Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (16)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=туннельный ток<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

Разжувалов, А. Н.
"Конденсаторная"модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN (0001) [Текст] / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 1. - С. 178-188. - Библиогр.: с. 188 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
конденсаторная модель гистерезиса -- петли гистерезиса -- туннельный ток -- электронная плотность -- квантовые ямы -- нитридные вюрцитные структуры -- однорезонансное приближение -- модель зарядового конденсатора
Аннотация: На основе самосогласованного расчета туннельного тока двухбарьерной структуры w-GaN/AlGaN (0001) развита "конденсаторная" модель гистерезиса, в которой скачки тока, изменения потенциала и электрического поля в структуре при переходе с одной ветви петли тока на другую рассматриваются как результат перезарядки двух совмещенных конденсаторов, пластины которых расположены в положениях экстремумов вариации электронной плотности в области эмиттера, квантовой ямы и коллектора. Показано. что при компенсации внешнего и внутреннего полей в яме туннельный ток резко и необратимо переключается на характеристики другого резонанса, формируя широкую петлю гистерезиса, на ветвях которой происходит перераспределение заряда между квантовой ямой и коллектором. При совпадении полей образуется узкая "однорезонансная" петля гистерезиса, сопровождающаяся перетеканием электронного заряда из эмиттера в коллектор. Развитая модель приводит к согласованию с результатами самосогласованного расчета и дает наглядную интерпретацию сложных процессов электронного туннелирования.

Доп.точки доступа:
Гриняев, С. Н.

Найти похожие

Mantsevich, V. N.
Tuning of tunneling current noise spectra singularities by localized states charging [Text] / V. N. Mantsevich, N. S. Maslova // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 1. - P26-31 . - ISSN 0370-274Х

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
туннельный ток -- спектр шума -- сингулярность спектра шума -- заряд локализованных состояний

Доп.точки доступа:
Maslova, N. S.

Найти похожие

Прямое туннелирование электронов в структурах Al-n{+}-Si-SiO[2]-n-Si в режиме нестационарного обеднения поверхности полупроводника основными носителями заряда [Текст] / Е. И. Гольдман [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1050-1052. : ил. - Библиогр.: с. 1052 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
туннелирование электронов -- прямое туннелирование -- сверхтонкие окислы -- металл-окисел-полупроводник -- МОП -- электрические поля -- туннельные барьеры -- окислы -- полевые электроды -- ПЭ -- вольт-амперная характеристика -- ВАХ -- заряды -- туннельный ток -- напряжение -- границы раздела -- ГР
Аннотация: Экспериментально исследованы особенности прямого туннелирования электронов сквозь сверхтонкий (~40 Angstrem) окисел в структурах металл-SiO[2]-Si в нестационарных условиях обеднения поверхности полупроводника, когда потенциальный рельеф в изоляторе слабо возмущен внешними электрическими полями. Прозрачность туннельного барьера существенно ограничивается классически запрещенной областью в n-Si, обусловленной встроенным в SiO[2] отрицательным зарядом. С увеличением падения напряжения на окисле локализованные в нем электроны переходят в полупроводник, что сопровождается резким ростом туннельного тока. Из эксперимента определены значения коэффициентов линейного нарастания логарифма туннельного тока при повышении напряжения на изоляторе. Они не согласуются с данными, рассчитанными на основе модели прямоугольного барьера с параметрами, типичными для "толстых" окислов. Показано, что реальные значения эффективной массы должны быть больше 0. 5m0, а высота барьера меньше 3. 1 эВ.

Доп.точки доступа:
Гольдман, Е. И.; Гуляев, Ю. В.; Ждан, А. Г.; Чучева, Г. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Козлов, В. А.
Туннельный транспорт электронов через гетеробарьеры с нанометровыми неоднородностями [Текст] / В. А. Козлов, В. А. Вербус // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1547-1551. : ил. - Библиогр.: с. 1551 (7 назв. )

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
туннельный транспорт -- электроны -- гетеробарьеры -- полупроводниковые барьеры -- туннельный ток -- нанометровые неоднородности -- неоднородности -- волновые функции -- рассеяние электронов -- рассеиватели -- вихревые токовые структуры
Аннотация: Исследовалось влияние квантовых объектов сферической формы (рассеивателей), встроенных в полупроводниковые барьеры, на протекание через них туннельного тока. Для этого решалась задача рассеяния затухающих (при энергии, меньшей потенциала барьера) падающей и отраженной волновых функций электрона на ступенчатом сферически-симметричном потенциале рассеивателя. Показано, что при этом внутри барьера могут возникать вихревые токовые структуры.

Доп.точки доступа:
Вербус, В. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Конобеева, Н. Н.
Влияние многоуровневой примеси на туннельный и баллистический ток в графеновой наноленте [Текст] / Н. Н. Конобеева, М. Б. Белоненко // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 1. - С. 104-108 : рис., табл. - Библиогр.: c. 108 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a537.3

ББК 22.332
Рубрики: Физика
Электрический ток
Кл.слова (ненормированные):
баллистический ток -- графеновые ленты -- графеновые наноленты -- многоуровневые примеси -- туннельный ток -- туннельный эффект
Аннотация: Исследуется влияние многоуровневой примеси в графеновой наноленте на туннельный ток, протекающий в контакте последнего с металлом. Вычислен также баллистический ток в графеновой наноленте, а также туннельный ток контакта ленты с металлом. Проанализирована зависимость вольт-амперной характеристики контакта от интеграла перескока между примесными уровнями наноленты.

Доп.точки доступа:
Белоненко, М. Б.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Капельное осаждение тонких наноструктурированных покрытий теллурида свинца [Текст] / С. М. Аракелян [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2017. - Т. 81, № 12. - С. 1604-1608 : рис. - Библиогр.: c. 1608 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a538.975

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперные характеристики -- нанокластеры -- теллурид свинца -- туннельный ток -- эффекты туннелирования носителей заряда
Аннотация: Для полученных кластерных структур, состоящих из наночастиц теллурида свинца, измерены вольт-амперные характеристики осажденных структур, показано изменение величины туннельного тока. Выявлены оптимальные условия для возможного проявления квантовой/скачковой проводимости из-за эффектов туннелирования носителей заряда - характерные размеры нанокластеров и расстояний между ними.

Доп.точки доступа:
Аракелян, С. М.; Осипов, А. В.; Скрябин, И. О.; Tran Dinh Phong; Nguyen Tran Thuath
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 04.07.2024
Число запросов	92302
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)