Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:БД "Статьи" (12)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ток утечки<.>)
Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6
1.


    Масальский, Н. В.
    Вопросы масштабирования характеристик КМОП СБИС [Текст] = Problems of Scaling of CMOS VLSI Characteristics / Н. В. Масальский // Успехи современной радиоэлектроники. - 2009. - N 7. - С. 3-27 : 19 рис., 6 табл. - Библиогр.: с. 26-27 (50 назв. ). - Аннотация на англ. яз. в конце ст. . - ISSN 2070-0784
УДК
ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
100 нм -- КМОП-транзисторы -- линии связи -- масштабирование -- микропроцессоры -- нанотранзисторы -- обобщенное масштабирование -- полевые транзисторы -- правила масштабирования -- СБИС -- схемы функциональные -- ток утечки -- транзисторы -- функциональные схемы
Аннотация: Анализируются качественные и количественные закономерности, относящиеся к теории масштабирования характеристик КМОП СБИС. Обсуждаются физические ограничения, связанные с отсутствием масштабирования отдельных параметров и их критического влияния при переходе на топологические нормы менее 100 нм.


Найти похожие

2.


   
    Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных МОП-транзисторах со структурой кремний? на? изоляторе [Текст] / К. О. Петросянц [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2010. - N 2. - С. 81-83 : рис. - Библиогр.: с. 83 (8 назв. )
УДК
ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника
   Радиоэлектроника в целом

Кл.слова (ненормированные):
поглощенная доза -- транзисторы -- ток утечки -- приборно-технологическое моделирование -- радиационные токи
Аннотация: Представлены результаты трехмерного приборно-технологического моделирования радиационных токов утечки в частично обедненном n-канальном МОП-транзисторе со структурой кремний-на-изоляторе (КНИ).


Доп.точки доступа:
Петросянц, Константин Орестович; Орехов, Евгений Вадимович; Самбурский, Лев Михайлович; Харитонов, Игорь Анатольевич; Ятманов, Ятманов
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

3.
621.311
С 60


    Соловьев, Юрий Владимирович.
    Метод оценки состояния защищенных проводов при электрическом старении в условиях повышенных загрязнений и увлажнений [Текст] / Ю. В. Соловьев, А. И. Таджибаев, А. Н. Назарычев = Development of the method of assessing the covered conductors state due to electrical agieng in moisture and pollution environment // Научно-технические ведомости СПбГПУ. - 2015. - № 1 (214). - С. 114-122 : ил., диагр. - Библиогр.: с. 121-122 (10 назв.) . - ISSN 1994-2354
УДК
ББК 31.27
Рубрики: Энергетика
   Электрические системы в целом

Кл.слова (ненормированные):
защищенные провода -- электрическое старение -- загрязнения электрических проводов -- электрические провода -- увлажнения электрических проводов -- ток утечки -- оценка состояния проводов -- состояние проводов
Аннотация: Обоснована практическая важность оценки технического состояния защищенных проводов в условиях электрического старения при повышенных загрязнениях и увлажнениях. Впервые проведен анализ комбинированного воздействия различных факторов на интенсивность развития трекинговой эрозии защищенных проводов, а также пластиковых элементов линейной арматуры с учетом особенностей конструкций и свойств применяемых материалов. Разработана лабораторная высоковольтная установка, описана методика проведения ускоренных испытаний на электрическое старение защищенных проводов при воздействии солевого тумана. Предложен метод оценки состояния защищенных проводов на основе измерения поверхностных токов утечки. Определен безразмерный диагностический признак, а также обоснована возможность универсального его применения в задачах оценки состояния защищенных проводов при их электрическом старении.
Practical importance to find the solution for the condition assessment of cjvered conductors due to electrical ageing under moisture and poluttion effects its proved on the basis of field experience.

Перейти: http://dx.doi.org/10.8562/JEST.214.13

Доп.точки доступа:
Таджибаев, Алексей Ибрагимович (1947-); Назарычев, Александр Николаевич (1961-); ООО "Компания АЛСИБ"; ФГАОУ ДПО "Петербургский энергетический институт повышения квалификации"ФГАОУ ДПО "Петербургский энергетический институт повышения квалификации"

Найти похожие

4.


