Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (51)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=температурные зависимости<.>)

Общее количество найденных документов : 31
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-31 31-31

Исследование моделирование температуры плавления малоразмерных систем [Текст] / С. С. Белоусов [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 1. - С. 15-21 : граф. - Библиогр.: с. 21 (10 назв. )

УДК

^a532

ББК 22.253
Рубрики: Механика
Гидромеханика
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- температурные зависимости -- малоразмерные объекты -- плавление -- нанонити
Аннотация: Предложен метод расчета зависимости температуры плавления от размера малоразмерных объектов с учетом температурной зависимости теплоты плавления и возможности уменьшения поверхностной энергии за счет уменьшения площади поверхности.

Доп.точки доступа:
Белоусов, Сергей Станиславович; Громов, Дмитрий Геннадьевич; Гаврилов, Сергей Александрович; Редичев, Евгений Николаевич; Чулков, Игорь Сергеевич

Найти похожие

Тиллес, В. Ф.
Модель упругой и релаксационной поляризации сегнетоэлектриков с распределением доменных границ по временам релаксации и собственным частотам [Текст] / В. Ф. Тиллес, А. М. Метальников, Р. М. Печерская // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 7. - С. 1415-1418. - Библиогр.: с. 1418 (4 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
поляризации -- релаксационные поляризации -- сегнетоэлектрики -- доменные границы -- время релаксации -- температурные зависимости -- диэлектрические проницаемости
Аннотация: Предложена модель, учитывающая распределение доменных границ по собственным частотам и временам релаксации (или энергиям активации). По спектрально-температурной зависимости комплексной диэлектрической проницаемости varepsilon{*} (omega, T) может быть определена функция распределения доменных границ по собственным частотам и временам релаксации f (omega[0], tau) (или потенциальным барьерам f (omega[0], W[0]) ).

Доп.точки доступа:
Метальников А. М.; Печерская Р. М.

Найти похожие

Методики определения вероятностных температурных зависимостей характеристик вязкости сталей [Текст] / Ю. В. Желтов [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2010. - С. 51-55. - Библиогр.: с. 54-55 (13 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

^a620.1/.2

^a669.1.017

ББК 30.3 + 34.22
Рубрики: Техника
   Материаловедение
   Технология металлов
   Металловедение черных металлов и сплавов
Кл.слова (ненормированные):
вероятностные температурные зависимости -- температурные зависимости -- определение температурных зависимостей -- вязкость сталей -- ударная вязкость -- трещиностойкость -- сосуды давления -- нелинейная регрессия -- метод наименьших квадратов -- тангенс-гиперболическая аппроксимация -- плотности вероятностей
Аннотация: Описана методика определения вероятностных параметров зависимостей ударной вязкости и трещиностойкости от температуры для сталей сосудов давления.

Доп.точки доступа:
Желтов, Ю. В.; Андреев, Н. Г.; Колесников, Ю. Г.; Морозов, В. П.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Особенности механизма электропроводности полуизолирующих монокристаллов CdTe [Текст] / Л. А. Косяченко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 729-734. : ил. - Библиогр.: с. 733-734 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электропроводность -- монокристаллы -- полуизолирующие монокристаллы -- теллурид кадмия -- CdTe -- температурные зависимости -- электрические характеристики -- акцепторы -- энергия ионизации -- контакт Шоттки -- Шоттки контакт -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- акцепторные примеси
Аннотация: Исследованы температурные зависимости электрических характеристик полуизолирующих монокристаллов p-CdTe, выявившие существенные особенности их электропроводности, не описанные в литературе. Энергия активации материала p-типа проводимости, близкой к собственной, может быть как меньше, так и превышать половину ширины запрещенной зоны полупроводника. Результаты анализа статистики электронов и дырок на основе уравнения электронейтральности показали, что наблюдаемые особенности электрических свойств материала объясняются спецификой компенсационных процессов. Предложена методика определения энергии ионизации и степени компенсации акцепторов, ответственных за электропроводность материала. Показано, что в пределах климатических изменений температуры может наблюдаться инверсия типа проводимости материала и, как следствие, исчезновение контакта Шоттки в детекторе рентгеновского и gamma-излучения на основе CdTe.

Доп.точки доступа:
Косяченко, Л. А.; Маслянчук, О. Л.; Мельничук, С. В.; Склярчук, В. М.; Склярчук, О. В.; Аоки, Т.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Алиев, Ф. Ф.
Влияние дефектов на электрические свойства Ag[2]S при фазовом переходе [Текст] / Ф. Ф. Алиев, М. Б. Джафаров, В. И. Эминова // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 749-752. : ил. - Библиогр.: с. 751-752 (18 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фазовый переход -- ФП -- температурные зависимости -- дефекты -- концентрация дефектов -- электропроводность -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- электрические свойства -- Ag[2]S
Аннотация: Исследованы температурные зависимости электропроводности sigma (T) и коэффициента Холла R (T) в Ag[2]S при фазовом переходе. Обнаружены количественные несогласия в изменениях sigma (T) и R (T) при фазовом переходе, когда sigma увеличивается на несколько порядков, а R уменьшается в ~3-4 раза. Данный факт интерпретирован в рамках модели с двумя типами носителей заряда с учетом изменения зонных параметров и концентрации дефектов, образующихся при фазовом переходе.

