Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (5)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=температура отжига<.>)

Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10

Процив, Ю. В.
Методика расчета увеличения размеров зерен металлических материалов в зависимости от режимов отжига [Текст] / Ю. В. Процив // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2009. - Т. 75, N 7. - С. 21-29. - Библиогр.: с. 29 (10 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

^a539.2

^a620.1/.2

ББК 22.37 + 30.3
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Техника
   Материаловедение
Кл.слова (ненормированные):
отжиг -- зерна металлических материалов -- металлические материалы -- режимы отжига -- номограммы -- температура отжига
Аннотация: Предложена методика расчета увеличения размеров зерен в металлических материалах в зависимости от воздействия отжигов различной продолжительности при различных температурах.

Найти похожие

Электронный парамагнитный резонанс и фотолюминесценция в пиролитических пленках нитрида кремния при ионном облучении аргоном и молекулярным азотом [Текст] / Е. С. Демидов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 961-965 : ил. - Библиогр.: с. 965 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- фотолюминесценция -- ФЛ -- нитрид кремния -- ионное облучение -- облучение ионами -- пиролитические пленки -- молекулярный азот -- аргон -- ионы аргона -- азот -- ионы азота -- электронные переходы -- отжиг -- температура отжига
Аннотация: При 293 K исследовались фотолюминесценция и электронный парамагнитный резонанс пиролитических пленок нитрида кремния, облученных ионами аргона или молекулярными ионами азота и отожженных при температурах 500-1100{o}C. Спектр поглощения свидетельствует о том, что широкая полоса фотолюминесценции в области 400-600 нм связана с электронными переходами между хвостами зон. Облучение ионами аргона с малыми дозами незначительно понижает интенсивность фотолюминесценции, а с большими дозами может после отжигов при 800-900{o}C усиливать ее более чем в 2 раза. Вместе с тем облучение ионами азота приводит к значительному, более чем на порядок, уменьшению интегральной интенсивности фотолюминесценции. Наблюдалась корреляция изменения интенсивности фотолюминесценции и амплитуды спектров электронного парамагнитного резонанса при отжигах пленок нитрида кремния.

Доп.точки доступа:
Демидов, Е. С.; Добычин, Н. А.; Карзанов, В. В.; Марычев, М. О.; Сдобняков, В. В.

Найти похожие

Упорядоченные массивы нанокристаллов кремния в SiO[2]: структурные, оптические, электронные свойства [Текст] / И. В. Антонова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 501-506 : ил. - Библиогр.: с. 505-506 (27 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы кремния -- нк-Si -- облучение -- ионы -- тяжелые ионы -- квантовые точки -- КТ -- электрическая проводимость -- вольт-фарадные характеристики -- структурные свойства -- оптические свойства -- электронные свойства -- фотолюминесценция -- ФЛ -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- отжиг -- температура отжига
Аннотация: Обнаружено, что облучение слоев SiO[2], содержащих нанокристаллы кремния (нк-Si), тяжелыми ионами высоких энергий приводит к существенным структурным изменениям - формированию вертикально упорядоченных массивов нанокристаллов вдоль треков ионов. Следствием подобного воздействия является значительное изменение электрических (проводимости, вольт-фарадных характеристик) и оптических свойств (фотолюминесценции) слоев с нанокристаллами.

Доп.точки доступа:
Антонова, И. В.; Скуратов, В. А.; Jedrzejewski, J.; Balberg, I.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние низкотемпературных отжигов на фотолюминесценцию кремниевых нанокластерных структур [Текст] / Б. Н. Романюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 533-537 : ил. - Библиогр.: с. 536-537 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- ФЛ -- нанокластеры -- НК -- кремниевые нанокластеры -- спектры фотолюминесценции -- отжиг -- высокотемпературный отжиг -- ВТ отжиг -- низкотемпературный отжиг -- НТ отжиг -- структуры -- температура отжига
Аннотация: Приведены результаты экспериментальных исследований спектров фотолюминесценции кремниевых нанокластерных структур, полученных после высокотемпературного отжига (1150гр. C) осажденных на Si пленок SiO[x] и последующих низкотемпературных отжигов при температуре 450гр. C в разных средах. Показано, что интенсивность фотолюминесценции существенно возрастает после низкотемпературного отжига, причем максимальный эффект наблюдается после отжига в смеси кислорода и азота. При этом спектр фотолюминесценции сдвигается в длинноволновую область и имеет форму широкой полосы с максимумом в области 880 нм. Механизмы, ответственные за увеличение интенсивности фотолюминесценции при низкотемпературном отжиге в смеси кислорода и азота, связаны с реконструкцией границ раздела Si/SiO[2] и формированием на этих границах энергетических уровней, которые участвуют в рекомбинации неравновесных носителей заряда. В квазихимических реакциях создания таких уровней принимают участие атомы кислорода и азота, а начальными центрами реакций являются ненасыщенные валентные связи на границах раздела нанокластеров Si и матрицы SiO[2].

