Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=температура жидкого азота<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Хидиров, И. Г.
Температура Дебая и статические смещения атомов в нестехиометрическом карбиде титана TiC[0, 70] [Текст] = The Debye temperature and static displacements of atoms in the nonstoichiometric titanium carbide TiCO[0, 70] / И. Г. Хидиров, А. С. Парпиев // Альтернативная энергетика и экология. - 2010. - N 5 (85). - С. 31-34. : табл., граф. - Библиогр.: с. 34 (6 назв. )

УДК

^a539.19

^a539.2

ББК 22.36 + 22.37
Рубрики: Физика
Молекулярная физика в целом
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
карбид титана -- TiCO[0, 70] -- дифракция нейтронов -- температура жидкого азота -- Дебая температура -- температура Дебая -- жидкий азот -- нейтроны
Аннотация: Измерение нейтронограмм карбида титана при комнатной температуре и температуре жидкого азота. Определение амплитуды тепловых колебаний атомов при двух использованных температурах и статических искажениях кристаллической решетки.

Доп.точки доступа:
Парпиев, А. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Оптические свойства четверных полупроводниковых твердых растворов GaN[x]As[y]P[1-x-y] [Текст] / А. Ю. Егоров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 886-890. : ил. - Библиогр.: с. 889-890 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
оптические свойства -- полупроводниковые твердые растворы -- GaN[x]As[y]P[1-x-y] -- подложки -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектроскопия -- температура жидкого азота -- сравнительный анализ -- спектры фотолюминесценции -- температурные зависимости -- выражение Варшни -- Варшни выражение
Аннотация: Исследования оптических свойств четверных полупроводниковых твердых растворов GaN[x]As[y]P[1-x-y], выращенных на поверхности подложки GaP (100), проведены методами спектроскопии фотолюминесценции в температурном диапазоне 20-300 K и возбуждения люминесценции при температуре жидкого азота. В ходе выполнения работы исследовались твердые растворы GaN[x]As[y]P[1-x-y] с величинами мольных долей азота x и мышьяка y в диапазонах 0. 006-0. 012 и 0. 00-0. 18 соответственно. Проведен сравнительный анализ полученных данных и установлены зависимости энергетического положения максимума линии фотолюминесценции от элементного состава четверного твердого раствора. При исследовании фотолюминесценции в диапазоне 20-300 K наблюдалось существенное отличие температурной зависимости положения максимума фотолюминесценции от закономерности, описываемой выражением Варшни.

Доп.точки доступа:
Егоров, А. Ю.; Крыжановская, Н. В.; Пирогов, Е. В.; Павлов, М. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Ашмонтас, С.
Вольт-амперные характеристики несимметрично суженных образцов из высокоомного кремния [Текст] / С. Ашмонтас, В. Клейза // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 295-298. : ил. - Библиогр.: с. 298 (10 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- высокоомный кремний -- кремний -- электронная проводимость -- комнатная температура -- температура жидкого азота -- асимметрия -- сильные электрические поля -- объемные заряды -- электроны -- подвижность электронов -- неоднородные поля
Аннотация: Представлены результаты исследования вольт-амперных характеристик несимметрично суженных образцов кремния электронной проводимости. Установлено, что при комнатной температуре и температуре жидкого азота асимметрия вольт-амперной характеристики исследуемых образцов в сильных электрических полях обусловлена образованием объемного заряда. При T=78 K в области теплых электронов асимметрия вольт-амперной характеристики обусловлена нелокальной связью подвижности электронов с напряженностью неоднородного электрического поля. Обнаружено, что при температуре жидкого азота сопротивление образца значительно увеличивается после приложения импульсов сильного электрического поля. Наблюдаемый эффект объясняется уменьшением концентрации электронов в суженной части образца вследствие перераспределения горячих электронов между объемом и поверхностью.

Доп.точки доступа:
Клейза, В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si (310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона [Текст] / М. В. Якушев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 396-402. : ил. - Библиогр.: с. 401-402 (19 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- HgCdTe -- подложки -- кремний -- Si (310) -- твердые растворы -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- МЛЭ -- фотоприемники -- ФП -- инфракрасные фотоприемники -- ИК ФП -- фоточувствительные элементы -- ФЧЭ -- дефекты структуры -- фотодиоды -- комнатная температура -- температура жидкого азота
Аннотация: Представлены результаты исследований процессов роста твердых растворов HgCdTe на подложках из кремния диаметром до 100 мм методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Определены оптимальные условия получения гетероструктур HgCdTe/Si (310) приборного качества для спектрального диапазона 3-5 мкм. Представлены результаты измерений и обсуждение фотоэлектрических параметров инфракрасного фотоприемника форматом 320x 256 элементов с шагом 30 мкм на основе гибридной сборки матричного фоточувствительного элемента с кремниевым мультиплексором. Показана высокая стабильность параметров фотоприемника к термоциклированию от комнатной температуры до температуры жидкого азота.

Доп.точки доступа:
Якушев, М. В.; Брунев, Д. В.; Варавин, В. С.; Васильев, В. В.; Дворецкий, С. А.; Марчишин, И. В.; Предеин, А. В.; Сабинина, И. В.; Сидоров, Ю. Г.; Сорочкин, А. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 07.09.2024
Число запросов	381
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)