Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:БД "Книги" (5)БД "Статьи" (63)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=травление<.>)
Общее количество найденных документов : 38
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-38 
1.


    Шаныгин, Виталий Яковлевич (магистрант).
    Механизм и качество травления кремния различных кристаллографических ориентаций в плазме СВЧ газового разряда низкого давления [Текст] / В. Я. Шаныгин, Р. К. Яфаров // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2007. - N 29. - С. 129-136. - Библиогр.: с. 136 (4 назв. )
УДК
ББК 24.4 + 31.2
Рубрики: Химия
   Аналитическая химия

   Энергетика

   Электротехника

Кл.слова (ненормированные):
кремний -- травление кремния -- кристаллографические ориентации (химия) -- СВЧ газовые разряды -- СВЧ-плазма -- СВЧ-установки -- установки вакуумно-плазменного травления
Аннотация: Установлено различие в скорости и микроморфологии поверхности плазмохимического травления кремния различных кристаллографических ориентаций в условиях низкого рабочего давления и интенсивной низкоэнергетичной электронно-ионной бомбардировки. Рассмотрен механизм травления кремния во фторсодержащей плазме.


Доп.точки доступа:
Яфаров, Равиль Кяшшафович (д-р техн. наук)

Найти похожие

2.


    Белов, Алексей Николаевич.
    Локальное травление кремния с использованием твердой маски на основе пористого оксида алюминия [Текст] / А. Н. Белов // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 1. - С. 11-14 : фото. - Библиогр.: с. 14 (4 назв. )
УДК
ББК 34.63-5
Рубрики: Машиностроение
   Станки и инструменты

Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- оксиды -- алюминий -- кремний -- твердые маски -- травление
Аннотация: Рассмотрены технологические особенности нанопрофилирования кремния, защищенного твердой маской на основе пористого оксида алюминия.


Найти похожие

3.


    Данилина, Тамара Ивановна.
    Моделирование микрорельефа и распределения электрического поля в МДМ-структурах [Текст] / Т. И. Данилина, П. Е. Троян // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 1 (75). - С. . 22-26 : рис. . - ISSN 1561-5405
УДК
ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
моделирование -- микрорельефы -- травление -- электрические поля
Аннотация: При моделировании процессов травления микроострийного нижнего электрода и процессов осаждения диэлектрической пленки установлен факт сильного утончения пленки на боковых поверхностях и у основания микроостриев.


Доп.точки доступа:
Троян, Павел Ефимович

Найти похожие

4.


   
    Нанопрофилирование кремния с использованием твердой маски оксида алюминия и комбинированного "сухого" травления [Текст] / А. Н. Белов [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 2 (76). - С. 39-42 : рис. . - ISSN 1561-5405
УДК
ББК 34.63
Рубрики: Машиностроение
   Обработка металлов резанием

Кл.слова (ненормированные):
сухое травление -- кремний -- оксид алюминия -- нанотехнологии -- нанопрофилирование -- твердые маски
Аннотация: Рассмотрены технологические особенности нанопрофилирования кремния, защищенного твердой маской на основе пористого оксида алюминия.


Доп.точки доступа:
Белов, Алексей Николаевич; Демидов, Юрий Александрович; Путря, Михаил Георгиевич; Голишников, Александр Анатольевич; Васильев, Александр Андреевич

Найти похожие

5.


   
    Исследование характеристик плазмохимического реактора с плоским индуктором [Текст] / А. А. Васильев [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 3 (77). - С. 7-11 : рис. - Библиогр.: с. 10 (3 назв. ) . - ISSN 1561-5405
УДК
ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
плазмохимические реакторы -- плоские индукторы -- конструкция реактора -- высокоплотная плазма -- высокоинтенсивная плазма -- ионные токи -- магнитные поля -- травление (метод) -- ТСП -- трансформаторно-связанная плазма
Аннотация: Приведены результаты исследования физических и технологических характеристик плазмохимического реактора индукционного типа с плоским индуктором (ТСП-источником).


Доп.точки доступа:
Васильев, Александр Андреевич; Виноградов, Анатолий Иванович; Зарянкин, Николай Михайлович; Путря, Михаил Георгиевич; Тимошенков, Сергей Петрович

Найти похожие

6.


    Кузнецова, М. А.
    Физико-технологические основы применения наноразмерной ионно-лучевой технологии при создании изделий микро- и наносистемной техники [Текст] / М. А. Кузнецова, В. В. Лучинин, А. Ю. Савенко // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 8. - С. 24-32. - Библиогр.: с. 32 (8 назв. ) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
фокусированный ионный пучок -- ионно-лучевое травление -- ионно-стимулированное травление -- электронная техника -- нанотехнология
Аннотация: Представлены результаты разработки комплекса технологических операций на основе остросфокусированного ионного пучка, включающего наноразмерное прецизионное локальное ионно-лучевое травление, ионно-стимулированное химическое травление и ионно-стимулированное осаждение различных материалов.


Доп.точки доступа:
Лучинин, В. В. (д-р техн. наук); Савенко, А. Ю.

