Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (32)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=топологические изоляторы<.>)

Общее количество найденных документов : 22
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-22

Еремеев, С. В.
Влияние атомного состава поверхности на электронные поверхностные состояния в топологических изоляторах A\{V\}[2] B\{VI\}[3] [Текст] / С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 8. - С. 419-423

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
электронные поверхностные состояния -- электронная структура -- топологические изоляторы -- изоляторы -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- халькоген -- оборванная связь -- полуметаллы
Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования электронной структуры поверхности соединений A\{V\}[2] B\{VI\}[3], содержащих поверхностные топологически защищенные состояния. Рассмотрены идеальные поверхности Bi[2]Te[3], Bi[2]Se[3] и Sb[2]Te[3] и поверхности с отсутствующим внешним слоем атомов халькогена, наблюдающиеся экспериментально в виде монослойных террас. Показано, что имеющееся расхождение между теоретическим положением уровня Ферми и наблюдаемым в фотоэмиссионных экспериментах может быть объяснено наличием состояний типа "оборванной связи" на поверхности террас, образованных атомами полуметалла. Оценена доля таких террас на поверхности.

Доп.точки доступа:
Коротеев, Ю. М.; Чулков, Е. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Еремеев, С. В.
Тройные халькогениды полуметаллов на основе таллия (Tl-V-VI[2]) - новый класс трехмерных топологических изоляторов [Текст] / С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. вып. 11. - С. 664-668

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
халькогениды -- халькогениды полуметаллов -- тройные халькогениды -- топологические изоляторы -- трехмерные топологические изоляторы -- электронная структура -- защищенное поверхностное состояние -- дираковский конус -- диэлектрики -- запрещенная щель
Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования объемной и поверхностной электронной структуры соединений Tl-V-VI[2], где V - полуметаллы Bi и Sb, VI - халькогены Se и Te. Показано, что материалы рассмотренной серии соединений являются трехмерными топологическими изоляторами. На поверхности данных соединений присутствуют как топологически защищенное поверхностное состояние, формирующее в окрестности точки дираковский конус, так и занятые состояния типа "оборванной связи", локализованные в запрещенной щели.

Доп.точки доступа:
Коротеев, Ю. М.; Чулков, Е. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Еремеев, С. В.
О возможности существования глубоких подповерхностных состояний в топологических изоляторах: система PbBi[4]Te[7] [Текст] / С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 92, вып. 3. - С. 183-188.

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
топологические изоляторы -- глубокие подповерхностные состояния -- PbBi[4]Te[7] -- электронная структура
Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования объемной и поверхностной электронной структуры PbBi[4]Te[7]. Соединение PbBi[4]Te[7] имеет слоистую структуру, содержащую чередующиеся в направлении гексагональной оси пяти- (Bi[2]Te[3]) и семислойные (PbBi[2]Te[4]) блоки. На основе анализа вызванной спин-орбитальным взаимодействием инвертированности краев запрещенной щели показано, что данное соединение является трехмерным топологическим изолятором. При этом топологические свойства соединения определяются, в основном, слоями PbBi[2]Te[4]. На поверхности PbBi[4]Te[7] (0001) в окрестности точки Гамма с чертой формируется дираковский конус вне зависимости от типа слоя, формирующего поверхность (Bi[2]Te[3] или PbBi[2]Te[4]). Показано, что локализация данного состояния может иметь не только поверхностный, но и глубоко подповерхностный характер.

Доп.точки доступа:
Коротеев, Ю. М.; Чулков, Е. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Меньщикова, Т. В.
О происхождении состояний двумерного электронного газа на поверхности топологических изоляторов [Текст] / Т. В. Меньщикова, С. В. Еремеев, Е. В. Чулков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 2. - С. 110-115.

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
топологические изоляторы -- узкозонные полупроводники -- двумерный электронный газ -- ван-дер-ваальсовский промежуток -- трехмерные топологические изоляторы
Аннотация: Представлены результаты первопринципных расчетов электронной структуры объема и поверхности (0001) узкозонных полупроводников Bi[2]Se[3], Sb[2]Te[3], Sb[2]STe[2] и Sb[2]SeTe[2]. Показано, что так же, как известные ранее Bi[2]Se[3] и Sb[2]Te[3], тройные соединения Sb[2]STe[2] и Sb[2]SeTe[2] являются трехмерными топологическими изоляторами. Проведен анализ влияния уширения подповерхностного ван-дер-ваальсовского промежутка на электронную структуру поверхности рассматриваемых соединений. Показано, что это уширение приводит к появлению новых (тривиальных) поверхностных состояний: параболического состояния и состояния М-образной формы в зоне проводимости и валентной зоне соответственно. Полученные результаты позволяют объяснить эффекты, обнаруженные в недавних фотоэмиссионных экспериментах, и выяснить причину происхождения новых состояний, возникающих благодаря адсорбции атомов на поверхности слоистых топологических изоляторов.

