Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска
БД "Книги"
БД "Статьи"
Труды АМГУ
Выпускные квалификационные работы
Антитеррор
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=токопереносы<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.


    Грушко, Наталия Сергеевна.
    Определение механизма токопереноса в p-n-переходах по анализу температурной зависимости прямых вольт-амперных характеристик [Текст] / Н. С. Грушко, А. В. Лакалин, А. И. Сомов // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 2. - С. 35-40. - Библиогр.: с. 40 (10 назв. )
УДК
^a621.375
ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника
   Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые приборы -- вольтамперные характеристики -- токопереносы -- температурная зависимость -- вольтамперные характеристики -- p-n-переходы -- инжекция -- анализ
Аннотация: Предложен метод определения механизма токопереноса в p-n-переходах по анализу температурной зависимости прямых вольт-амперных характеристик при низком уровне инжекции.


Доп.точки доступа:
Лакалин, Александр Вячеславович; Сомов, Андрей Ильич

Найти похожие
2.


   
    Влияние режимов формирования на свойства ионно-легированных карбид-кремниевых диодных структур [Текст] / Р. В. Рыжук [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 79. - С. 7-14. - Библиогр.: с. 14 (10 назв. ) . - ISSN 1561-5405
УДК
^a621.38
ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
   Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- имплантация -- ионная имплантация -- токопереносы -- вольт-амперные характеристики
Аннотация: Показано, что свойства ионно-легированных карбид-кремниевых структур практически не зависят от дозы имплантации в диапазоне от 1000 до 3000 мкКл/см2. Для анализа ВАХ экспериментальных образцов построены зонные энергетические диаграммы. Установлено, что перенос носителей заряда в образцах описывается генерационно-рекомбинационными механизмами.


Доп.точки доступа:
Рыжук, Роман Валериевич; Каргин, Николай Иванович; Билалов, Билал Аругович; Гудков, Владимир Алексеевич

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 24.08.2024
Число запросов 99135
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)