Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (6)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=спектры фотолюминесценции<.>)

Общее количество найденных документов : 30
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30

Смирнов, М. Б.
Численное моделирование температурной зависимости спектров фотолюминесценции квантовых точек InAs/GaAs [Текст] / М. Б. Смирнов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1126-1131. - Библиогр.: с. 1131 (13 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- массивы квантовых точек -- самоорганизованные массивы квантовых точек -- спектры фотолюминесценции -- фотолюминесценция
Аннотация: Разработана математическая модель, описывающая температурную зависимость спектров фотолюминесценции самоупорядоченных массивов квантовых точек и учитывающая электрон-фотонное взаимодействие и различные процессы переноса в системе квантовые точки-смачивающий слой-барьер. Применение модели к анализу экспериментальных спектров квантовых точек InAs, выращенных на вицинальных подложках GaAs, позволило выделить проявления в спектрах фотолюминесценции различных механизмов переноса возбуждения и связать наблюдаемые температурные зависимости спектров с особенностями строения массива квантовых точек.

Доп.точки доступа:
Талалаев, В. Г.; Новиков, Б. В.; Сарангов, С. В.; Цырлин, Г. Э.; Захаров, Н. Д.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

УДК

^a539.2

Андронников, Д. А.
Температурное поведение экситонов и трионов в структурах с квантовыми ямами CdTe/CdMgTe [Текст] / Д. А. Андроников [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1492-1496. - Библиогр.: с. 1496 (8 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
Больцмана распределение -- квантовые ямы -- модулированное легирование -- распределение Больцмана -- спектры фотолюминесценции -- трионы -- экситон-трионная система -- экситоны
Аннотация: Изучены температурные изменения спектров фотолюминесценции в магнитном поле трионов и экситонов в квантовых ямах на основе CdTe/CdMgTe с модулированным легированием. Обнаружено, что в магнитном поле температурное перераспределение интенсивности между экситонной и трионной линиями излучения является обратным к ожидаемому в модели простого распределения Больцмана. Путем решения системы кинетических уравнений для экситон-трионной системы построены температурные зависимости интенсивности экситонных и трионных линий излучения. Обнаружено хорошее согласие расчетных зависимостей с экспериментальными.

Доп.точки доступа:
Fehr, M.; Кочерешко, В. П.; Crooker, S. A.; Karczewski, G.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Бахтинов, А. П.
Формирование нанообразований на поверхности слоистого полупроводника InSe в процессе термического окисления [Текст] / А. П. Бахтинов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1497-1503. - Библиогр.: с. 1503 (28 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
наноструткурные образования -- окисление поверхности -- селенид индия -- слоистые полупроводники -- спектры фотолюминесценции -- структура гетерограницы -- центры рекомбинации экситонов -- экситонная поглощение
Аннотация: Исследованы морфологические изменения поверхности InSe при окислении на воздухе и влияние особенностей гетерограницы оксид-слоистый полупроводник на фотоэлектрические свойства структуры In[2]O[3]-InSe. Установлено, что в результате окисления слоистого полупроводника InSe может быть сформирована упорядоченная наноразмерная гетерограница, которая определяет высокую фоточувствительность гетероструктуры In[2]O[3]-InSe в спектральной области экситонного поглощения при комнатной температуре.

Доп.точки доступа:
Ковалюк, З. Д.; Сидор, О. Н.; Катеринчук, В. Н.; Литвин, О. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Пирятинский, Ю. П.
Фотоэлектронные свойства самоупорядоченной молекулярно-дисперсной структуры на основе раствора полярного красителя в жидкокристаллической матрице [Текст] / Ю. П. Пирятинский, М. М. Севрюкова // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 11. - С. 2096-2105. - Библиогр.: с. 2105 (14 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
агрегация красителя -- жидкокристаллическая матрица -- лазерное возбуждение -- молекулярно-дисперсные структуры -- полярные красители -- спектры фотолюминесценции -- фотолюминесценция
Аннотация: Из анализа спектров фотолюминесценции и нелинейных оптических свойств установлено влияние агрегации полярного красителя в жидкокристаллической матрице на образование упорядоченной молекулярно-дисперсной структуры. При агрегации красителя в жидкокристаллической матрице имеется определенная его концентрация, ниже которой при лазерном возбуждении (1064 nm) наблюдается только генерация второй гармоники, а выше - еще и интенсивная двухфотонно-возбуждаемая фотолюминесценция. Установлено, что внешнее электрическое поле и интенсивная ультрафиолетовая подсветка могут изменять не только ориентацию молекул, но и условия их агрегации.