Найти похожие

7.


   
    Эмиссионная электроника на основе нано- (микро-) структурированных углеродных материалов [Текст] / С. Вартапетов [и др. ] // Наноиндустрия. - 2009. - N 4. - С. 4-10 : ил.: 6 рис. - Библиогр.: с. 10 ( 17 назв. ). - Продолж. следует
УДК
ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
   Электроника в целом

Кл.слова (ненормированные):
УНС -- углеродные наноструктуры -- эмиссионная электроника -- вакуумные установки -- магнетронное напыление -- плазмохимическое травление
Аннотация: О проекте, закладывающем физико-технологические основы эмиссионной электроники на углеродных материалах.


Доп.точки доступа:
Вартапетов, С.; Ильичев, Э.; Набиев, Р.; Одиноков, В.; Павлов, Г.; Петрухин, Г.; Полторацкий, Э.; Рычков, Г.; Сологуб, В.; Шелепин, Н.

Найти похожие

8.


   
    Микроэлектромеханические коммутаторы для радиочастотных устройств [Текст] / В. А. Власенко [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 10. - С. 30-34. - Библиогр.: с. 34 (8 назв. ) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
фазовращатели -- микроэлектромеханический переключатель -- алмазоподобные углеродные пленки -- плазмохимическое травление -- разночастотная микроэлектромеханическая система -- микроэлектромеханические коммутаторы -- радиочастотные устройства
Аннотация: Впервые представляются результаты исследований микроэлектромеханических коммутаторов для RF MEMS, полученных на основе алмазоподобных углеродных пленок (АПП) посредством термического разложения полифенилметилсилоксана.


Доп.точки доступа:
Власенко, В. А.; Ефимов, А. Г.; Ильичев, Э. А.; Немировский, В. Э.; Полторацкий, Э. А.; Горячев, А. В.; Попков, А. Ф.; Фролова, Г. В.; Шупегин, М. Л.

Найти похожие

9.


   
    Оптические и структурные свойства тонких пленок, осажденных из золя наночастиц кремния [Текст] / С. Г. Дорофеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1460-1467 : ил. - Библиогр.: с. 1466-1467 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- наночастицы -- кремний -- нанокристаллический кремний -- nc-Si -- коллоидные растворы -- золя -- структурные свойства -- оптические свойства -- осаждение -- размерно-селективное осаждение -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- поглощения -- спектры поглощения -- рассеяние -- комбинационное рассеяние -- спектры комбинационного рассеяния -- порошки -- травление
Аннотация: Предложен новый метод формирования тонких пленок нанокристаллического кремния (nc-Si), который заключается в размерно-селективном осаждении с помощью центрифугирования наночастиц из коллоидного раствора (золя), содержащего порошки nc-Si. Структурные и оптические параметры исходных порошков nc-Si и осажденных пленок изучены с помощью просвечивающей электронной микроскопии и анализа спектров поглощения и спектров комбинационного рассеяния. Величина коэффициента поглощения пленок nc-Si увеличивается с уменьшением размеров наночастиц, из которых состоят эти пленки. Измеренная ширина запрещенной зоны Eg в пленках увеличивается от 1. 8 до 2. 2 эВ при травлении порошков nc-Si, используемых для осаждения соответствующих пленок. Из анализа спектров комбинационного рассеяния сделано предположение, что наличие аморфной составляющей в исследованных порошках и пленках nc-Si определяется атомами кислорода, координированными на поверхности наночастиц.


Доп.точки доступа:
Дорофеев, С. Г.; Кононов, Н. Н.; Ищенко, А. А.; Васильев, Р. Б.; Гольдшрах, М. А.; Зайцева, К. В.; Колташев, В. В.; Плотниченко, В. Г.; Тихоневич, О. В.

Найти похожие

10.


   
    Рентгеновская дифрактометрия и электронная микроскопия слоев пористого Si на разных стадиях окисления на воздухе [Текст] / В. В. Ратников [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 12. - С. 2289-2295. - Библиогр.: с. 2295 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
рентгеновская дифрактометрия -- электронная микроскопия -- просвечивающая электронная микроскопия -- кремний -- пористый кремний -- окисление -- анодное травление -- старение пористого кремния
Аннотация: Методами рентгеновской многокристальной дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии проведено систематическое исследование полученных в различных режимах анодного травления слоев пористого кремния при их естественном окислении (старении) на воздухе. Использовалась комбинация измерений на двух- и трехкристальном дифрактометрах симметричных 004 и асимметричных 224 отражений в геометрии Брэгга для получения количественной информации о деформациях и кристаллической решетке слоев. Найдено, что старение пористого кремния характеризуется ростом как макро- и микродеформаций, так и микроразориентацией кристаллических фрагментов, приводящим к постепенному разрушению пористых слоев вплоть до их полной аморфизации.


Доп.точки доступа:
Ратников, В. В.; Сорокин, Л. М.; Соколов, В. И.; Калмыков, А. Е.

Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-38 
 
Статистика
за 21.08.2024
Число запросов 31805
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)