Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (8)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=теллурид кадмия<.>)

Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-11

Влияние самокомпенсации на время жизни электрона в теллуриде кадмия, легированном галлием [Текст] / Е. В. Рабенок [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 878-883 : ил. - Библиогр.: с. 882 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
самокомпенсация -- электроны -- время жизни электронов -- теллурид кадмия -- легирование -- галлий -- фотопроводимость -- сверхвыкокочастотная фотопроводимость -- катодолюминесценция -- элементарные процессы -- заряженные частицы -- твердые растворы -- поликристаллические твердые растворы -- датчики интроскопии -- фотоотклик -- амплитуда -- характеристическое время -- фотогенерированные электроны -- энергетические ловушки
Аннотация: Методами сверхвысокочастотной фотопроводимости и катодолюминесценции исследованы элементарные процессы с участием заряженных частиц в поликристаллических твердых растворах на основе теллурида кадмия CdTe-GaTe и CdTe-Ga[2]Te[3] - перспективных активных средах датчиков интроскопии человека с низкой дозовой нагрузкой. Экспериментально установлено, что амплитуда, характеристическое время и форма спада фотоотклика зависели от уровня легирования, причем характеристическое время спада увеличивалось с ростом уровня легирования. Показано, что изменение кинетики гибели фотогенерированных электронов в легированном теллуриде кадмия (по сравнению с исходным) обусловлено эффектом самокомпенсации, приводящим к перераспределению ловушек по энергиям.

Доп.точки доступа:
Рабенок, Е. В.; Гапанович, М. В.; Новиков, Г. Ф.; Один, И. Н.

Найти похожие

Набиев, Г. А.
О механизмах эффекта аномально больших фотонапряжений в пленках CdTe [Текст] / Г. А. Набиев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 926-927 : ил. - Библиогр.: с. 927 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
аномально большие напряжения -- АФН -- эффект аномально больших наряжений -- АНФ-эффект -- пленки CdTe -- пленки теллурида кадмия -- n-p переходы -- p-n-p структуры -- p-n переходы -- теллурид кадмия -- CdTe
Аннотация: Предлагается метод определения вкладов асимметрии освещения и различия параметров p-n- и n-p-переходов p-n-p-структуры на эффект аномально больших фотонапряжений в пленках теллурида кадмия.

Найти похожие

Влияние примеси хлора на длинноволновый край полосы поглощения монокристаллов CdTe [Текст] / В. Д. Попович [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 759-763 : ил. - Библиогр.: с. 763 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
спектры -- спектры поглощения -- оптические спектры -- хлор -- легирование -- монокристаллы CdTe -- CdTe монокристаллы -- теллурид кадмия -- правило Урбаха -- Урбаха правило
Аннотация: Исследованы оптические спектры поглощения номинально чистых и легированных хлором монокристаллов CdTe, выращенных модифицированным методом физического транспорта через газовую фазу, в области длинноволнового края собственного поглощения при комнатной температуре. Показано, что экспоненциальная зависимость коэффициента поглощения нелегированных и слабо легированных образцов может быть объяснена выполнением правила Урбаха. В сильно легированных кристаллах край поглощения формируется оптическими переходами с участием хвостов плотности состояний, образованных вследствие флуктуации концентрации легирующей примеси. Рассчитаны характерный энергетический размер флуктуаций примесного потенциального рельефа и концентрации заряженных центров для случая сильно легированного материала.

Доп.точки доступа:
Попович, В. Д.; Potera, P.; Вирт, И. С.; Билык, М. Ф.

Найти похожие

Электрофизические и морфологические свойства пленок CdTe, синтезированных методом молекулярного наслаивания [Текст] / В. А. Майоров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 590-593 : ил. - Библиогр.: с. 592-593 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
теллурид кадмия -- CdTe -- пленки -- молекулярное наслаивание -- метод молекулярного наслаивания -- подложки -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- электрофизические свойства -- морфологические свойства -- синтез
Аннотация: Пленки теллурида кадмия синтезированы методом молекулярного наслаивания на подложках из графита, слюды и кремния. Получены однородные фоточувствительные слои площадью 65 см{2}, толщиной от 0. 5 до 5 мкм с концентрацией дырок 6. 3x10{1}6 см{-3} (300 K).

