Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=спиновая релаксация<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Спиновая релаксация двумерных электронов в холловском ферромагнетике [Текст] / Ю. А. Нефедов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 7. - С. 385-389

УДК

^a530.145

ББК 22.314
Рубрики: Физика
Квантовая механика
Кл.слова (ненормированные):
спиновая релаксация -- двумерные электроны -- электронный парамагнитный резонанс -- парамагнитный резонанс -- холловские ферромагнетики -- электронная подвижность -- резонансное поглощение
Аннотация: В системе двумерных электронов с высокой электронной подвижностью исследован электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) и изучены зависимости положения, ширины, интенсивности и формы линии резонансного микроволнового поглощения от фактора заполнения и температуры. Показано, что ширина линии ЭПР в квантовых ямах GaAs/AlGaAs с большой электронной подвижностью может составлять 30 МГц, что соответствует времени спиновой релаксации двумерных электронов 10 нс. Экспериментальные данные по температурной зависимости ширины линии спинового резонанса при факторе заполнения 1 сравниваются с теоретическими результатами, полученными для различных механизмов спиновой релаксации.

Доп.точки доступа:
Нефедов, Ю. А.; Фортунатов, А. А.; Щепетильников, А. В.; Кукушкин, И. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Циклотронный резонанс дырок в гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в квантующих магнитных полях [Текст] / А. В. Иконников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1539-1542. : ил. - Библиогр.: с. 1541 (5 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- InGaAs/GaAs -- циклотронный резонанс -- ЦР -- квантовые ямы -- КЯ -- квантовые каскадные лазеры -- ККЛ -- магнитные поля -- уровни Ландау -- Ландау уровни -- спиновая релаксация -- время спиновой релаксации -- дырки (физика)
Аннотация: Исследованы спектры циклотронного резонанса дырок в селективно-легированных гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в импульсных магнитных полях до 50 Тл при 4. 2 K. Подтвержден обнаруженный ранее эффект инвертированного (по сравнению с результатами одночастичного расчета уровней Ландау) соотношения интегральных интенсивностей двух расщепившихся компонент линии циклотронного резонанса, связываемый с эффектами обменного взаимодействия дырок. Обнаружено, что на восходящей и нисходящей ветвях импульса магнитного поля соотношения интенсивностей компонент линии циклотронного резонанса сильно различаются, что может быть связано с большим временем спиновой релаксации дырок между двумя нижними уровнями Ландау, составляющим десятки миллисекунд.

Доп.точки доступа:
Иконников, А. В.; Спирин, К. Е.; Гавриленко, В. И.; Козлов, Д. В.; Драченко, О.; Schneider, H.; Helm, M.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Щепетильников, А. В.
Спиновая релаксация в квантовых ямах GaAs/AlGaAs вблизи нечетных факторов заполнения [Текст] / А. В. Щепетильников, Ю. А. Нефедов, И. В. Кукушкин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 10. - С. 660-664

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- электронный парамагнитный резонанс -- нечетные факторы заполнения -- спиновая релаксация -- двумерные электроны
Аннотация: Исследован электронный парамагнитный резонанс в GaAs/AlGaAs квантовых ямах вблизи нечетных факторов заполнения ню=3, 5, 7. По ширине линии резонансного микроволнового поглощения определено время спиновой релаксации двумерных электронов. Изучены зависимости времени спиновой релаксации от фактора заполнения, температуры и ориентации магнитного поля. При удалении от нечетных факторов заполнения время спиновой релаксации заметно падает, а его максимальное значение зависит от угла наклона магнитного поля к плоскости двумерного электронного газа.

Доп.точки доступа:
Нефедов, Ю. А.; Кукушкин, И. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Низкотемпературная спиновая релаксация в прессованных порошках твердых растворов CrO[2] с примесью железа [Текст] / Н. В. Далакова [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2016. - Т. 80, № 6. - С. 733-736. - Библиогр.: c. 736 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a546.76-31

^a538.955

^a537.311.31

ББК 24.1 + 22.3 + 22.332
Рубрики: Химия
   Общая и неорганическая химия в целом
   Физика
   Общие вопросы физики
   Электрический ток
Кл.слова (ненормированные):
диоксид хрома -- прессованные порошки -- спиновая релаксация -- твердые растворы -- туннельное магнитосопротивление
Аннотация: Исследовано влияние примеси железа на низкотемпературное поведение туннельного магнитосопротивления прессованных порошков ферромагнитного половинного металла CrO[2] с анизотропией формы частицы. Обнаружена сильная зависимость магнитосопротивления от скорости спиновой релаксации в процессе перемагничивании образца. Показано, что добавление примеси Fe приводит к увеличению коэрцитивной силы порошка и уменьшению туннельного магнитосопротивления. Предполагается резонансный механизм туннелирования носителей в порошках твердых растворов CrO[2] с примесью железа.

Доп.точки доступа:
Далакова, Н. В.; Беляев, Е. Ю.; Колесниченко, Ю. А.; Горелый, В. А.; Осмоловская, О. М.; Осмоловский, М. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 01.08.2024
Число запросов	7322
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)