Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (10)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=титанат бария-стронция<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Юзюк, Ю. И.
Влияние механизма роста и термоупругих напряжений на динамику кристаллической решетки гетероэпитаксиальных пленок титаната бария-стронция [Текст] / Ю. И. Юзюк [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1676-1682. - Библиогр.: с. 1682 (30 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксиальные пленки -- двумерные напряжения в пленке -- комбинационное рассеяние света -- коэффициенты теплового расширения -- мягкая мода -- сегнетоэлектрический фазовый переход -- спектры комбинационного рассеяния света -- титанат бария-стронция
Аннотация: Гетероэпитаксиальные тонкие пленки твердых растворов Ba[0. 7]Sr[0. 3]TiO[3] (BST-0. 3) на монокристаллических подложках (001) MgO получены высокочастотным катодным распылением керамической мишени стехиометрического состава. Рентгенографическими методами определены параметры тетрагональной ячейки пленки в зависимости от условий синтеза и исследован температурный ход параметра c в интервале температур 293-520 K. В спектрах комбинационного рассеяния света наблюдалась E (TO) мягкая мода, частота которой коррелирует с величиной двумерных напряжений, возникающих в пленках. Показано. что двумерные напряжения в пленке определяются не только несоответствием параметров решетки пленки и подложки, различием их коэффициентов теплового расширения, но существенно зависят от механизма гетероэпитаксиального роста. Установлено, что при нагревании пленки фазовый переход осуществляется в тетрагональную параэлектрическую фазу вне зависимости от реализуемого механизма роста.

Доп.точки доступа:
Захарченко, И. Н.; Алешин, В. А.; Леонтьев, И. Н.; Рабкин, Л. М.; Мухортов, В. М.; Simon, P.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тумаркин, А. В.
Исследование начальных стадий роста сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция методом рассеяния ионов средних энергий [Текст] / А. В. Тумаркин, И. Т. Серенков, В. И. Сахаров // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып. 12. - С. 2397-2400. . - Библиогр.: с. 2400 (14 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
сегнетоэлектрические пленки -- титанат бария-стронция -- метод рассеяния ионов
Аннотация: Исследованы начальные стадии роста сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция BaSrTiO[3], осажденных на монокристаллические подложки сапфира, методом рассеяния ионов средних энергий. Обнаружено, что в зависимости от температуры осаждения происходит изменение механизмов формирования сегнетоэлектрической пленки, что обусловлено сменой механизма массопереноса осаждаемых атомов. Показано, что минимальная толщина сплошной пленки сегнетоэлектрика на сапфире составляет порядка 6 nm.

Доп.точки доступа:
Серенков, И. Т.; Сахаров, В. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	90755
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)