовые точки-смачивающий слой-барьер. Применение модели к анализу экспериментальных спектров квантовых точек InAs, выращенных на вицинальных подложках GaAs, позволило выделить проявления в спектрах фотолюминесценции различных механизмов переноса возбуждения и связать наблюдаемые температурные зависимости спектров с особенностями строения массива квантовых точек.

Доп.точки доступа:
Талалаев, В. Г.; Новиков, Б. В.; Сарангов, С. В.; Цырлин, Г. Э.; Захаров, Н. Д.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

УДК

^a539.2

Багаев, В. С.
Рассеяние неравновесных акустических фононов в чистом крупнозернистом ZnSe с микродвойниковой хаотической структурой [Текст] / В. С. Багаев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 7. - С. 1183-1188. - Библиогр.: с. 1188 (10 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
акустические фононы -- неравновесные акустические фононы -- рассеяние акустических фононов -- свободный пробег фононов -- фононы -- фотолюминесценция
Аннотация: Исследовано распространение неравновесных акустических фононов в крупнозернистом ZnSe, полученном химическим синтезом из паровой фазы как при оптической генерации фононов, так и при их генерации металлическим нагревателем. Материал характеризуется микродвойниковой структурой внутри хаотически ориентированных зерен. Исследования фононного транспорта в сочетании с низкотемпературной фотолюминесценцией, оптической и электронной микроскопией, а также рентгеноструктурным анализом позволили установить определяющую роль протяженных дефектов в процессах рассеяния высокочастотных акустических фононов в этом материале.

Доп.точки доступа:
Галкина, Т. И.; Шарков, А. И.; Клоков, А. Ю.; Мартовицкий, В. П.; Кривобок, В. С.; Клевков, Ю. В.; Черноок, С. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Пирятинский, Ю. П.
Фотоэлектронные свойства самоупорядоченной молекулярно-дисперсной структуры на основе раствора полярного красителя в жидкокристаллической матрице [Текст] / Ю. П. Пирятинский, М. М. Севрюкова // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 11. - С. 2096-2105. - Библиогр.: с. 2105 (14 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
агрегация красителя -- жидкокристаллическая матрица -- лазерное возбуждение -- молекулярно-дисперсные структуры -- полярные красители -- спектры фотолюминесценции -- фотолюминесценция
Аннотация: Из анализа спектров фотолюминесценции и нелинейных оптических свойств установлено влияние агрегации полярного красителя в жидкокристаллической матрице на образование упорядоченной молекулярно-дисперсной структуры. При агрегации красителя в жидкокристаллической матрице имеется определенная его концентрация, ниже которой при лазерном возбуждении (1064 nm) наблюдается только генерация второй гармоники, а выше - еще и интенсивная двухфотонно-возбуждаемая фотолюминесценция. Установлено, что внешнее электрическое поле и интенсивная ультрафиолетовая подсветка могут изменять не только ориентацию молекул, но и условия их агрегации.

Доп.точки доступа:
Севрюкова, М. М.

Найти похожие

Шишонок, Е. М.
Люминесцентные исследования кубического нитрида бора легированного бериллием [Текст] / Е. М. Шишонок, T. Taniguchi, T. Sekiguchi // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 10. - С. 1797-1803. - Библиогр.: с. 1802-1803 (26 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
катодолюминесценция -- кубический нитрид бора -- люминесценция -- спектры катодолюминеценции -- спектры фотолюминесценции -- широкозонные полупроводники -- фотолюминесценция
Аннотация: Исследованы спектры катодолюминесценции монокристаллов кубического нитрида бора cBN, легированных бериллием в условиях высоких давлений и температур. Установлено, что легирование бериллием приводит к стабильному образованию в спектрах катодолюминесценции cBN широкой полосы, положение максимума которой с увеличением концентрации примеси смещается в коротковолновую область спектра в интервале длин волн от около 315 до около 250 nm; при этом цвет кристаллов изменяется от темно-желтого до синего. По результатам исследований зависимостей структуры, интенсивности и положения максимума полосы от температуры измерения спектров катодолюминесценции предложена предварительная интерпретация ее природы в модели рекомбинации на дефектах дoнорного и акцепторного типов. Сделано предложение о присутствии вблизи валентной зоны легированного cBN нескольких перекрывающихся подзон, связанных с разнозарядными акцепторными уровнями бериллия. В спектрах фотолюминесценции легированных монокристаллов cBN зарегистрированы три неизвестные ранее бесфононные линии с энергиями 2. 135, 2. 27 и 2. 60 eV.