Доп.точки доступа:
Севрюкова, М. М.

Найти похожие

Шишонок, Е. М.
Люминесцентные исследования кубического нитрида бора легированного бериллием [Текст] / Е. М. Шишонок, T. Taniguchi, T. Sekiguchi // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 10. - С. 1797-1803. - Библиогр.: с. 1802-1803 (26 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
катодолюминесценция -- кубический нитрид бора -- люминесценция -- спектры катодолюминеценции -- спектры фотолюминесценции -- широкозонные полупроводники -- фотолюминесценция
Аннотация: Исследованы спектры катодолюминесценции монокристаллов кубического нитрида бора cBN, легированных бериллием в условиях высоких давлений и температур. Установлено, что легирование бериллием приводит к стабильному образованию в спектрах катодолюминесценции cBN широкой полосы, положение максимума которой с увеличением концентрации примеси смещается в коротковолновую область спектра в интервале длин волн от около 315 до около 250 nm; при этом цвет кристаллов изменяется от темно-желтого до синего. По результатам исследований зависимостей структуры, интенсивности и положения максимума полосы от температуры измерения спектров катодолюминесценции предложена предварительная интерпретация ее природы в модели рекомбинации на дефектах дoнорного и акцепторного типов. Сделано предложение о присутствии вблизи валентной зоны легированного cBN нескольких перекрывающихся подзон, связанных с разнозарядными акцепторными уровнями бериллия. В спектрах фотолюминесценции легированных монокристаллов cBN зарегистрированы три неизвестные ранее бесфононные линии с энергиями 2. 135, 2. 27 и 2. 60 eV.

Доп.точки доступа:
Taniguchi, T.; Sekiguchi, T.

Найти похожие

Гастев, С. В.
Лазерная спектроскопия кубического центра Eu{3+} в объемном монокристалле CaF[2] [Текст] / С. В. Гастев, J. K. Choi, R. J. Reeves // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 1. - С. 43-47. - Библиогр.: с. 47 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
лазерная спектроскопия -- объемные монокристаллы -- оптические переходы -- комбинированные спектры возбуждения -- спектры фотолюминесценции -- импульс возбуждения -- энергия штарковских подуровней
Аннотация: Оптические переходы {5}D[0, 1] - {7}F[J] (J = 0, 1,..., 6) кубического центра Eu{3+} в CaF{2} исследованы с помощью регистрации комбинированных спектров возбуждения и фотолюминесценции при различных временных задержках после окончания импульса возбуждения. Определены энергии штарковских подуровней оснвоного состояния {7}F[J].

Доп.точки доступа:
Choi, J. K.; Reeves, R. J.

Найти похожие

Влияние присоединения биомолекул на фотолюминесцентные и структурные характеристики квантовых точек CdSe-ZnS [Текст] / Л. В. Борковская [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 804-810 : ил. - Библиогр.: с. 809-810 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- КТ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- фотолюминесцентные характеристики -- структурные характеристики -- биомолекулы -- биосопряжение -- экситоны -- рекомбинация экситонов -- рентгеновская дифракция -- дефекты -- спектры возбуждения -- СВ -- CdSe-ZnS
Аннотация: Исследовались спектры фотолюминесценции и ее возбуждения, а также кривые рентгеновской дифракции силанизированных квантовых точек CdSe-ZnS и влияние на них соединения с биомолекулами. В спектрах люминесценции помимо полосы, обусловленной рекомбинацией экситонов в квантовых точках, присутствовало излучение, связанное с дефектами. Установлено, что спектр излучения дефектов содержит, как минимум, две компоненты. Показано, что дефекты расположены преимущественно на точках малого размера, причем дефекты, ответственные за длинноволновую компоненту, расположены преимущественно на точках большего размера, чем дефекты ответственные за коротковолновую компоненту. Обнаружено, что соединение с биомолекулами приводит не только к голубому смещению экситонной полосы, но и к трансформации спектра излучения дефектов, а также к увеличению его вклада в спектр люминесценции. Наблюдающиеся изменения в спектре излучения дефектов объясняются образованием соответствующих центров свечения. Показано, что при присоединении биомолекул в квантовых точках возрастают механические напряжения сжатия. Этим объясняется голубое смещение полосы квантовых точек.

