Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=сублимации<.>)

Общее количество найденных документов : 19
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-19

Вольфсон, А. А.
Влияние продолжительности процесса роста на свойства GaN, выращенного методом сублимации [Текст] / А. А. Вольфсон, Е. Н. Мохов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 418-421

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
толстые эпитаксиальные слои -- GaN -- сандвич-метод -- катодолюминесценция -- оптоэлектронные приборы -- эпитаксиальные структуры
Аннотация: Исследовалось изменение структурных и морфологических особенностей и люминесцентных характеристик толстых эпитаксиальных слоев GaN, выращенных сублимационным сандвичем-методом, в зависимости от длительности процесса кристаллизации. Для этого, в частности, использовалась сканирующая электронная микроскопия в режимах вторичных электронов и катодолюминесценции с реальным отображением цветовой информации. Было установлено, что за время около 1. 5 ч могут быть выращены весьма совершенные слои GaN толщиной до 0. 5 мм, поверхность которых практически не имеет люминесценции в видимой области спектра. Однако если увеличить длительность ростового процесса с целью получения слоев большей толщины, то наблюдается ухудшение качества выращиваемого кристалла, которое сопровождается усилением катодолюминесценции его приповерхностного слоя в видимой (преимущественно желтой) части спектра. Обсуждаются причины ухудшения качества слоев GaN в этом случае. Предполагается, что по мере снижения скорости испарения источника убывает количество активного азота вблизи ростовой поверхности.

Доп.точки доступа:
Мохов, Е. Н.

Найти похожие

Формирование наноуглеродных пленок на поверхности SiC методом сублимации в вакууме [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 783-786. - Библиогр.: с. 786 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
наноуглеродные пленки -- метод сублимации в вакууме -- сублимационная эпитаксия -- двумерные кристаллы графита -- карбид кремния
Аннотация: Показано возможность формирования наноуглеродных пленок на поверхности SiC с использованием технологии и оборудования для сублимационной эпитаксии карбида кремния. Определен температурный диапазон, в котором формируются наноуглеродные пленки толщиной 4-5 постоянных решетки. Обнаружено наличие в пленках двумерных кристаллов графита.

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Котоусова, И. С.; Лаврентьев, А. А.; Лебедев, С. П.; Макаренко, И. В.; Петров, В. Н.; Титков, А. Н.

Найти похожие

Дугачева, Г. М. (канд. физ. наук; доц.).
Очистка салициловой кислоты и ее производных методом направленной вакуумной сублимации [Текст] / Дугачева Г. М., Лузин А. А., Попков В. А. // Актуальные проблемы современной науки. - 2009. - N 2. - С. 261-266 : 1 ил. - Библиогр.: с. 266 (4 назв. ) . - ISSN 1680-2721

УДК

^a615.2/.3

ББК 52.81
Рубрики: Здравоохранение. Медицинские науки
Фармакология
Кл.слова (ненормированные):
салициловая кислота -- сублимация -- вакуумная сублимация -- сублимационная очистка -- медицинские препараты -- фармацевтические препараты -- химико-фармацевтические препараты -- криоскопия
Аннотация: Принципиальная возможность исследования салициловой кислоты и ее производных новыми методами на вакуумной установке.

Доп.точки доступа:
Лузин, А. А. (канд. фармацевт. наук); Попков, В. А. (д-р фармацевт. наук; д-р пед. наук; проф.)

Найти похожие

Вольфсон, А. А.
Самопроизвольное отделение слоя AlN, полученного методом сублимации, от подложки SiC-6H [Текст] / А. А. Вольфсон // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 847-849 : ил. - Библиогр.: с. 848 (2 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
сублимация -- кристаллы -- кристаллы AlN -- AlN кристаллы -- слои -- объемные слои -- подложки -- AlN -- SiC-6H
Аннотация: Получение толстых слоев и объемных кристаллов AlN - одна из актуальных задач современной науки и техники. Основной метод ее решения - сублимационный, когда испаряемый при температуре около 2000oC слой AlN эптиаксиально наращивается на подложку SiC. Серьезной проблемой в этом случае является различие коэффициентов термического расширения этих материалов, которое при остывании до комнатной температуры приводит к изгибу, растрескиванию и большим механическим напряжениям в слое AlN. В данной работе рассмотрен случай самопроизвольного отделения не имеющего трещин слоя AlN от подложки SiC, что указывает на реальную возможность выстраивания такой технологии роста, при которой их разделение станет обязательным. Возможные причины самопроизвольного разделения слоя и подложки: 1) образование на интерфейсе прослойки алюминия; 2) развитие начальной стадии роста по схеме, описанной ранее, когда слой и подложка атомарно связаны только на отдельных относительно немногочисленных участках, где происходило зарождение растущего кристалла, а при остывании эти участки разрушались, и слой отделялся от подложки. Пока не ясно, какие особенности или аномалии ростового процесса привели к описываемому результату.

Найти похожие

Лузин, А. А. (канд. фармацевт. наук).
Очистка диазепама, мезапама и нозепама методом направленной вакуумной сублимации [Текст] / Лузин А. А., Дугачева Г. М., Попков В. А. // Актуальные проблемы современной науки. - 2010. - N 1. - С. 121-125. - Библиогр.: с. 125 (4 назв. ) . - ISSN 1680-2721

УДК

^a544

ББК 24.5
Рубрики: Химия
Физическая химия в целом
Кл.слова (ненормированные):
сублимация -- вакуумная субдимация -- кристаллизация -- химические соединения -- лекарственные препараты -- лекарственные соединения -- направленная вакуумная сублимация -- диазепам -- мезапам -- нозепам
Аннотация: Разработаны методика и оптимальные режимы очистки химических соединений методом направленной вакуумной сублимации.