Доп.точки доступа:
Еремеев, С. В.; Чулков, Е. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Трехмерные и двумерные топологические изоляторы в слоистых соединениях Pb[2]Sb[2]Te[5], Pb[2]Bi[2]Te[5] и Pb[2]Bi[ 2]Se[5] [Текст] / И. В. Силкин [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 3. - С. 234-239.

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
топологические изоляторы -- слоистые соединения -- трехмерные топологические изоляторы -- двумерные топологические изоляторы
Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования электронной структуры тройных соединений Pb[2]Sb[2]Te[5], Pb[2]Bi[2]Te[5] и Pb[2]Bi[2]Se[5], имеющих слоистую структуру, состоящую из девятислойных атомных блоков, разделенных ван-дер-ваальсовыми промежутками. Показано, что все рассмотренные соединения являются трехмерными (3D) топологическими изоляторами (ТИ). Обнаружена возможность существования состояния двумерного (2D) топологического изолятора в ультратонких пленках (0001) Pb[2]Sb[2]Te[5] и Pb[2]Bi[2]Te[5]. В последнем соединении наблюдаются осцилляции топологического Z[2-]-инварианта с увеличением толщины пленки.

Доп.точки доступа:
Силкин, И. В.; Коротеев, Ю. М.; Еремеев, С. В.; Бильмайер, Г.; Чулков, Е. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi[2]Se[3] [Текст] / О. Е. Терещенко [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 6. - С. 500-503.

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
топологические изоляторы -- монокристаллы -- стабильность поверхности -- туннельная проводимость
Аннотация: Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии продемонстрирована инертность поверхности скола (0001) монокристаллического Bi[2]Se[3] к окислению: после месяца хранения образцов на воздухе на поверхности не образуется собственных оксидов висмута и селена. Получены атомно-гладкие поверхности макроскопических размеров (~1 см\{2\}) со средней квадратичной шероховатостью менее 0. 1 нм и атомным разрешением структуры (1x1) - (0001) Bi[2]Se[3]. Измерение туннельной проводимости выявило квазилинейную зависимость поверхностной плотности состояний от энергии в запрещенной зоне Bi[2]Se[3].

Доп.точки доступа:
Терещенко, О. Е.; Кох, К. А.; Атучин, В. В.; Романюк, К. Н.; Макаренко, С. В.; Голяшов, В. А.; Кожухов, А. С.; Просвирин, И. П.; Шкляев, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Янюшкина, Н. Н.
Предельно короткий оптический импульс в тонкой пленке топологического изолятора с учетом гексагональности решетки [Текст] / Н. Н. Янюшкина, А. В. Жуков, М. Б. Белоненко // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 8. - С. 1523-1525. - Библиогр.: с. 1525 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
оптические импульсы -- импульсы -- тонкие пленки -- топологические изоляторы -- гексагональность решетки
Аннотация: Рассмотрено распространение предельно короткого оптического импульса в тонкой пленке топологического изолятора. Электроны описываются с помощью длинноволнового эффективного гамильтониана в случае низких температур, а электромагнитное поле рассмотрено классически в рамках уравнений Максвелла. Выявлена зависимость от скорости и максимальной амплитуды предельно короткого импульса.

Доп.точки доступа:
Жуков, А. В.; Белоненко, М. Б.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Ab initio study of 2DEG at the surface of topological insulator Bi[2]Te[3] [Text] / M. G. Vergniory [et al.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 4. - С. 230-235

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
топологические изоляторы -- поверхность (физика) -- двумерный электронный газ

Доп.точки доступа:
Vergniory, M. G.; Menshchikova, T. V.; Eremeev, S. V.; Chulkov, E. V.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Чаплик, А. В.
Локальные моды в структурах с многокомпонентной плазмой [Текст] / А. В. Чаплик // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 12. - С. 718-721

УДК

^a533.9

ББК 22.333
Рубрики: Физика
Электронные и ионные явления. Физика плазмы
Кл.слова (ненормированные):
многокомпонентная плазма -- плазма -- локальные плазменные моды -- поверхностные плазмоны -- топологические изоляторы -- сверхрешетки
Аннотация: Найдены законы дисперсии поверхностного плазмона в характерном для топологического изолятора случае сосуществования 2D- и 3D-плазмы. Исследованы обусловленные 2D- и 1D-дефектами локальные плазменные моды в многослойной сверхрешетке и в сверхрешетке из квантовых проволок.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Efficient step-mediated intercalation of silver atoms deposited on the Bi[2]Se[3] surface [Text] / M. M. Otrokov [et al.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 11. - С. 799-803

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
атомы серебра -- серебро -- промежуток Ван-дер-Ваальса -- Ван-дер-Ваальса промежуток -- топологические изоляторы -- кристаллы

Доп.точки доступа:
Otrokov, M. M.; Borisova, S. D.; Chis, V.; Vergniory, M. G.; Eremeev, S. V.; Kuznetsov, V. M.; Chulkov, E. V.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-20 21-22

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	52706
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)