Доп.точки доступа:
Романюк, Б. Н.; Мельник, В. П.; Попов, В. Г.; Хацевич, И. М.; Оберемок, А. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Исследование влияния отжига на структуру пленок Bi[2]Te[3]-Bi[2]Se[3] [Текст] / Н. М. Абдуллаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 853-856. : ил. - Библиогр.: с. 856 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- твердые растворы -- Bi[2]Te[3]-Bi[2]Se[3] -- отжиг -- пленочные поликристаллы -- температура отжига -- кристаллизация поликристаллов -- поликристаллы
Аннотация: Исследована динамика кристаллизации пленочных поликристаллов системы твердого раствора Bi[2]Te[3]-Bi[2]Se[3], отожженных при температуре 200-230{o}C. Показано, что в зависимости от времени и температуры отжига наблюдается образование упорядоченных блоков размером 70-150 нм.

Доп.точки доступа:
Абдуллаев, Н. М.; Мехтиева, С. И.; Меммедов, Н. Р.; Рамазанов, М. А.; Керимова, А. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Исследование нанокристаллов кремния в слоях субоксида кремния методом комбинационного рассеяния света [Текст] / Н. Е. Маслова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1074-1077. : ил. - Библиогр.: с. 1076-1077 (17 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы кремния -- субоксид кремния -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- метод комбинационного рассеяния света -- термический отжиг -- термоотжиг -- температура отжига -- фононы -- кристаллические фазы -- аморфные фазы
Аннотация: Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света исследованы слои субоксида кремния SiO[x] (x~1), подвергнутые термическому отжигу при температурах от 950 до 1200{o}C для формирования в них нанокристаллов кремния. Сравнением полученных экспериментальных данных с моделью пространственного ограничения фононов найдены объемные доли кристаллической и аморфной фаз кремния в исследуемых слоях. Установлено, что средний размер нанокристаллов кремния увеличивается с 4 до 6. 5 нм с ростом температуры отжига, что объясняется укрупнением нанокристаллов за счет кристаллизации аморфной фазы кремния, а также процессами слияния соседних нанокристаллов, происходящими при максимальных температурах отжига.

Доп.точки доступа:
Маслова, Н. Е.; Антоновский, А. А.; Жигунов, Д. М.; Тимошенко, В. Ю.; Глебов, В. Н.; Семиногов, В. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Управление длиной волны излучения квантовых ям InGaAs/GaAs и лазерных структур на их основе с помощью протонного облучения [Текст] / С. А. Ахлестина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1494-1497. : ил. - Библиогр.: с. 1497 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- InGaAs/GaAs -- квантовые ямы -- КЯ -- лазерные структуры -- длина волны -- протонное облучение -- облучение протонами -- термический отжиг -- температура отжига -- лазерное излучение -- имплантация ионов -- границы раздела -- ионы
Аннотация: Исследованы особенности управления длиной волны излучения лазерных гетероструктур с напряженными квантовыми ямами InGaAs/GaAs посредством облучения протонами средних энергий (до 150 кэВ). Установлено, что облучение ионами H{+} и последующий термический отжиг при температуре 700{o}C позволяют уменьшить длину волны излучения квантовых ям. С ростом дозы ионов от 10{13} до 10{16} см{-2} величина изменения длины волны увеличивается до 20 нм. При этом начиная с дозы 10{15} см{-2} наблюдается значительное уменьшение интенсивности излучения. Определены оптимальные дозы ионов H{+} (6 x 10{14} см{-2}) и температура отжига (700{o}C) для модифицирования лазерных структур InGaAs/GaAs/InGaP и показано, что в этом случае можно получить сдвиг ~8-10 нм длины волны лазерного излучения с малыми потерями интенсивности при сохранении качества поверхности лазерных структур. Наблюдаемый "синий" сдвиг обусловлен стимулированными имплантацией процессами перемешивания атомов Ga и In на границах раздела InGaAs/GaAs.

