Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (14)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=сульфид кадмия<.>)

Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-11

Влияние дефектного состояния образцов на спектры люминесценции облученных электронами монокристаллов CdS [Текст] / Г. Е. Давидюк [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 12. - С. 2133-2136. - Библиогр.: с. 2135-2136 (23 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
люминесценция -- монокристаллы сульфида кадмия -- облученные электронами монокристаллы -- облученные электронами монокристаллы -- радиационные дефекты -- спектры люминесценции -- сульфид кадмия -- электромагнитное излучение
Аннотация: Исследовались спектры фотолюминесценции в видимой и инфракрасной областях электромагнитного излучения облученных электронами (E = 1. 2 MeV, Ф = 2*10{17} cm{-2}) монокристаллов CdS. Для увеличения концентрации исходных структурных повреждений часть монокристаллов предварительно облучалась нейтронами (E = 2 MeV, Ф = 2*10{18} cm{-2}). На основании анализа интенсивности максимумов фотолюминесценции облученных монокристаллов с лямда[m] = 0. 72, 1. 03 и 0. 605 мюm делается вывод о наибольшей радиационной стойкости к электронной радиации малодефектных в исходном состоянии образцов CdS. Предполагается, что за наблюдаемую перестройку спектров фотолюминесценции в электронно облученных дефектных монокристаллах CdS могут быть ответственны механизмы подпорогового дефектообразования или перестройка дефектных комплексов в полях упругого и электрического происхождения вблизи крупных структурных повреждений решетки.

Доп.точки доступа:
Давидюк, Г. Е.; Божко, В. В.; Мирончук, Г. Л.; Панкевич, В. З.

Найти похожие

Майорова, Т. Л.
Рекомбинационные процессы в пиролитических пленках сульфида кадмия [Текст] / Т. Л. Майорова, В. Г. Клюев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 311-315

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
поликристаллические полупроводники -- сульфид кадмия -- пиролитические пленки -- термостимулированная проводимость -- люминесцентные свойства -- фотоэлектрические свойства
Аннотация: Посвящена исследованию фотоэлектрических свойств пиролитических пленок сульфида кадмия, чистых и легированных щелочными металлами. Установлено, что исследуемые пленки обладают длительной релаксацией фотопроводимости при комнатной температуре (t=10\{3\}-10\{4\} c). Это явление связано с наличием внутренних потенциальных барьеров между областями разной проводимости. Определена энергия активации релаксации запасенной проводимости E=0. 68 эВ. Методом термостимулированной проводимости для исследуемых пленок определено наличие трех уровней локализации электронов, связанных с вакансией серы (0. 48 эВ), кислородом на месте серы (0. 5 эВ) и адсорбированным атомом щелочного металла (0. 53 эВ). По результатам исследований рекомбинационных процессов построена энергетическая модель уровней в запрещенной зоне пиролитических пленок сульфида кадмия, легированных щелочными металлами.

Доп.точки доступа:
Клюев, В. Г.

Найти похожие

Ворох, А. С.
Визуализация в прямом пространстве ближнего и "среднего" дальнего порядка в некристаллической структуре отдельной наночастицы сульфида кадмия [Текст] / А. С. Ворох, А. А. Ремпель // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 2. - С. 106-114

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
дальний порядок -- некристаллическая структура -- наночастицы -- сульфид кадмия -- интерпретация изображения
Аннотация: Предложен метод идентификации некристаллической структуры наночастиц CdS в прямом пространстве путем интерпретации изображения, полученного методом просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения. Визуализированы ближний, "средний" дальний порядок и микродеформации в неупорядоченной плотноупакованной структуре наночастицы CdS. Показано, что отображение в прямом пространстве "средней" решетки с пространственной группой P6 возникает вследствие эффекта муара в некристаллической структуре.

Доп.точки доступа:
Ремпель, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Покутний, С. И.
Энергия связи экситона в полупроводниковых квантовых точках [Текст] / С. И. Покутний // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 507-512 : ил. - Библиогр.: с. 511-512 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- адиабатическое приближение -- энергия связи экситона -- метод эффективной массы -- монокристаллы -- селенид кадмия -- CdSe -- сульфид кадмия -- CdS -- экситоны
Аннотация: В адиабатическом приближении, а также в рамках модифицированного метода эффективной массы, в котором приведенная эффективная масса экситона mu=mu (a) является функцией радиуса a полупроводниковой квантовой точки, получено выражение для энергии связи экситона E[ex] (a) в квантовой точке. Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи экситона E[ex] (a) в квантовых точках селенида и сульфида кадмия с радиусами a, сравнимыми с боровскими радиусами экситона a[ex], относительно энергии связи экситона в монокристаллах CdSe и CdS (в 7. 4 и 4. 5 раз соответственно).