Доп.точки доступа:
Дугачева, Г. М. (канд. хим. наук; доц.); Попков, В. А. (д-р фармацевт. наук; проф.)

Найти похожие

Испарение оксидов щелочноземельных металлов в вакууме [Текст] / В. П. Марин [и др. ] // Наукоемкие технологии. - 2009. - Т. 10, N 11. - С. 10-13 : ил. - Библиогр.: с. 13 (3 назв. ) . - ISSN 1999-8465

УДК

^a536.42

ББК 22.375
Рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
испарение оксидов -- щелочноземельные металлы -- вакуум -- высокотемпературая масс-спектрометрия -- масс-спектрометрия -- оксиды магния -- оксиды кальция -- оксиды стронция -- оксиды бария -- теплота сублимации -- сублимация -- образование монооксидов -- энергия монооксидов -- диссоциация монооксидов -- монооксиды
Аннотация: Представлены обобщающие экспериментальные результаты по термодинамике испарения оксидов щелочноземельных металлов, полученные методом высокотемпературной масс-спектрометрии. Приведены парциальные и общие давления пара оксидов магния, кальция, стронция и бария, а также теплоты сублимации, образования и энергии диссоциации монооксидов.

Доп.точки доступа:
Марин, В. П.; Казенас, Е. К.; Цветков, Ю. В.; Есаулов, Н. П.

Найти похожие

Исследование пленок мультиграфена, получаемых на поверхности SiC методом сублимации [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - С. 799-805. - Библиогр.: с. 805 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
пленки мультиграфена -- мультиграфен -- графен -- планарные наноуглеродные слои -- подложка карбида кремния -- наноуглеродные пленки -- Оже-спектроскопия -- метод сублимации
Аннотация: Для получения пленок графена использовалась технология сублимационной эпитаксии SiC в вакууме. Пленки исследовались методами Оже-спектроскопии, дифракции быстрых электронов на отражение, атомно-силовой микроскопии и рамановской спектроскопии. Сделан вывод, что структура полученных пленок имеет поликристаллический характер и состоит из отдельных монокристаллов графена с размерами порядка 50 nm.

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Котоусова, И. С.; Лаврентьев, А. В.; Лебедев, А. В.; Дементьев, П. А.; Петров, В. Н.; Смирнов, А. Н.; Титков, А. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Комплексное исследование несовершенств структуры кристаллов CdTe и CdTe: Cl, выращенных методом сублимации [Текст] / В. Д. Попович [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып. 12. - С. 2312-2318. . - Библиогр.: с. 2317-2318 (33 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
структуры -- кристаллы -- комплексные исследования
Аннотация: Приведены результаты изучения структуры кристаллов CdTe и CdTe: Cl, выращенных модифицированным методом физического транспорта в паровой фазе, с помощью химического селективного травления, электронографии и рентгеновской дифрактометрии. Обнаружено улучшение структурного совершенства в направлении роста и от периферии радиального сечения кристалла к его центру. Показано, что основным источником образования дислокаций и причиной их неоднородного распределения по объему слитков являются термомеханические напряжения, возникающие из-за адгезии кристаллов со стенками ростовой ампулы.

Доп.точки доступа:
Попович, В. Д.; Курило, И. В.; Рудый, И. О.; Сизов, Ф. Ф.; Шуптар, Д. Д.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Некита, А. Г.
От производства к управлению: стратегия сублимации деятельности в массовом обществе [Текст] / А. Г. Некита // Известия Томского политехнического университета. - 2010. - Т. 317, N 6 : Экономика : Философия, социология и культурология. - С. 168-173. . - Библиогр.: с. 173 (15 назв. )

УДК

^a316.32

ББК 60.52
Рубрики: Социология
Социология общества
Кл.слова (ненормированные):
власть -- производство -- управление -- социальные институты -- бессознательное отчуждение -- сублимация -- инфляция -- революция менеджеров -- массовое общество
Аннотация: Приведен анализ процессов трансформации классической европейской системы управления, сложившейся в ходе промышленной революции, которая в границах постиндустриального мира бессознательно тяготеет к сублимации производства и деятельности во власть и управление как ведущие формы их симуляции и виртуализации.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Черепанова, В. К.
Математическая модель процесса сублимации металлорганических соединений в потоке инертного газа [Текст] / В. К. Черепанова // Доклады Академии наук высшей школы России. - 2011. - N 1 (16). - С. 41-53. : ил. - Библиогр.: с. 52 (10 назв. )

ГРНТИ	29.19.01
УДК	^a536.42

ББК 22.375
Рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
сублимация -- химические осаждения -- дикетонат -- тепломассоперенос -- моделирования -- математические модели -- металлоорганические соединения -- инертный газ -- научные исследования
Аннотация: Развита численно-аналитическая модель тепломассопереноса при сублимации монокристаллической пластины из дикетоната металла в потоке инертного газа-носителя в плоском щелевом канале.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-19

Тематический навигатор

Статистика за 09.07.2024
Число запросов	5307
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)