Доп.точки доступа:
Борковская, Л. В.; Корсунская, Н. Е.; Крыштаб, Т. Г.; Гермаш, Л. П.; Печерская, Е. Ю.; Остапенко, С.; Чернокур, А.

Найти похожие

Фотолюминесценция кремния после осаждения поликристаллических пленок алмаза [Текст] / Д. Ф. Аминев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1199-1203 : ил. - Библиогр.: с. 1203 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- ФЛ -- низкотемпературная фотолюминесценция -- кремний -- кремниевая подложка -- подложка кремния -- пленки -- поликристаллические пленки -- алмазные пленки -- алмазы -- поликристаллические алмазы -- осаждение пленок алмаза -- микроволновые плазмы -- излучение -- дислокационное излучение -- дислокации -- химико-механическая полировка -- адгезия -- спектры -- спектры фотолюминесценции
Аннотация: Исследована низкотемпературная (5 К) фотолюминесценция в области 0. 8-1. 2 эВ подложек кремния до и после осаждения пленок поликристаллического алмаза. Алмазные пленки осаждались в микроволновой плазме при температуре 750-850°С на чистый (р ~ ЗкОм x см) бездислокационный кремний, подвергнутый механической полировке или более совершенной химико-механической полировке. В спектре фотолюминесценции образцов, в которых кремниевая подложка подвергалась химико-механической полировке, регистрируются линии D[1] и D[2], связанные с дислокационным излучением. Возникновение дислокаций в этих подложках определяется хорошей адгезией алмазной пленки и, как следствие, появлением внутренних напряжений, релаксирующих в виде дислокаций. Полученные спектры практически идентичны спектрам фотолюминесценции, измеренным для кремния (р ~ 100 Ом x см) с плотностью дислокаций ~10{4}см{-2}.

Доп.точки доступа:
Аминев, Д. Ф.; Багаев, В. С.; Галкина, Т. И.; Клоков, А. Ю.; Кривобок, В. С.; Ральченко, В. Г.

Найти похожие

10.

Фотолюминесценция наночастиц CdSe в пористом GaP [Текст] / Ю. Ю. Бачериков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1473-1476 : ил. - Библиогр.: с. 1476 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
наночастицы -- CdSe -- пористые пленки -- GaP -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- осаждение -- поверхностно активные вещества
Аннотация: Исследованы свойства фотолюминесценции наноструктурированных частицами CdSe (d=2. 8 нм) пленок пористого GaP. Показано, что осаждение наночастиц CdSe на пленки пористого GaP приводит к сдвигу спектра фотолюминесценции наночастиц, покрытых поверхностно активным веществом, в коротковолновую область. Установлено, что нарушение целостности оболочки наночастиц CdSe из поверхностно активного вещества приводит к образованию, как минимум, двух фракций наночастиц с различными размерами. Данным фракциям соответствуют хорошо разрешенные полосы фотолюминесценции с максимумами 508 и 560 нм.

Доп.точки доступа:
Бачериков, Ю. Ю.; Охрименко, О. Б.; Оптасюк, С. В.; Яценко, Ю. И.; Кидалов, В. В.; Коломинская, Е. В.; Ваксман, Ю. Ф.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30

Тематический навигатор

Статистика за 07.09.2024
Число запросов	1663
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)