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Новиков, Г. Ф.
Роль подбарьерных переходов в процессах гибели избыточных носителей тока в полупроводниках A{II}B{VI} [Текст] / Г. Ф. Новиков, Е. В. Рабенок, М. В. Гапанович // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 600-605 : ил. - Библиогр.: с. 605 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые соединения -- теллурид кадмия -- сульфид кадмия -- сульфид цинка -- фотопроводимость -- СВЧ фотопроводимость -- метод СВЧ фотопроводимости -- фотоотклик -- спад фотоотклика -- температура -- подбарьерные переходы -- носители зарядов -- рекомбинация -- туннельная рекомбинация -- ловушки
Аннотация: Методом СВЧ фотопроводимости изучена кинетика гибели носителей тока, генерируемых импульсами излучения азотного лазера, в полупроводниковых соединениях группы A{II}B{VI}: теллуриде кадмия n- и p-типа проводимости, сульфиде кадмия. Спады фотоотклика после выключения света состояли из быстрой (проявляющейся при временах <30 нс) и медленной (при временах >50 нс) компонент. Форма спада медленной компоненты практически не зависела от температуры и при больших временах, закон спада соответствовал линейной зависимости фотоотклика от логарифма времени. Результаты позволили предположить, что медленная компонента спада фотоотклика отражает процесс гибели захваченных в ловушки зарядов благодаря туннельной рекомбинации.

Доп.точки доступа:
Рабенок, Е. В.; Гапанович, М. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Особенности подпорогового дефектообразования в монокристаллах CdS и CdS : Cu при рентгеновском облучении [Текст] / Г. Л. Мирончук [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 694-698 : ил. - Библиогр.: с. 697 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
рентгеновское облучение -- монокристаллы -- CdS -- сульфид кадмия -- дефектообразование -- электронная радиация -- рекомбинация -- легирование -- оптическое гашение фотопроводимости -- ОГФ -- кластеры дефектов -- КФ -- медь -- Cu -- подпороговая энергия -- крупные структурные повреждения -- КСП -- экспериментальные исследования -- r-центры -- неравновесные носители заряда
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследования влияния электронной радиации с энергией электронов 230 кэВ, рентгеновских квантов в энергиями 8. 06, 17. 5 кэВ и закалки образцов на образование и перестройку центров медленной рекомбинации неравновесных носителей заряда (так называемых r-центров) в специально не легированных и легированных медью (N[Cu]~10{18} см{-3}) монокристаллах CdS. Показано, что за r-центры ответственны дефекты в кадмиевой подрешетке кристалла, а именно вакансии VCd и близкие к ним по параметрам дефекты Cu[Cd]. При рентгеновском облучении как нелегированных, так и легированных Cu монокристаллов CdS имеет место подпороговое дефектообразование вакансий кадмия и Cu[Cd] в местах искаженных и ослабленных межатомных связей - "слабых местах" возле крупных структурных повреждений решетки технологического или иного происхождения. Начиная с температуры закалки 170{o}C заметное влияние на спектр центров медленной рекомбинации оказывают термообразованные V[Cu] и вторичные дефекты Cu[Cd]. При температурах закалки больших 250{o}C заметный вклад в спектр оптического гашения фотопроводимости вносят термовведенные свободные (вдали от структурных повреждений) r-центры-V[Cd] и Cu[Cd].

Доп.точки доступа:
Мирончук, Г. Л.; Давидюк, Г. Е.; Божко, В. В.; Кажукаускас, В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Ворох, А. С.
Влияние размерно-структурного фактора на магнитную восприимчивость наночастиц сульфида кадмия CdS [Текст] / А. С. Ворох, С. З. Назарова, Н. С. Кожевникова // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 6. - С. 1228-1233. - Библиогр.: с. 1233 (22 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
магнитная восприимчивость -- наночастицы -- сульфид кадмия -- дифракционные измерения -- магнитные измерения
Аннотация: Путем анализа данных дифракционных и магнитных измерений установлена зависимость ван-флековской компоненты магнитной восприимчивости наноструктурированного сульфида кадмия от геометрии и структуры наночастиц CdS. Обнаружено, что с уменьшением размера вюрцитных наночастиц CdS степень искажения sp{3}-орбиталей (степень ковалентности) возрастает и достигает предельного значения для продолговатых частиц со средним размером 9 nm. При меньших размерах частиц характер искажения орбиталей резко меняется, и ван-флековский вклад возвращается к величине, свойственной крупнокристаллическому CdS. Наночастицы размером менее 9 nm имеют особую неупорядоченную плотноупакованную структуру и центросимметричную форму. Полученные данные позволяют понять причину размерного фазового перехода из кристаллического состояния в особое наносостояние сульфида кадмия.

