Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=тонкопленочные конденсаторы<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Токопленочный конденсатор M/Pb (ZrTi) O[3]/M как поляризационно-чувствительный фотоэлемент [Текст] / Л. А. Делимова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 6. - С. 1149-1153. - Библиогр.: с. 1153 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
тонкопленочные конденсаторы -- поляризационно-чувствительный фотоэлемент -- стационарный фототок -- конденсаторные структуры -- гетерофазные пленки PZT -- фотовольтаический эффект -- сегнетоэлектрическая поляризация
Аннотация: Исследован стационарный фототок в режиме короткого замыкания при облучении предварительно поляризованных субмикронных конденсаторов с поликристаллической пленкой Pb (ZrTi) O[3] (PZT) светом с длиной волны лямда > 0. 4 мюm. Обнаружено, что структуры с разными интерфейсами M/PZT, различающиеся по величине токов утечки более чем на порядок, демонстрируют практически одинаковое значение фототока, который всегда направлен против сегнетоэлектрической поляризации пленки PZT. Хотя величина фототока определяется степенью поляризованности пленки, наблюдаемый фототок не является током деполяризации сегнетоэлектрика. Таким образом, M/PZT/M конденсатор ведет себя как поляризационно-чувствительный фотоэлемент. В рамках предложенной теории гетерофазной среды рассчитана зависимость фототока от величины предварительной поляризации, которая разумно согласуется с экспериментальными результатами.

Доп.точки доступа:
Делимова, Л. А.; Юферев, В. С.; Грехов, И. В.; Петров, А. А.; Федоров, К. А.; Афанасьев, В. П.

Найти похожие

Особенности электрических характеристик элементов сегнетоэлектрической памяти на основе PZT-пленок [Текст] / Л. А. Делимова [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 9. - С. 88-92 : рис. - Библиогр.: c. 91-92 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a537.2

ББК 22.331
Рубрики: Физика
Электростатика
Кл.слова (ненормированные):
PZT-пленки поляризации -- градиент деформации -- золь-гель-PZT -- рассогласование параметров решетки -- самополяризация сегнетоэлектрической пленки -- сегнетоэлектрическая память -- сегнетоэлектрические наноструктуры -- сегнетоэлектрический конденсатор -- тонкопленочные конденсаторы -- флексоэлектрический эффект
Аннотация: С помощью метода деполяризующих гистерезисных петель в сегнетоэлектрическом конденсаторе Pt/PZT/Pt обнаружена самополяризация, направленная от верхнего электрода к нижнему, которую мы объясняем флексоэлектрическим эффектом, вызванным рассогласованием параметров решетки слоев нижней Pt- и PZT-пленки. Этот результат согласуется с измерениями фототока в короткозамкнутой структуре, также свидетельствующими о наличии в PZT-пленке поляризации, направленной вниз.

Доп.точки доступа:
Делимова, Л. А.; Гущина, Е. В.; Юферев, В. С.; Ратников, В. В.; Зайцева, Н. В.; Шаренкова, Н. В.; Серегин, Д. С.; Воротилов, К. А.; Сигов, А. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 07.09.2024
Число запросов	6235
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)