Доп.точки доступа:
Ахлестина, С. А.; Васильев, В. К.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Звонков, Б. Н.; Некоркин, С. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Пархимович, Н. Ю.
Влияние температуры отжига под квазигидростатическим давлением на текстуру и фазовый состав керамики Bi(Pb)2223 [Текст] / Н. Ю. Пархимович, М. Ф. Имаев // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 6. - С. 85-89 : рис. - Библиогр.: c. 88-89 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

^a621.315.55/.58

ББК 22.37 + 31.232
Рубрики: Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Физика
   Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
Bi (Pb) 2223 -- вторичные фазы -- высокотемпературная сверхпроводящая керамика -- керамика Bi (Pb) 2223 -- матричная фаза -- микроструктура керамики -- сверхпроводники -- сверхпроводящая керамика -- температура отжига
Аннотация: Изучено влияние температуры отжига под квазигидростатическим давлением P = 10 МПа на текстуру и микроструктуру текстурованной керамики Bi (Pb) 2223. Отжиг при T = 925 °C не привел к заметному размытию текстуры, но сопровождался увеличением количества частиц вторичных фаз и формированию неоднородной микроструктуры по радиусу образца. В отожженном при T = 925 °C образце обнаружен кольцевой участок материала с высоким содержанием частиц (Sr, Ca) _14Cu_24O_41 и (Sr, Ca) _2CuO_3. Повышение температуры отжига до 935°C привело к полному распаду матричной фазы Bi (Pb) 2223 по всему объему образца.

Доп.точки доступа:
Имаев, М. Ф.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Фазовое состояние, структура и магнитные свойства пленок Fe - Zr - N, полученных магнетронным распылением нагретой мишени [Текст] / Е. Н. Шефтель [и др.] // Перспективные материалы. - 2015. - № 12. - С. 54-61 : 4 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 59 (10 назв. ) . - ISSN 1028-978X

УДК

^a537

^a539.2

ББК 22.33 + 22.37
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм в целом
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
магнитномягкие пленки -- температура отжига -- пленки -- фазово-структурное состояние -- статические магнитные свойства -- магнетронное распыление -- нагретая мишень -- температура Кюри -- Кюри температура
Аннотация: Исследованы фазово-структурное состояние и магнитные свойства (индукция насыщения B[s], и коэрцитивная сила H[c]) пленок Fe - Zr - N широкого химического состава, полученных методом реактивного магнетронного распыления в атмосфере Ar + N[2] (N[2] = 0, 5, 15 об. %) мишеней состава FeZr[x], нагретых выше температуры Кюри.

Доп.точки доступа:
Шефтель, Е. Н.; Теджетов, В. А.; Харин, Е. В.; Кирюханцев-Корнеев, Ф. В.; Титова, А. О.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Кекало, И. Б.
Особенности процессов охрупчивания и расчет кинетических параметров в аморфном сплаве Со[69]Fe[3,7]Cr[3,8]Si[12,5]B[11] [Текст] / И. Б. Кекало, П. С. Могильников // Перспективные материалы. - 2016. - № 2. - С. 36-45 : 5 рис. - Библиогр.: с. 43-44 (10 назв. ) . - ISSN 1028-978X

УДК

^a669.017

ББК 34.2
Рубрики: Технология металлов
Металловедение в целом
Кл.слова (ненормированные):
аморфные сплавы -- кинетические параметры -- охрупчивание -- структурное состояние -- аморфная фаза -- температура отжига -- магнитные свойства -- гистерезис -- термическая обработка
Аннотация: Изучены закономерности влияния времени выдержки при отжиге на температуру вязко-хрупкого перехода (температуру охрупчивания) Т[f] в аморфном сплаве на основе кобальта состава Со[69]Fe[3, 7]Cr[3, 8]Si[12, 5]B[11] с очень низкой магнитострикцией насыщения ламбда[s] < 10{-7}. Установлено, что зависимость температуры охрупчивания Т[f] от выдержки t[а] можно описать уравнением Аррениуса. Охрупчивание при температуре, отличающимися кинетическими параметрами, можно описать несколькими кинетическими параметрами, что обусловлено разным структурным состоянием аморфной фазы. Установлено, что в изученном сплаве охрупчивание независимо от времени выдержки протекает в очень узком интервале температур отжига, не превышающем 5 °С.

Доп.точки доступа:
Могильников, П. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 07.09.2024
Число запросов	9738
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)