Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=туннельный транспорт<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Козлов, В. А.
Туннельный транспорт электронов через гетеробарьеры с нанометровыми неоднородностями [Текст] / В. А. Козлов, В. А. Вербус // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1547-1551. : ил. - Библиогр.: с. 1551 (7 назв. )

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
туннельный транспорт -- электроны -- гетеробарьеры -- полупроводниковые барьеры -- туннельный ток -- нанометровые неоднородности -- неоднородности -- волновые функции -- рассеяние электронов -- рассеиватели -- вихревые токовые структуры
Аннотация: Исследовалось влияние квантовых объектов сферической формы (рассеивателей), встроенных в полупроводниковые барьеры, на протекание через них туннельного тока. Для этого решалась задача рассеяния затухающих (при энергии, меньшей потенциала барьера) падающей и отраженной волновых функций электрона на ступенчатом сферически-симметричном потенциале рассеивателя. Показано, что при этом внутри барьера могут возникать вихревые токовые структуры.

Доп.точки доступа:
Вербус, В. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Исследование туннельного транспорта носителей в структурах с активной областью InGaN/GaN [Текст] / В. С. Сизов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1615-1623. : ил. - Библиогр.: с. 1622-1623 (25 назв. )

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
туннельный транспорт -- транспорт носителей -- InGaN/GaN -- светодиодные структуры -- фотолюминесценция структур -- внешние смещения -- обратные смещения -- туннельные утечки -- активные области -- больцмановское распределение -- расчетные зависимости -- экспериментальные зависимости -- характеристики структур
Аннотация: Исследованы свойства светодиодных структур с активной областью InGaN/GaN, излучающие в диапазоне 500-550 нм. Исследована фотолюминесценция структур при различном значении внешнего смещения и температуре, а также с временным разрешением. При обратном смещении обнаружено уменьшение времени жизни носителей, связанное с туннельной утечкой носителей из активной области. Проведено моделирование механизма туннельной утечки с учетом больцмановского распределения носителей по энергиям и показано хорошее согласие расчетных и экспериментальных зависимостей. Показано, что туннельный транспорт оказывает значительное влияние на характеристики структур с активной областью InGaN/GaN.

Доп.точки доступа:
Сизов, В. С.; Неплох, В. В.; Цацульников, А. Ф.; Сахаров, А. В.; Лундин, В. В.; Заварин, Е. Е.; Николаев, А. Е.; Минтаиров, А. М.; Merz, J. L.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 28.08.2024
Число запросов	2344
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)