   
    Высоковольтная ZnO-варисторная керамика с пониженным током утечки [Текст] / Ю. А. Савельев [и др.] // Перспективные материалы. - 2016. - № 3. - С. 53-58 : 2 табл., 4 рис. - Библиогр.: с. 56 (4 назв. ) . - ISSN 1028-978X
УДК
ББК 35.20
Рубрики: Химическая технология
   Технология неорганических веществ

Кл.слова (ненормированные):
варисторная керамика -- синтез -- метод сжигания -- спекание -- варисторные свойства -- ток утечки
Аннотация: Получена варисторная керамика в системе ZnO - Bi[2]O[3] - Sb[2]O[3] - Al[2]O[3] - Co[3]O[4] - NiO при температуре спекания 925 °С с содержанием ZnO 60, 0 - 85, 0 масс. % и постоянным соотношением оксидных добавок. Лучшими варисторными свойствами обладает керамика с содержанием ZnO 65 масс. %: напряжение пробоя - U[b] = 4, 4 кВ/мм, коэффициент нелинейности - альфа = 55, ток утечки - I[ут] = 1, 5 мкА/см{2}. Добавка в состав этой керамики 0, 15 масс. % B[2]O[3] обеспечивает снижение I[ут] до 0, 1 мкА/см{2}. Обработка прокаленного при 700 °С керамического порошка в шаровой мельнице и повышение температуры спекания до 975 °С (изотермическая выдержка 4 ч) обеспечивают увеличение плотности керамики с 5, 1 до 5, 45 г/см{3}, что соответствует 95, 6 % от теоретического значения.


Доп.точки доступа:
Савельев, Ю. А.; Тихомирова, Е. Л.; Нестеров, Д. П.; Беляевский, А. Т.; Громов, О. Г.; Локшин, Э. П.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

5.


    Серебряков, А. С. (доктор технических наук; профессор).
    Оценка сопротивления высоковольтной изоляции с помощью анализа кривых саморазряда [Текст] / Серебряков А. С., Семенов Д. А. // Электричество. - 2016. - № 7. - С. 34-42 : 8 рис. - Библиогр.: с. 41 (12 назв. ). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на английском языке в конце статьи . - ISSN 0013-5380
УДК
ББК 31.234
Рубрики: Энергетика
   Электроизолирующие материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
высоковольтная изоляция -- заряд абсорбции -- сопротивление изоляции -- ток утечки -- электропроводность диэлектриков
Аннотация: Высоковольтная изоляция, как правило, содержит несколько диэлектриков с разными электрическими характеристиками, что делает ее неоднородной. В неоднородной изоляции в начальный период после включения постоянного напряжения сквозной ток утечки сопровождается поляризационными токами, создающими на границах раздела диэлектриков поглощенные заряды - заряды абсорбции. Ток утечки и сопротивление изоляции следует измерять спустя некоторое время после приложения напряжения, когда закончатся переходные процессы и все токи абсорбции спадут до нуля. Установившееся значение сопротивления изоляции является одним из важнейших критериев для ее оценки. В России таким временем считается 1 мин, а в США - 10 мин. Экспериментальные исследования показывают, что токи абсорбции не всегда спадают до нуля через 60 с, и в этом случае измеренное значение сопротивления изоляции R60 не является установившимся. Десятиминутное значение сопротивления изоляции является более объективным критерием, однако для его измерения многие из существующих измерительных приборов не предназначены. Рассмотрена методика ускоренного определения десятиминутного значения сопротивления изоляции с использованием разработанного авторами прибора на примере измерения параметров изоляции масляного распределительного трансформатора типа ТМ-25/10/0, 4. На основе полученных параметров создается математическая модель изоляции и расчетные процессы в ней сравниваются с экспериментальными. Дан алгоритм уточнения параметров модели быстро сходящимся итерационным методом. Процесс измерения составляет 2 мин.


Доп.точки доступа:
Семенов, Д. А. (кандидат технических наук; доцент)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

6.


    Хазиева, Регина Тагировна (кандидат технических наук; доцент).
    Разработка и исследование схемы измерения тока утечки при испытании изоляции повышенным выпрямленным напряжением [Текст] / Р. Т. Хазиева, А. В. Мухаметшин // Известия вузов. Проблемы энергетики. - 2021. - Т. 23, № 4. - С. 145-155. - Библиогр. в конце ст. (24 назв.) . - ISSN 1998-9903
УДК
ББК 31.221
Рубрики: Энергетика
   Электрические измерения

Кл.слова (ненормированные):
выпрямленное напряжение -- высоковольтные испытательные установки -- измерение тока утечки -- испытание изоляции -- повышенное напряжение -- резонанс -- схемы измерения тока утечки -- ток утечки
Аннотация: В статье в ходе исследования стенда схемы измерения тока утечки, протекающего через испытуемый объект при испытании изоляции повышенным выпрямленным напряжением создан опытно-промышленный образец, позволяющий производить измерения значения тока утечки в пределах от 10 мкА до 1000 мкА. Применение разработанной схемы измерения тока утечки, протекающего через испытуемый объект при испытании изоляции повышенным выпрямленным напряжением, позволяет производить вычисление постоянной составляющей сигнала напряжения из переменного сигнала и в реальном масштабе времени, и, следовательно, оперативно контролировать ток в высоковольтных цепях для постоянного мониторинга.


Доп.точки доступа:
Мухаметшин, Андрей Валерьевич (инженер)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 
Статистика
за 09.07.2024
Число запросов 17264
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)