Доп.точки доступа:
Майоров, В. А.; Афясов, А. М.; Божевольнов, В. Б.; Раданцев, В. Ф.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Новиков, Г. Ф.
Роль подбарьерных переходов в процессах гибели избыточных носителей тока в полупроводниках A{II}B{VI} [Текст] / Г. Ф. Новиков, Е. В. Рабенок, М. В. Гапанович // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 600-605 : ил. - Библиогр.: с. 605 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые соединения -- теллурид кадмия -- сульфид кадмия -- сульфид цинка -- фотопроводимость -- СВЧ фотопроводимость -- метод СВЧ фотопроводимости -- фотоотклик -- спад фотоотклика -- температура -- подбарьерные переходы -- носители зарядов -- рекомбинация -- туннельная рекомбинация -- ловушки
Аннотация: Методом СВЧ фотопроводимости изучена кинетика гибели носителей тока, генерируемых импульсами излучения азотного лазера, в полупроводниковых соединениях группы A{II}B{VI}: теллуриде кадмия n- и p-типа проводимости, сульфиде кадмия. Спады фотоотклика после выключения света состояли из быстрой (проявляющейся при временах <30 нс) и медленной (при временах >50 нс) компонент. Форма спада медленной компоненты практически не зависела от температуры и при больших временах, закон спада соответствовал линейной зависимости фотоотклика от логарифма времени. Результаты позволили предположить, что медленная компонента спада фотоотклика отражает процесс гибели захваченных в ловушки зарядов благодаря туннельной рекомбинации.

Доп.точки доступа:
Рабенок, Е. В.; Гапанович, М. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Особенности механизма электропроводности полуизолирующих монокристаллов CdTe [Текст] / Л. А. Косяченко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 729-734. : ил. - Библиогр.: с. 733-734 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электропроводность -- монокристаллы -- полуизолирующие монокристаллы -- теллурид кадмия -- CdTe -- температурные зависимости -- электрические характеристики -- акцепторы -- энергия ионизации -- контакт Шоттки -- Шоттки контакт -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- акцепторные примеси
Аннотация: Исследованы температурные зависимости электрических характеристик полуизолирующих монокристаллов p-CdTe, выявившие существенные особенности их электропроводности, не описанные в литературе. Энергия активации материала p-типа проводимости, близкой к собственной, может быть как меньше, так и превышать половину ширины запрещенной зоны полупроводника. Результаты анализа статистики электронов и дырок на основе уравнения электронейтральности показали, что наблюдаемые особенности электрических свойств материала объясняются спецификой компенсационных процессов. Предложена методика определения энергии ионизации и степени компенсации акцепторов, ответственных за электропроводность материала. Показано, что в пределах климатических изменений температуры может наблюдаться инверсия типа проводимости материала и, как следствие, исчезновение контакта Шоттки в детекторе рентгеновского и gamma-излучения на основе CdTe.

Доп.точки доступа:
Косяченко, Л. А.; Маслянчук, О. Л.; Мельничук, С. В.; Склярчук, В. М.; Склярчук, О. В.; Аоки, Т.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние метода синтеза на свойства пленок теллурида кадмия, синтезированных в резко неравновесных условиях [Текст] / А. П. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 978-980. : ил. - Библиогр.: с. 980 (6 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
пленки теллурида кадмия -- теллурид кадмия -- сравнительные исследования -- электрические свойства -- гальваномагнитные свойства -- температурные зависимости проводимости -- метод теплового экрана -- метод квазизамкнутого объема -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- холловская подвижность -- стехиометрия -- концентрация дефектов -- неравновесные условия
Аннотация: Сообщается о результатах сравнительных исследований электрических и гальваномагнитных свойств пленок теллурида кадмия, синтезированных в резко неравновесных условиях методом теплового экрана и методом квазизамкнутого объема. Приводятся температурные зависимости проводимости, коэффициента Холла и эффективной холловской подвижности. В результате анализа экспериментальных результатов делается вывод, что метод теплового экрана положительно влияет на стехиометрию состава и тем способствует получению пленок с меньшей концентрацией дефектов.