Доп.точки доступа:
Назарова, С. З.; Кожевникова, Н. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Липатова, Ж. О.
Кинетика и люминесценция квантовых точек сульфида кадмия во фторофосфатных стеклах [Текст] / Ж. О. Липатова, Е. В. Колобкова, В. А. Асеев // Оптика и спектроскопия. - 2015. - Т. 119, № 2. - С. 239-243 : граф., ил., диагр. - Библиогр.: с. 242-243 (18 назв.) . - ISSN 0030-4034

УДК

^a535.2/3

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
возбужденное состояние (физика) -- кадмий -- квантовые точки -- кинетика квантовых точек -- люминесценция -- размер квантовых точек -- стекла -- стеклование -- сульфид кадмия -- температура стеклования -- термообработка -- фторофосфатные стекла
Аннотация: Исследованы фторофосфатные стекла, активированные квантовыми точками сульфида кадмия. В результате термообработки вблизи температуры стеклования были сформированы квантовые точки. Показано, что увеличение размера квантовых точек приводит к увеличению времени жизни возбужденного состояния.

Доп.точки доступа:
Колобкова, Е. В.; Асеев, В. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Спектрально-люминесцентные свойства золей и покрытий, содержащих квантовые точки CdS/ZnS и поливинилпирролидон [Текст] / К. С. Евстропьев [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 120, № 3. - С. 434-441 : схемы, граф., табл. - Библиогр.: с. 440-441 (35 назв.) . - ISSN 0030-4034

УДК

^a535.2/.3

^a544.77

ББК 22.343 + 24.61
Рубрики: Физика
   Химия
   Физическая оптика
   Коллоидная химия в целом
Кл.слова (ненормированные):
свойства золей -- оптические свойства золей -- золи -- поливинилпирролидон -- квантовые точки -- сульфид кадмия -- синтез квантовых точек -- синтез золей -- нанокристаллы -- коллоидные растворы
Аннотация: Представлены результаты исследования спектрально-люминесцентных свойств золей и композиционных покрытий, содержащих сульфиды кадмия и цинка и высокомолекулярный поливинилпирролидон. Показано, что спектры поглощения коллоидных растворов в УФ области спектра определяются квантоворазмерным эффектом, демонстрируя зависимость края поглощения от размера нанокристаллов сульфида кадмия. Установлено, что с увеличением относительного содержания поливинилпирролидона размер формирующихся частиц сульфидов металлов уменьшается. Показано, что порядок смешения исходных компонентов при синтезе золей также определяет различия в размере формирующихся частиц и в их спектральных свойствах.

Доп.точки доступа:
Евстропьев, К. С.; Гатчин, Ю. А.; Евстропьев, С. К.; Дукельский, К. В.; Кисляков, И. М.; Пегасова, Н. А.; Багров, И. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Куликов, В. Д.
Поглощение света свободными носителями заряда в кристаллическом CdS при интенсивном электронном облучении [Текст] / В. Д. Куликов, В. Ю. Яковлев // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 5. - С. 123-127 : рис. - Библиогр.: c. 127 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a537.311.33

^a535.2/.3

ББК 22.379 + 22.343
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
дефекты кристалла -- монокристлаллы сульфида кадмия -- оптические проводники -- оптическое поглощение -- поглощение света носителями заряда -- полупроводники -- сульфид кадмия -- физика полупроводников -- электронно-оптические параметры полупроводников -- электронные пучки
Аннотация: Исследован процесс поглощения света свободными электронами в кристаллическом сульфиде кадмия при облучении наносекундным электронным пучком с плотностью тока 8-100 А/см{2}. Наблюдается сверхлинейное увеличение оптического поглощения при переходе от плотности тока пучка ~ 8 к 12 А/см{2}. Характер поглощения света термализованными электронами соответствует рассеянию на дефектах решетки. Увеличение показателя степенной функции поглощения света от длины волны с ростом плотности тока пучка связывается с одно- и двукратной ионизацией доноров и акцепторов. Сделан вывод, что накопление носителей заряда происходит без захвата на ловушки за счет их ударной ионизации вторичными электронами, энергия которых на стадии термализации сравнима с шириной запрещенной зоны кристалла. Рассчитаны сечение захвата электронов дырками при квадратичной рекомбинации ~ 10{-20} см{2}, коэффициент оже-рекомбинации ~ 10{-31} см{6}·с{-1}, концентрация носителей составляет соответственно ~ 1. 3·10{18} - 1. 5·10{19} см{-3}.

Доп.точки доступа:
Яковлев, В. Ю.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-11

Тематический навигатор

Статистика за 06.09.2024
Число запросов	83217
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)