Доп.точки доступа:
Джафаров, М. Б.; Эминова, В. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Увлечение электронов фононами в Ag[2]S [Текст] / С. А. Алиев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 764-766. : ил. - Библиогр.: с. 765 (16 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
температурные зависимости -- теплопроводность -- термоэдс -- электроны -- фононы -- теория Херринга -- Херринга теория
Аннотация: Исследованы температурные зависимости коэффициента теплопроводности (chi) и термоэдс (alpha) в Ag[2]S в интервале 4. 2-300 K. Обнаружено, что при T<100 K величина alpha резко растет (alpha пропорционально T{-3}) с уменьшением T, при 16-18 K проходит через максимум. Коэффициент теплопроводности проходит через максимум при ~30 K. Установлено, что резкое возрастание alpha обусловлено эффектом увлечения электронов длинноволновыми фононами. Показано, что смещение максимумов alpha и chi, а также температурная зависимость фононной термоэдс alphaph пропорционально T{-3} находятся в согласии с теорией Херринга.

Доп.точки доступа:
Алиев, С. А.; Алиев, Ф. Ф.; Гасанов, З. С.; Абдуллаев, С. М.; Селим-заде, Р. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние микроволновой обработки на механизмы протекания тока в омических контактах Au-TiB[x]-Al-Ti-n{+}-n-n{+}-GaN-Al[2]O[3] [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 775-781. : ил. - Библиогр.: с. 780-781 (26 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
омические контакты -- температурные зависимости -- быстрая термическая обработка -- БТО -- микроволновая обработка -- комнатная температура -- термообработка -- термическая обработка -- микроволновые излучения -- металлическая проводимость
Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного контактного сопротивления rhoc омических контактов Au-TiB[x]-Al-Ti-n{+}-n-n{+}-GaN-Al[2]O[3] до и после микроволновой обработки и последующего хранения образцов в течение 9 месяцев при комнатной температуре. Температурные зависимости rho[c] исходных образцов измерялись дважды. При первом измерении rho[c] обнаружена типичная для омических контактов температурная зависимость rho[c], при повторном измерении в области температур >270 K обнаружен рост rho[c], обсусловленный металлической проводимостью. После микроволновой обработки металлическая проводимость в омическом контакте не наблюдается, что предположительно связано с локальным разогревом металлических включений Ga при воздействии микроволнового излучения и формированием, вследствие большой химической активности жидкого галлия, его соединений с другими компонентами металлизации. Температурная зависимость rho[c] в этом случае определяется обычными механизмами токопереноса. После 9 месяцев хранения при комнатной температуре температурная зависимость rho[c] описывается туннельным механизмом токопереноса.

Доп.точки доступа:
Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Витусевич, С. А.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Лебедев, А. А.; Миленин, В. В.; Свешников, Ю. Н.; Шеремет, В. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Оптические свойства четверных полупроводниковых твердых растворов GaN[x]As[y]P[1-x-y] [Текст] / А. Ю. Егоров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 886-890. : ил. - Библиогр.: с. 889-890 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
оптические свойства -- полупроводниковые твердые растворы -- GaN[x]As[y]P[1-x-y] -- подложки -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектроскопия -- температура жидкого азота -- сравнительный анализ -- спектры фотолюминесценции -- температурные зависимости -- выражение Варшни -- Варшни выражение
Аннотация: Исследования оптических свойств четверных полупроводниковых твердых растворов GaN[x]As[y]P[1-x-y], выращенных на поверхности подложки GaP (100), проведены методами спектроскопии фотолюминесценции в температурном диапазоне 20-300 K и возбуждения люминесценции при температуре жидкого азота. В ходе выполнения работы исследовались твердые растворы GaN[x]As[y]P[1-x-y] с величинами мольных долей азота x и мышьяка y в диапазонах 0. 006-0. 012 и 0. 00-0. 18 соответственно. Проведен сравнительный анализ полученных данных и установлены зависимости энергетического положения максимума линии фотолюминесценции от элементного состава четверного твердого раствора. При исследовании фотолюминесценции в диапазоне 20-300 K наблюдалось существенное отличие температурной зависимости положения максимума фотолюминесценции от закономерности, описываемой выражением Варшни.

Доп.точки доступа:
Егоров, А. Ю.; Крыжановская, Н. В.; Пирогов, Е. В.; Павлов, М. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Рассеяние электронов на акцепторных центрах в p-Ag[2]Te при низких температурах [Текст] / Ф. Ф. Алиев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1042-1045. : ил. - Библиогр.: с. 1045 (12 назв. )

УДК

^a621.315.592

10.

Оптические свойства тонких пленок GaSe/n-Si (111) [Текст] / М. П. Киселюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1046-1049. : ил. - Библиогр.: с. 1049 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
резонансное рассеяние электронов -- акцепторные центры -- p-Ag[2]Te -- теллурид серебра -- низкие температуры -- температурные зависимости -- термоэдс -- электропроводность -- носители заряда -- акустические фононы -- акцепторы
Аннотация: Проведены морфологические и оптические (эллипсометрия, спектры отражения в диапазоне 400-750 нм и спектры отражения в диапазоне 1. 4-25 мкм) исследования тонких пленок GaSe толщиной 15-60 нм, полученных методом термического напыления на подложках из монокристаллического кремния n-Si (111). Установлено, что на начальном этапе роста имеет место островковый (трехмерный) рост GaSe на подложках n-Si (111). Показано изменение физических параметров пленок по мере увеличения толщины и приближение с точки зрения кристаллической и энергетической зонной структуры тонких пленок к монокристаллам. Для пленок толщиной 60 нм максимум полосы отражения объяснен непрямыми оптическими переходами, усиленными экситонным взаимодействием. В результатах оптических исследований предполагается проявление квантовых эффектов в приповерхностной области тонких пленок.

Доп.точки доступа:
Киселюк, М. П.; Власенко, А. И.; Генцарь, П. А.; Вуйчик, Н. В.; Заяц, Н. С.; Кругленко, И. В.; Литвин, О. С.; Криськов, Ц. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-20 21-31 31-31

Тематический навигатор

Статистика за 08.07.2024
Число запросов	16677
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)