Доп.точки доступа:
Taniguchi, T.; Sekiguchi, T.

Найти похожие

Морозова, Наталья Константиновна.
Влияние Te на самоактивированное свечение ZnSe [Текст] / Н. К. Морозова, Д. А. Мидерос // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 3. - С. 12-17. - Библиогр.: с. 17 (10 назв. )

УДК

^a535

^a537

^a539.2

ББК 22.34 + 22.33 + 22.37
Рубрики: Физика
   Оптика
   Электричество и магнетизм
   Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
селениды -- катодолюминесценция -- фотолюминесценция -- проводимость -- самоактивированное свечение -- коротковолновое свечение -- селенид цинка
Аннотация: Предложена интерпретация оптических свойств ZnSe на основе теории непересекающихся зон, определяющей инициированное кислородом расщепление зоны проводимости.

Доп.точки доступа:
Мидерос, Даниэль Алехандро

Найти похожие

Свойства наноструктур Al[2]O[3]: nc-Si, сформированных путем ионной имплантации кремния в сапфир и аморфные пленки оксида алюминия [Текст] / Д. И. Тительбаум [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 385-392. - Библиогр.: с. 391-392 (29 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- ионная имплантация -- ионная имплантация кремния в сапфир -- аморфные пленки -- аморфные пленки оксида алюминия -- фотолюминесценция -- инфракрасная Фурье-спектроскопия -- Фурье-спектрскопия инфоракрасная -- рамановское рассеяние -- оксид алюминия
Аннотация: Методами фотолюминесценции, инфракрасной Фурье-спектроскопии, рамановского рассеяния, просвечивающей электронной микроскопии и дифракции электронов исследованы люминесцентные, оптические и структурные свойства слоев оксида алюминия (сапфира и нанесенных на кремний пленок Al[2]O[3]), подвергнутых ионной имплантации Si{+} с целью создания нанокристаллов кремния. Установлено, что при высокотемпературном отжиге имплантированных большими дозами образцов в обоих случаях формируются нанористаллы кремния, однако их люминесцентные свойства существенным образом зависят от типа исходной матрицы - в пленках Al[2]O[3] нанокристаллы излучают в типичной для квантовых точек Si области (700-850 nm), а в сапфире такая люминесценция отсутствует. Выявленное различие интерпретируется как следствие локальных механических напряжений, возникающих в системе нанокристалл/сапфир и приводящих к разрыву химических связей на границе этих фаз, тогда как в пленках Al[2]O[3]механические напряжения релаксируют.

Доп.точки доступа:
Тетельбаум, Д. И.; Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Ершов, А. В.; Питиримова, Е. А.; Планкина, С. М.; Смирнов, В. Н.; Ковалев, А. И.; Turan, R.; Yerci, S.; Finstad, T. G.; Foss, S.

