Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (7)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=туннелирование электронов<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Гурин, Н. Т.
Характеристики поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик-полупроводник в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS : Mn [Текст] / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов, А. М. Афанасьев // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 517-526 : ил. - Библиогр.: с. 526 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
тонкопленочные электролюминесцентные излучатели -- ТП ЭЛИ -- поверхностные состояния -- границы раздела -- диэлектрик-проводник -- люминофоры -- излучатели -- релаксация электронов -- время жизни электронов -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- туннелирование электронов
Аннотация: Выполнено моделирование распределения плотности заполненных поверхностных электронных состояний на катодной границе раздела диэлектрик- (люминофор тонкопленочных электролюминесцентных излучателей) в зависимости от энергии на основе экспериментальных данных. Получены зависимости указанных распределений от режима возбуждения излучателей. Показано, что данные распределения сдвигаются в сторону более глубоких уровней поверхностных состояний при уменьшении частоты напряжения возбуждения и увеличении паузы между двумя соседними включенными состояниями излучателей, что соответствует каскадному механизму релаксации электронов, захваченных на поверхностные состояния. Определены: коэффициент каскадного захвата электронов, (4-5) x10{-12} см{2}/с; мгновенное время жизни электронов до релаксации 0. 2-0. 25 с; сечение захвата электронов на более глубокие уровни поверхностных состояний -более или порядка (6. 7-8. 3) ·10{-21} см{2}; максимальные значения плотности заполненных поверхностных состояний на катодной границе, с которых осуществляется туннелирование электронов, ~2. 5x10{13} см-{2}, и энергетической плотности указанных поверхностных состояний, 7x10{14} см{-2}эВ{-1}. Значения квазиравновесного уровня Ферми на поверхности в процессе работы электролюминесцентных излучателей изменяются в пределах 0. 9-1. 35 эВ в зависимости от режима возбуждения.

Доп.точки доступа:
Сабитов, О. Ю.; Афанасьев, А. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Прямое туннелирование электронов в структурах Al-n{+}-Si-SiO[2]-n-Si в режиме нестационарного обеднения поверхности полупроводника основными носителями заряда [Текст] / Е. И. Гольдман [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1050-1052. : ил. - Библиогр.: с. 1052 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
туннелирование электронов -- прямое туннелирование -- сверхтонкие окислы -- металл-окисел-полупроводник -- МОП -- электрические поля -- туннельные барьеры -- окислы -- полевые электроды -- ПЭ -- вольт-амперная характеристика -- ВАХ -- заряды -- туннельный ток -- напряжение -- границы раздела -- ГР
Аннотация: Экспериментально исследованы особенности прямого туннелирования электронов сквозь сверхтонкий (~40 Angstrem) окисел в структурах металл-SiO[2]-Si в нестационарных условиях обеднения поверхности полупроводника, когда потенциальный рельеф в изоляторе слабо возмущен внешними электрическими полями. Прозрачность туннельного барьера существенно ограничивается классически запрещенной областью в n-Si, обусловленной встроенным в SiO[2] отрицательным зарядом. С увеличением падения напряжения на окисле локализованные в нем электроны переходят в полупроводник, что сопровождается резким ростом туннельного тока. Из эксперимента определены значения коэффициентов линейного нарастания логарифма туннельного тока при повышении напряжения на изоляторе. Они не согласуются с данными, рассчитанными на основе модели прямоугольного барьера с параметрами, типичными для "толстых" окислов. Показано, что реальные значения эффективной массы должны быть больше 0. 5m0, а высота барьера меньше 3. 1 эВ.

Доп.точки доступа:
Гольдман, Е. И.; Гуляев, Ю. В.; Ждан, А. Г.; Чучева, Г. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Беляков, В. А.
Миграция возбужденных носителей в ансамблях нанокристаллов кремния, легированных фосфором [Текст] / В. А. Беляков, А. А. Конаков, В. А. Бурдов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1466-1469. : ил. - Библиогр.: с. 1469 (14 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
излучательная рекомбинация -- нанокристаллы кремния -- кремниевые нанокристаллы -- нанокристаллы -- возбужденные носители -- электроны -- дырки (физика) -- легирование фосфором -- миграция возбужденных носителей -- фосфор -- туннелирование электронов
Аннотация: Выполнен расчет скороcти туннельной миграции возбужденных носителей (электронов и дырок) в ансамбле нанокристаллов кремния, легированных фосфором. Показано, что, начиная с некоторых значений концентрации фосфора, зависящих от соотношения между размерами эмиттирующего и принимающего нанокристаллов, скорость туннелирования электронов резко падает (на несколько порядков) и становится меньше скорости излучательной межзонной рекомбинации.

Доп.точки доступа:
Конаков, А. А.; Бурдов, В. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Кашин, С. М.
Динамическое туннелирование электронов через квантовую точку в условиях кулоновской блокады [Текст] / С. М. Кашин, А. М. Сатанин // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1563-1567. : ил. - Библиогр.: с. 1567 (9 назв. )

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
туннелирование электронов -- электроны -- квантовые точки -- КТ -- кулоновская блокада -- уравнение Шредингера -- Шредингера уравнение -- омические контакты -- сравнительный анализ
Аннотация: Исследована динамика туннелирования электронов через квантовую точку в условиях кулоновской блокады. Численно решено нестационарное уравнение Шредингера, исследована динамика многоэлектронного волнового пакета в системе, состоящей из квантовой точки, соединенной с двумя омическими контактами. Построены зависимости прозрачности от средней энергии волнового пакета. Произведено сравнение полученных зависимостей с решениями соответствующей стационарной задачи.

Доп.точки доступа:
Сатанин, А. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Релаксация транспортных свойств в нанокомпозитах ферромагнетик-диэлектрик [Текст] / А. Б. Грановский [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2016. - Т. 80, № 9. - С. 1241-1242. - Библиогр.: c. 1242 (4 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм в целом
Кл.слова (ненормированные):
магнитосопротивление -- нанокомпозиты -- прыжковая проводимость -- термическая обработка -- туннелирование электронов
Аннотация: Исследовано влияние термообработки на транспортные свойства нанокомпозитов металл-диэлектрик с аморфной структурой.

Доп.точки доступа:
Грановский, А. Б.; Калинин, Ю. Е.; Ситников, А. В.; Стогней, О. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 28.08.2024
Число запросов	3934
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)