Доп.точки доступа:
Беляев, А. П.; Рубец, В. П.; Антипов, В. В.; Еремина, Е. О.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Новые технологии повысят конкурентоспособность солнечной энергетики [Текст] // Электроэнергетика: сегодня и завтра. - 2014. - № 6. - С. 89-90

УДК

^a620.91:662.97

ББК 31.63
Рубрики: Энергетика
Гелиоэнергетика
Кл.слова (ненормированные):
солнечная энергия -- солнечные батареи -- тонкопленочные батареи -- производство пленочных батарей -- наночастицы -- медь -- индий -- галлий -- селен -- теллурид кадмия
Аннотация: Производство тонкопленочных солнечных батарей, в которых слой пленки состоит из теллурида кадмия.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al[2]O[3] [Текст] / С. М. Дзядух [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 11. - С. 3-12 : рис., табл. - Библиогр.: c. 11-12 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
CdTe -- CdTe/Al -- HgCdTe -- адмиттанс МДП-структур -- варизонный слой -- вольт-фарадная характеристика -- диэлектрические слои -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- оксид алюминия -- оптоэлектроника -- пассивирующее покрытие -- полупроводниковые твердые растворы -- проводимость полупроводника -- теллурид кадмия -- теллурид кадмия/алюминий -- теллурид ртути кадмия
Аннотация: Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе n (p) -Hg[1-x]Cd[x]Te (при x от 0. 22 до 0. 40) с диэлектриками SiO[2]/Si[3]N[4], Al[2]O[3] и CdTe/Al[2]O[3] при температуре 77 К. Выращивание в процессе эпитаксии промежуточного слоя CdTe приводит при малом диапазоне изменения напряжения к практически полному исчезновению гистерезиса электрофизических характеристик МДП-структур на основе варизонного n-HgCdTe. При большом диапазоне изменения напряжения гистерезис вольт-фарадных характеристик для МДП-структур на основе n-HgCdTe с диэлектриком CdTe/Al[2]O[3] появляется, но механизм гистерезиса отличается от такового для однослойного диэлектрика Al[2]O[3]. Для МДП-структур на основе p-HgCdTe введение дополнительного слоя CdTe не приводит к значительному уменьшению гистерезисных явлений, что может быть связано с деградацией свойств границы раздела при выходе ртути из пленки в результате низкотемпературного отжига, изменяющего тип проводимости полупроводника.

Доп.точки доступа:
Дзядух, С. М.; Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Сидоров, Г. Ю.; Варавин, В. С.; Васильев, В. В.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Якушев, М. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Особенности стационарной фотопроводимости высокоомных полупроводников при локальном освещении [Текст] / А. П. Лысенко [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 12. - С. 142-149 : рис., табл. - Библиогр.: c. 149 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- высокоомные полупроводники -- локальное освещение -- омические контакты -- теллурид кадмия -- фотопроводимость полупроводников
Аннотация: Явление фотопроводимости давно и хорошо изучено. Однако в подавляющем большинстве работ фотопроводимость полупроводников исследовалась при освещении всей поверхности образцов. В данной работе исследовалось влияние локальной засветки, обеспечивающей высокий уровень инжекции свободных носителей заряда на проводимость образцов высокоомного теллурида кадмия и полуизолирующего арсенида галлия и на свойства омических контактов к образцам. Обнаружено, что независимо от области засветки снижается значение переходного сопротивления омических контактов и пропорционально интенсивности облучения в образце растет концентрация основных носителей заряда. При этих исследованиях обнаружился целый ряд не известных ранее эффектов, интересных с точки зрения физики, обсуждению которых и посвящена данная работа.

Доп.точки доступа:
Лысенко, А. П.; Белов, А. Г.; Каневский, В. Е.; Одинцова, Е. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-11

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	116439
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)