Найти похожие

Структура и ультрафиолетовая фотолюминесценция пленок 3C-SiC, выращенных на Si (111) [Текст] / Л. К. Орлов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 3. - С. 446-451. - Библиогр.: с. 451 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
ультрафиолетовая фотолюминесценция -- фотолюминесценция -- нанокристаллические пленки -- кубический карбид кремния -- метод химической конверсии из паров гексана -- спектр фотолюминесценции
Аннотация: Обсуждаются структура и светоизлучающие свойства нанокристаллических пленок кубического карбида кремния, полученных методом химической конверсии из паров гексана. Проведен детальный анализ морфологии, состава и кристаллографической структуры выращенных толстых пленок карбида кремния с применением методов рентгеноструктурного анализа, электронографии, интерференционной оптической сканирующей зондовой и просвечивающей электронной микроскопии. Использование для возбуждения третьей гармоники фемтосекундного лазера (лямда[exit] = 266 nm) наряду с традиционно наблюдаемыми линиями в спектре высокотемпературной фотолюминесценции позволило впервые выявить линию излучения, лежащую в области глубокого ультрафиолета, с длиной волны (лямда = 340 nm). Обсуждается природа линий, наблюдаемых в спектре фотолюминесценции.

Доп.точки доступа:
Орлов, Л. К.; Дроздов, Ю. Н.; Алябина, Н. А.; Ивина, Н. Л.; Вдовин, В. И.; Дмитрук, И. Н.

Найти похожие

Оптически активные центры в гетероструктурах Si/Si[1-x]Ge[x] : Er, связанные с ионами Er{3+} [Текст] / Л. В. Красильникова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 909-916 : ил. - Библиогр.: с. 915-916 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
эрбий -- оптически активные центры -- гетероструктуры -- фотолюминесценция -- ФЛ -- Er-центры -- ионы эрбия -- германий -- примеси кислорода
Аннотация: Проведен детальный анализ основных типов оптически активных эрбиевых центров, вносящих преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x] : Er с содержанием германия от 10 до 30%. Показана взаимосвязь природы формирующихся оптически активных центров, содержащих ионы Er{3+}, с молярным составом и концентрацией примеси кислорода в слое Si[1-x]Ge[x] : Er. Преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x] : Er с содержанием германия менее 25% вносят известные кислородсодержащие оптически активные Er-центры. Увеличение содержания германия в слое Si/Si[1-x]Ge[x] : Er (x>=q25%) приводит к формированию нового типа центров - германийсодержащих оптически активных эрбиевых центров, не наблюдавшихся ранее в структурах на основе кремния.

Доп.точки доступа:
Красильникова, Л. В.; Степихова, М. В.; Байдакова, Н. А.; Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.; Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г.

Найти похожие

10.

Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения [Текст] / И. П. Сошников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 938-942 : ил. - Библиогр.: с. 941 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- метод магнетронного осаждения -- метод МО -- фотолюминесценция -- ФЛ -- физические параметры ННК -- рост ННК -- азот -- температура подложки -- планарные слои -- CaAsN
Аннотация: Продемонстрирована возможность использования метода магнетронного осаждения в плазмообразующей смеси Ar-N[2] для синтеза массивов GaAs[1-х]N[х] нитевидных нанокристаллов (ННК) с характерными диаметрами от 10 до 200 нм и длиной до 3000 нм. Получены данные о зависимости характера роста ННК от физических параметров (размера затравочных капель Au, скорости осаждения, кристаллографического типа поверхности и температуры подложки). Анализ зависимости высоты от диаметра ННК показывает, что механизм роста является преимущественно диффузионным. Стабильное содержание азота наблюдается при температуре роста в диапазоне 400-500{o}C и составляет выше 2. 7%. При температурах подложки в диапазоне 530-600{o}C наблюдается резкое падение содержания азота в твердых растворах. Исследования спектров фотолюминесценции полученных образцов показывают красное смещение полосы излучения, что связано с увеличением процентного содержания азота. Установлена зависимость положения полосы люминесценции и содержания азота от температуры. Наблюдается увеличение интенсивности фотолюминесценции образцов ННК GaAsN с содержанием азота 2. 7% в 5-10 раз по сравнению с планарными слоями, что объясняется отсутствием дефектов в структуре ННК.

Доп.точки доступа:
Сошников, И. П.; Цырлин, Г. Э.; Надточий, А. М.; Дубровский, В. Г.; Букин, М. А.; Петров, В. А.; Бусов, В. В.; Трошков, С. И.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Тематический навигатор

Статистика за 27.08.2024
Число запросов	60779
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)