Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:БД "Статьи" (10)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ферромагнитные металлы<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.


    Моргунов, Р. Б.
    Ферромагнитный резонанс кобальтовых наночастиц в полимерной оболочке [Текст] / Р. Б. Моргунов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1436-1441. - Библиогр.: с. 1441 (31назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
анизотропия -- кобальт -- кобальтовые наночастицы в полимерной оболочке -- кобальтовый акриламидный комплекс -- макроструктуры кобальта -- наночастицы -- поверхностная анизотропия наночастиц -- спектры ферромагнитного резонанса -- ферромагнитные металлы -- ферромагнитный резонанс
Аннотация: Методом ферромагнитного резонанса исследованы магнитные свойства кобальтовых сферических наночастиц размером около 5-9 nm в полимерной оболочке. Металлополимерный комплекс был приготовлен методом фронтальной полимеризации кобальтового акриламидного комплекса с последующим термолизом при температуре 643 K. Анализ спектров ферромагнитного резонанса показал, что материал имеет высокую температуру блокирования около 700 K. Постоянная анизотропии, равная 0. 5 erg/cm[3], имеет несколько большее значение, чем для макроструктур кобальта. Причина этого отличия связана с преобладанием поверхностной анизотропии наночастиц. Вычислена постоянная поверхностной анизотропии 0. 17 erg/cm[2], определено поле анизотропии около 350 Oe. Обнаружено влияние полимерной оболочки на магнитные свойства наночастиц.


Доп.точки доступа:
Дмитриев, А. И.; Джардималиева, Г. И.; Помогайло, А. Д.; Розенберг, А. С.; Tanimoto, Y.; Leonowicz, M.; Sowka, E.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

2.


   
    Новый материал спинтроники - халькопирит ZnSiAs[2], легированный марганцем [Текст] / Л. И. Королева [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 286-291. - Библиогр.: с. 290-291 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
спин-информационные системы -- ферромагнитные металлы -- температура Кюри -- Кюри температура -- намагниченность -- электросопротивление -- магнитосопротивление -- эффект Холла -- Холла эффект -- энергия активации -- ферромагнитные полупроводники
Аннотация: Получен новый материал спинтроники с температурой Кюри выше комнатной температуры - халькопирит ZnSiAs[2], легированный 1 и 2 wt. % Mn. Изучены намагниченность, электросопротивление, магнитосопротивление и эффект Холла указанных составов. Температурная зависимость электросопротивления имеет полупроводниковый характер с энергией активации 0. 12-0. 38 eV (область температур 124 < = T < = 263 K, оба состава). Подвижность и концентрация дырок 1. 33, 2. 13 cm{2}/V*s и 2. 2 * 10{16}, 8 * 10{16} cm{-3} при T = 293 K составов с 1 по 2 wt. % Mn соответственно. Магнитосопротивление обоих составов, в том числе и в районе точки Кюри, не превышает 0. 4%. Температурная зависимость намагниченности M (T) обоих составов имеет сложный характер: при T <= 15 k она характерна для суперпарамагнетиков, и при T > 15 K появляется спонтанная намагниченность, соответствующая заниженному магнитному моменту на формульную единицу по сравнению с тем, который был при полном магнитном упорядочении спинов ионов Mn{2+} или антиферромагнитном упорядочении спинов ионов Mn{2+} и Mn{3+}. Таким образом, при T > 15 K - это фрустрированный ферро- или ферримагнетик.


Доп.точки доступа:
Королева, Л. И.; Защиринский, Д. М.; Хапаева, Т. М.; Маренкин, С. Ф.; Федорченко, И. В.; Шимчак, Р.; Крзуманска, Б.; Добровольский, В.; Киланский, Л.

Найти похожие

3.


   
    Электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs с ферромагнитными инжекторами вида (A{III}, Mn) B{V} и Ni [Текст] / М. М. Прокофьева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1447-1450. : ил. - Библиогр.: с. 1450 (13 назв. )
УДК
ББК 22.345
Рубрики: Физика
   Люминесценция

Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- InGaAs/GaAs -- электролюминесценция -- ферромагнитные инжекторы -- ферромагниты -- ФМ -- ферромагнитные металлы -- металлы -- никель -- Ni -- квантовые ямы -- спиновые светоизлучающие диоды -- ССИД -- диоды -- электролюминесцентные характеристики -- магнитные полупроводники -- InMnAs -- температурная зависимость
Аннотация: Проведено сравнительное исследование электролюминесцентных характеристик светоизлучающих диодов на основе гетероструктур с InGaAs/GaAs-квантовой ямой и инжекторным слоем, выполненным в виде ферромагнитного металла (Ni), полуметаллического соединения (MnSb) или магнитного полупроводника (InMnAs). Общей особенностью является гашение электролюминесценции при уменьшении толщины спейсерного слоя между квантовой ямой и магнитным инжектором. Обнаружено, что температурная зависимость электролюминесценции в диодах с Ni и MnSb обусловлена термическим выбросом носителей из квантовой ямы, а в диодах с InMnAs-температурной зависимостью концентрации носителей в магнитном полупроводнике, а также термическим выбросом носителей из квантовой ямы в области высоких температур.


Доп.точки доступа:
Прокофьева, М. М.; Дорохин, М. В.; Данилов, Ю. А.; Кудрин, А. В.; Вихрова, О. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 
Статистика
за 06.09.2024
Число запросов 67365
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)